4月24日，據(jù)投中資本官微消息，南京百識(shí)電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱百識(shí)電子）近期宣布正式具備國(guó)產(chǎn)8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。至此，國(guó)內(nèi)8英寸SiC外延賽道又多了一個(gè)新玩家。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
百識(shí)電子All in外延
據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體外延技術(shù)推動(dòng)著相關(guān)材料的研究和應(yīng)用不斷深入，帶來(lái)了更加高效、穩(wěn)定和可靠的電子設(shè)備和器件，是產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)之一。由此，吸引了眾多廠商布局SiC、GaN外延業(yè)務(wù)，百識(shí)電子便是其中之一。
不同于部分企業(yè)同時(shí)涉足襯底與外延技術(shù)，百識(shí)電子自2019年成立以來(lái)，All in外延領(lǐng)域。由于其核心團(tuán)隊(duì)成員來(lái)自亞洲現(xiàn)有第三代半導(dǎo)體外延片領(lǐng)域的供貨商，使得百識(shí)電子熟悉市場(chǎng)及客戶不同產(chǎn)品需求與痛點(diǎn)，能夠進(jìn)行針對(duì)性產(chǎn)品與技術(shù)研發(fā)。
2023年，百識(shí)電子外延工藝和技術(shù)水平持續(xù)突破，3300V SiC外延片實(shí)現(xiàn)高良率高質(zhì)量生產(chǎn)，產(chǎn)品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩(wěn)定出貨全球軌交頭部客戶。此外，超高耐壓（6500V及以上）外延技術(shù)也取得新進(jìn)展。
2024年，SiC外延技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量的進(jìn)一步提升，推動(dòng)百識(shí)電子正式獲得8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。產(chǎn)品質(zhì)量方面，據(jù)稱，百識(shí)電子所生產(chǎn)的8英寸SiC外延片質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，即厚度不均勻性小于1.5%，濃度不均勻性小于4%，3mm*3mm管芯良率達(dá)到99%以上。
技術(shù)進(jìn)展方面，據(jù)悉，SiC外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數(shù)量會(huì)影響器件電氣特性，導(dǎo)致SiC器件良率有所損失。目前一般外延技術(shù)只能控制表面尺寸較大的致命缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞數(shù)量高達(dá)每片5,000顆以上。而百識(shí)電子獨(dú)有的外延技術(shù)可將表面缺陷數(shù)量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000個(gè)。
產(chǎn)能方面，百識(shí)電子首條產(chǎn)線于2021年投產(chǎn)，當(dāng)前年產(chǎn)能達(dá)5萬(wàn)片。其計(jì)劃近期在長(zhǎng)三角落地二期產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)劃28萬(wàn)片/年，以期打造先進(jìn)的車規(guī)級(jí)三代半外延片制造工廠。持續(xù)的產(chǎn)能建設(shè)，也為百識(shí)電子具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力提供了一定程度的支撐。
此前，百識(shí)電子已能夠可提供6英寸SiC，以及6/8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延代工服務(wù)，在具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力后，百識(shí)電子業(yè)務(wù)觸角將進(jìn)一步向8英寸SiC領(lǐng)域延伸，向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)下，百識(shí)電子有望躋身主流SiC廠商行列。
國(guó)內(nèi)廠商進(jìn)擊8英寸
當(dāng)前，在材料方面，SiC產(chǎn)業(yè)重心正逐步向8英寸傾斜，國(guó)內(nèi)眾多廠商紛紛緊跟潮流，致力于開(kāi)發(fā)8英寸SiC產(chǎn)品，不少玩家在近期取得了重大進(jìn)展，其中包括中宜創(chuàng)芯、青禾晶元等。
今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸SiC單晶晶錠，據(jù)介紹，中宜創(chuàng)芯利用先進(jìn)的粉體合成爐和自動(dòng)化無(wú)污染破碎技術(shù)組織研發(fā)生產(chǎn)，具有單爐產(chǎn)能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點(diǎn)，更適合8英寸SiC厚單晶晶錠的生長(zhǎng)。
而在4月，青禾晶元宣布，其在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。青禾晶元表示，SiC長(zhǎng)晶受限于生長(zhǎng)良率低、周期長(zhǎng)等瓶頸導(dǎo)致成本居高不下，而SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長(zhǎng)晶襯底，與長(zhǎng)晶技術(shù)一同推進(jìn)SiC材料成本降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望通過(guò)降本加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程。
同時(shí)，芯聯(lián)集成8英寸SiC晶圓和芯片研發(fā)進(jìn)展比較順利，計(jì)劃年內(nèi)送樣，離最終量產(chǎn)供貨也已為時(shí)不遠(yuǎn)，屆時(shí)，芯聯(lián)集成將成為8英寸SiC陣營(yíng)又一個(gè)新玩家。
此外，科友半導(dǎo)體正在與俄羅斯N公司開(kāi)展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過(guò)該項(xiàng)目，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無(wú)微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)SiC長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)，最終目的也是降本增效。
上述廠商在8英寸SiC賽道的探索與成果，有望刺激更多企業(yè)加大8英寸SiC產(chǎn)品研發(fā)投入。
小結(jié)
能夠量產(chǎn)8英寸SiC外延片，意味著百識(shí)電子相關(guān)技術(shù)已成熟，為其后續(xù)合作、供貨、擴(kuò)產(chǎn)打下了基礎(chǔ)，有望成為其業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的新引擎，也將在一定程度上助力實(shí)現(xiàn)8英寸SiC外延片國(guó)產(chǎn)替代。
國(guó)內(nèi)廠商在8英寸SiC技術(shù)和產(chǎn)品方面的持續(xù)突破，在加速國(guó)產(chǎn)替代的同時(shí)，也通過(guò)降本推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷邁上新臺(tái)階。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。