據(jù)港媒報道，近日，香港立法會財務委員會批準了高達28.4億港元（折合人民幣約26.33億元）的撥款，用于設立一個專注于半導體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。
香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導體，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），該研究中心將率先在大學、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導體進行合作。
據(jù)報道，香港微電子研發(fā)院將落地元朗創(chuàng)新園，容納兩條第三代半導體的試驗生產(chǎn)線，并允許初創(chuàng)公司、中小企業(yè)在將產(chǎn)品商業(yè)化之前完成運行測試。此外，該中心生產(chǎn)的半導體還有望用于開發(fā)新能源汽車、實現(xiàn)可再生能源解決方案。
據(jù)悉，香港特區(qū)行政長官李家超在去年10月的施政報告宣布，香港將在2024年成立微電子研發(fā)院。此外，他還對這28.4億港元的撥款做了規(guī)劃——香港特區(qū)政府會預留約24.8億港元（折合人民幣約23億元）作采購中試線設備，剩下的3億6000萬港元（折合人民幣約3.34億元）作頭5年的營運開支。
創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東表示，之前香港主要欠缺中游的轉化及下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而現(xiàn)屆政府集中完善創(chuàng)科體系，產(chǎn)學研都在上、中、下游產(chǎn)業(yè)加投，建設完善體系。
值得一提的是，2023年10月，香港科技園與杰平方半導體(上海)有限公司（下文簡稱“杰平方”）在中國香港簽署合作備忘錄，雙方將在香港科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首家SiC 8英寸先進垂直整合晶圓廠。
杰平方介紹，8英寸SiC先進垂直整合晶圓廠項目總投資約69億港幣（約合人民幣63.4億元），計劃到2028年年產(chǎn)24萬片SiC晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元（折合人民幣約102億元），并創(chuàng)造超過700個本地和吸引國際專業(yè)人才來港的就業(yè)崗位。該工廠將成為香港首個具規(guī)模的半導體晶圓廠，將推動香港生產(chǎn)自主研發(fā)的第三代半導體芯片。（集邦化合物半導體Morty整理）
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