12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。
據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強(qiáng)的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電... [詳內(nèi)文]
南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè) |