文章分類： 企業(yè)

意法半導(dǎo)體2025年碳化硅將全面升級(jí)為8英寸

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:17 |
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6月28日，據(jù)韓媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。該計(jì)劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格向市場(chǎng)供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。 意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億！安世半導(dǎo)體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 28 日 16:37 |
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6月27日，半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。 同時(shí)，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)...  [詳內(nèi)文]

搭上AI快車，第三代半導(dǎo)體要起飛了？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:29 |
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第三代半導(dǎo)體功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。 其中，SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車已成為其主要應(yīng)用市場(chǎng)之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長(zhǎng)續(xù)...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 18:00 |
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作為一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)悉，瞻芯電子在國(guó)內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平...  [詳內(nèi)文]

總投資10億元，鑫誠(chéng)光電高端激光器芯片制造項(xiàng)目落地佛山

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 17:55 |
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據(jù)“順德發(fā)布”官微消息，6月24日，廣東鑫誠(chéng)光電半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鑫誠(chéng)光電”）與佛山市順德區(qū)政府簽約，標(biāo)志著高端激光器芯片項(xiàng)目正式落地順德陳村。 source：順德發(fā)布 該項(xiàng)目計(jì)劃總投資約為10億元，計(jì)劃分三期開展，主要建設(shè)高端激光器芯片的批量化生產(chǎn)以及測(cè)試基地。首期選...  [詳內(nèi)文]

世界第一座8英寸SiC晶圓工廠開工利用率已達(dá)到20%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 17:55 |
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6月24日，Wolfspeed披露了公司旗下SiC項(xiàng)目的最新進(jìn)展。 Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開工利用率已達(dá)到20%，Wolfspeed表示，這是公司努力滿足對(duì)SiC功率器件日益增長(zhǎng)的需求的關(guān)鍵一步。 莫霍克谷SiC晶圓廠(source：Wolfspeed）...  [詳內(nèi)文]

布局GaN，臺(tái)達(dá)電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 9:03 |
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6月21日，臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。 臺(tái)達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì)，增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車領(lǐng)域的核心競(jìng)...  [詳內(nèi)文]

“科創(chuàng)板八條”發(fā)布，第三代半導(dǎo)體現(xiàn)2起并購(gòu)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 |
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除了技術(shù)研發(fā)實(shí)力、資金等方面，利好政策扶持也是企業(yè)實(shí)現(xiàn)良性發(fā)展不可或缺的重要保障。6月19日，證監(jiān)會(huì)發(fā)布《關(guān)于深化科創(chuàng)板改革 服務(wù)科技創(chuàng)新和新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的八條措施》（以下簡(jiǎn)稱《八條措施》），其中第四條措施為更大力度支持并購(gòu)重組。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 具體來(lái)看，第四條措施...  [詳內(nèi)文]

南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 |
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盡管目前市場(chǎng)上SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國(guó)內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸，其中就包括南砂晶圓。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（P...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料廠商晶彩科技新項(xiàng)目落戶浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 17:12 |
| 分類: 企業(yè)
6月21日，紹興晶彩科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱“晶彩科技”）宣布，公司投資的第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底專用原輔料關(guān)鍵材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目于近日簽約紹興柯橋。 source：彩晶科技 據(jù)介紹，該項(xiàng)目自主研發(fā)并攻克原位合成高純碳化硅多晶粉體技術(shù)，產(chǎn)品具有超高純度（6N及以上）、粒徑尺寸及均一性、...  [詳內(nèi)文]