降本增效,德州儀器轉(zhuǎn)型8英寸GaN工藝

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

德州儀器(TI)近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃,該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過(guò)渡。

source:德州儀器

TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸

3月5日,TI韓國(guó)總監(jiān)Ju-Yong Shin表示,TI正在美國(guó)達(dá)拉斯、日本會(huì)津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據(jù)Shin介紹,TI目前采用6英寸工藝生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體,達(dá)拉斯工廠有望在2025年之前過(guò)渡到8英寸工藝,而在日本會(huì)津工廠,TI正在將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

在半導(dǎo)體行業(yè),從一定程度上來(lái)說(shuō),隨著晶圓尺寸越來(lái)越大,單位器件成本呈下降趨勢(shì)。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍,12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍,更大的晶圓尺寸意味著可以生產(chǎn)更多的器件,有助于提高生產(chǎn)效率。

有業(yè)內(nèi)人士表示,從6英寸生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)向8英寸工藝,有望將生產(chǎn)成本降低10%以上。由此看來(lái),TI的工藝轉(zhuǎn)型有望降低GaN半導(dǎo)體價(jià)格,進(jìn)而能夠提供更低價(jià)格的器件以及解決方案,幫助其從降本入手獲得一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

值得一提的是,GaN-on-Si是硅基技術(shù),可以利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠已有的規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)和快速上市?;诖耍琓I能夠加速上文所說(shuō)的將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN生產(chǎn)線的進(jìn)程,從而更快實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換目標(biāo)。

TI GaN業(yè)務(wù)進(jìn)展

當(dāng)前,國(guó)內(nèi)外廠商均在積極推進(jìn)建設(shè)8英寸GaN晶圓項(xiàng)目,TI順勢(shì)而為,實(shí)施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略,在降本增效的同時(shí),也能夠在技術(shù)方面置身于產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)。

近年來(lái),TI積極涉足GaN全產(chǎn)業(yè)鏈,以期在穩(wěn)健增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)分一杯羹。據(jù)TrendForce集邦咨詢分析,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

產(chǎn)能方面,TI日本負(fù)責(zé)人Samuel Vicari在2023年2月曾透露,將擴(kuò)大在日GaN晶圓產(chǎn)能。據(jù)悉,擴(kuò)產(chǎn)的原因在于TI使用GaN的相關(guān)產(chǎn)品需求較高,為此,TI將主要投資福島縣的會(huì)津工廠以擴(kuò)大產(chǎn)能。

此前,TI日本會(huì)津工廠產(chǎn)能并非全部用于GaN產(chǎn)品,而通過(guò)最新的轉(zhuǎn)型規(guī)劃,TI有望將GaN半導(dǎo)體提升為會(huì)津工廠主要產(chǎn)品,其GaN晶圓產(chǎn)能將進(jìn)一步擴(kuò)大。

產(chǎn)品方面,GaN功率器件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng),目前核心仍在于快充。不久前,TI發(fā)布了低功耗GaN系列新品,可助力提高功率密度、提升系統(tǒng)效率、同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類(lèi)電力電子等產(chǎn)品的尺寸。

如今,消費(fèi)者需要更小、更輕、更便攜,同時(shí)還能快速充電的高能效電源適配器,而借助TI發(fā)布的新品,設(shè)計(jì)人員可將低功耗GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì)應(yīng)用到更多消費(fèi)者日常使用的產(chǎn)品中,如手機(jī)和筆記本電腦適配器等。

TI低功耗GaN產(chǎn)品有助于推動(dòng)GaN技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透,同時(shí)在一定程度上帶動(dòng)公司GaN業(yè)務(wù)板塊業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

小結(jié)

此次向8英寸轉(zhuǎn)型,配合2023以來(lái)實(shí)施的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,TI未來(lái)有望提供更多GaN相關(guān)產(chǎn)品,在GaN供不應(yīng)求的大環(huán)境下,分食更多市場(chǎng)份額。

成本問(wèn)題是制約GaN產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的因素之一,向8英寸以及更大尺寸轉(zhuǎn)型是降低GaN器件成本可行之法。TI實(shí)施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略,既有助于降低自身GaN產(chǎn)品成本,也有望在一定程度上推動(dòng)市場(chǎng)上相關(guān)產(chǎn)品降價(jià),進(jìn)而擴(kuò)大應(yīng)用,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)正面發(fā)展。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

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