1月9日，據(jù)中國電科48所官微消息，中國電科48所立式氧化爐近日完成批量交付。
source：中國電科48所
據(jù)介紹，立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關(guān)鍵工藝設(shè)備，主要用于高溫氧化及退火工藝。
據(jù)悉，氧化退火對于碳化硅功率器件制造至關(guān)重要。首先，氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結(jié)構(gòu)，形成均勻、高質(zhì)量的SiO?柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲，從而提高器件的性能和可靠性。
其次，通過氧化退火，可以填補(bǔ)晶格缺陷，降低殘余應(yīng)力，提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量，改善電學(xué)性能?，這對于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。
此外，在高溫下，碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動，減少晶格缺陷，從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo)性能。氧化退火還能減少氧化物含量，進(jìn)一步增強(qiáng)其耐熱性能。
目前，國內(nèi)已有部分設(shè)備廠商涉足碳化硅氧化爐細(xì)分市場，除中國電科48所外，還有北方華創(chuàng)、拉普拉斯等企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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