6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。
據(jù)介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，... [詳內(nèi)文]
穩(wěn)懋半導(dǎo)體推出全新RF GaN技術(shù) |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分類 企業(yè) |