近一年來(lái)第三次!南砂晶圓再獲融資

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 17:35 | 分類 產(chǎn)業(yè)

天眼查官網(wǎng)顯示,3月25日,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱:南砂晶圓)獲得C+輪融資,參與投資的機(jī)構(gòu)包括歷城控股,渾璞投資。

同時(shí),公司的注冊(cè)資本發(fā)生變更,由34,560萬(wàn)元提升3.24%至35,680萬(wàn)元。

值得一提的是,南砂晶圓近一年來(lái)已完成了三輪融資。天眼查官網(wǎng)顯示,南砂晶圓目前已完成六輪融資,最近三輪分別發(fā)生在2023年7月、2024年1月以及2024年3月。

根據(jù)公司官網(wǎng)介紹,南砂晶圓成立于2018年9月,是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司總部設(shè)在廣州市南沙區(qū),現(xiàn)有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地,形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長(zhǎng)和襯底制備等完整的生產(chǎn)線。

其中,濟(jì)南廠區(qū)正處于積極擴(kuò)產(chǎn)期。據(jù)悉,南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南,成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。今年1月30日,中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。

目前,南砂晶圓計(jì)劃將中晶芯源打造成為全國(guó)最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地,投資額15億元,于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。

而廣州方面,南砂晶圓于2020年7月啟動(dòng)南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目,該項(xiàng)目總投資9億元,已于2023年4月試投產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬(wàn)片。

產(chǎn)品方面,目前,南砂晶圓以6、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底為主,并可視市場(chǎng)需求不斷豐富產(chǎn)品線。

其中,8英寸產(chǎn)品方面,2022年,南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)多年的理論和技術(shù)攻關(guān),實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備。

2023年8月,山東大學(xué)與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理氣相傳輸法實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯(cuò)(TSD)”密度和低基平面位錯(cuò)(BPD)密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備,其中螺位錯(cuò)密度為0.55 cm-2,基平面位錯(cuò)密度為202 cm-2。據(jù)悉,近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備,有助于加快國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。(集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理)

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