4月24日，據(jù)投中資本官微消息，南京百識電子科技有限公司（以下簡稱百識電子）近期宣布正式具備國產(chǎn)8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。至此，國內(nèi)8英寸SiC外延賽道又多了一個新玩家。
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百識電子All in外延
據(jù)了解，第三代半導體外延技術(shù)推動著相關(guān)材料的研究和應用不斷深入，帶來了更加高效、穩(wěn)定和可靠的電子設(shè)備和器件，是產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)之一。由此，吸引了眾多廠商布局SiC、GaN外延業(yè)務，百識電子便是其中之一。
不同于部分企業(yè)同時涉足襯底與外延技術(shù)，百識電子自2019年成立以來，All in外延領(lǐng)域。由于其核心團隊成員來自亞洲現(xiàn)有第三代半導體外延片領(lǐng)域的供貨商，使得百識電子熟悉市場及客戶不同產(chǎn)品需求與痛點，能夠進行針對性產(chǎn)品與技術(shù)研發(fā)。
2023年，百識電子外延工藝和技術(shù)水平持續(xù)突破，3300V SiC外延片實現(xiàn)高良率高質(zhì)量生產(chǎn)，產(chǎn)品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩(wěn)定出貨全球軌交頭部客戶。此外，超高耐壓（6500V及以上）外延技術(shù)也取得新進展。
2024年，SiC外延技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量的進一步提升，推動百識電子正式獲得8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。產(chǎn)品質(zhì)量方面，據(jù)稱，百識電子所生產(chǎn)的8英寸SiC外延片質(zhì)量達到國際先進水平，即厚度不均勻性小于1.5%，濃度不均勻性小于4%，3mm*3mm管芯良率達到99%以上。
技術(shù)進展方面，據(jù)悉，SiC外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數(shù)量會影響器件電氣特性，導致SiC器件良率有所損失。目前一般外延技術(shù)只能控制表面尺寸較大的致命缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞數(shù)量高達每片5,000顆以上。而百識電子獨有的外延技術(shù)可將表面缺陷數(shù)量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000個。
產(chǎn)能方面，百識電子首條產(chǎn)線于2021年投產(chǎn)，當前年產(chǎn)能達5萬片。其計劃近期在長三角落地二期產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)劃28萬片/年，以期打造先進的車規(guī)級三代半外延片制造工廠。持續(xù)的產(chǎn)能建設(shè)，也為百識電子具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力提供了一定程度的支撐。
此前，百識電子已能夠可提供6英寸SiC，以及6/8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延代工服務，在具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力后，百識電子業(yè)務觸角將進一步向8英寸SiC領(lǐng)域延伸，向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下，百識電子有望躋身主流SiC廠商行列。
國內(nèi)廠商進擊8英寸
當前，在材料方面，SiC產(chǎn)業(yè)重心正逐步向8英寸傾斜，國內(nèi)眾多廠商紛紛緊跟潮流，致力于開發(fā)8英寸SiC產(chǎn)品，不少玩家在近期取得了重大進展，其中包括中宜創(chuàng)芯、青禾晶元等。
今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸SiC單晶晶錠，據(jù)介紹，中宜創(chuàng)芯利用先進的粉體合成爐和自動化無污染破碎技術(shù)組織研發(fā)生產(chǎn)，具有單爐產(chǎn)能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點，更適合8英寸SiC厚單晶晶錠的生長。
而在4月，青禾晶元宣布，其在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。青禾晶元表示，SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本居高不下，而SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術(shù)一同推進SiC材料成本降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望通過降本加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程。
同時，芯聯(lián)集成8英寸SiC晶圓和芯片研發(fā)進展比較順利，計劃年內(nèi)送樣，離最終量產(chǎn)供貨也已為時不遠，屆時，芯聯(lián)集成將成為8英寸SiC陣營又一個新玩家。
此外，科友半導體正在與俄羅斯N公司開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。通過該項目，科友半導體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級，最終目的也是降本增效。
上述廠商在8英寸SiC賽道的探索與成果，有望刺激更多企業(yè)加大8英寸SiC產(chǎn)品研發(fā)投入。
小結(jié)
能夠量產(chǎn)8英寸SiC外延片，意味著百識電子相關(guān)技術(shù)已成熟，為其后續(xù)合作、供貨、擴產(chǎn)打下了基礎(chǔ)，有望成為其業(yè)績增長的新引擎，也將在一定程度上助力實現(xiàn)8英寸SiC外延片國產(chǎn)替代。
國內(nèi)廠商在8英寸SiC技術(shù)和產(chǎn)品方面的持續(xù)突破，在加速國產(chǎn)替代的同時，也通過降本推動SiC產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模不斷邁上新臺階。（文：集邦化合物半導體Zac）
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