12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。
據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電力電子用GaN器件的需求。
資料顯示，國盛公司前身是信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所電子材料產(chǎn)品部，專業(yè)從事半導(dǎo)體硅外延材料的研發(fā)及批量生產(chǎn)。公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。
值得一提的是，近日，國盛公司大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目第一枚碳化硅（SiC）外延產(chǎn)品誕生。國盛公司表示，首枚SiC外延產(chǎn)品誕生，預(yù)示著后續(xù)新品全尺寸檢測評估，向客戶提供驗證樣片工作正式啟動。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
近年來，電科材料大力布局第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域。2021年9月，電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬平方米。今年11月，電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運行。
該產(chǎn)業(yè)基地項目分兩期實施，其中一期投資19.3億元，將建設(shè)成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)基地等。項目達產(chǎn)后，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。
據(jù)悉，自電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目投產(chǎn)以來，大尺寸硅外延片、SiC外延片已先后實現(xiàn)客戶交付，第一枚GaN on Si外延片下線，標(biāo)志著國盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。
此外，2022年4月，電科材料孫公司盛鑫半導(dǎo)體舉行大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目開工儀式。今年6月，盛鑫半導(dǎo)體大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設(shè)備入場。
據(jù)電科材料介紹，該項目是南京市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)的地標(biāo)性項目，將建設(shè)外延主廠房、晶體加工廠房、綜合試驗樓、動力站等相關(guān)建筑，主要從事大尺寸硅外延片和第三代半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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