合作遍地開花,安森美擴(kuò)大SiC版圖

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 18 日 17:28 | 分類 碳化硅SiC

作為知名的汽車半導(dǎo)體大廠,安森美最近動(dòng)作頻頻,彰顯了其對(duì)SiC的信心和野心。

再砸20億美元,安森美擬拿下40%的市場(chǎng)

5月16日,安森美高管表示,公司正在考慮投資20億美元,用于提高碳化硅芯片的產(chǎn)能,目標(biāo)是到2027年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場(chǎng)40%的份額。

安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國(guó)、捷克共和國(guó)和韓國(guó)都設(shè)有工廠,其中韓國(guó)工廠已在生產(chǎn)SiC芯片。安森美暫未明確未來(lái)將擴(kuò)建哪座工廠,但安森美計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)現(xiàn)從SiC粉末到成品的全流程自主控制。

圖源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

應(yīng)用落地,合作遍地開花

安森美的碳化硅產(chǎn)品已在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、汽車充電樁等領(lǐng)域得到應(yīng)用,最近更是動(dòng)作頻頻,與諸多新的合作方達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議。

上能電氣。5月16日,安森美官方宣布,上能電氣將在其公用事業(yè)級(jí)太陽(yáng)能逆變器和200kW儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊(PIM)。

據(jù)介紹,兩家公司合作開發(fā)的優(yōu)化方案將最大程度提高太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能變流器的性能。

具體而言,相比集中式逆變器,雙方合作推出的基于EliteSiC的公用事業(yè)級(jí)組串式逆變器具有更靈活的安裝方案、更低的維護(hù)成本和更短的故障停機(jī)時(shí)間;而上能電氣在200kW ESS中采用安森美高度優(yōu)化的單級(jí)多電平PIM,則能實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)能效和更低的成本。

Kempower。5月17日,安森美宣布與Kempower達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,將為Kempower提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于電動(dòng)汽車充電樁。

未來(lái),Kempower將采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù),開發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件,用于有源AC-DC前端以及初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。據(jù)悉,通過(guò)采用安森美的EliteSiC MOSFET技術(shù),Kempower的電動(dòng)汽車充電方案將在功率、性能和可靠性方面獲得提升。

賓夕法尼亞州立大學(xué)。5月17日,根據(jù)安森美官網(wǎng)消息,賓夕法尼亞州立大學(xué)和安森美宣布簽署了諒解備忘錄,并達(dá)成800萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作,其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所(MRI)建立安森美碳化硅晶體中心(SiC3),而安森美將在未來(lái)10年內(nèi)每年為SiC3提供80萬(wàn)美元的資金。

此外,雙方還將合作開展勞動(dòng)力發(fā)展計(jì)劃,例如實(shí)習(xí)和合作計(jì)劃,并將SiC和寬帶隙晶體研究納入賓夕法尼亞州立大學(xué)的課程。

`碳化硅營(yíng)收翻倍

安森美對(duì)碳化硅的布局正在得到回報(bào)。5月1日,安森美發(fā)布2023年第一季(1-3月)財(cái)報(bào)稱,公司在2023年第一季營(yíng)收為19.6億美元,相比去年同期的19.45億美元微幅增長(zhǎng)了0.76%。值得一提的是,碳化硅相關(guān)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)了將近一倍。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理)

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