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PI收購(gòu)美國(guó)垂直GaN技術(shù)開發(fā)商Odyssey

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 08 日 17:27 | 分類 氮化鎵GaN
近年來(lái),GaN(氮化鎵)技術(shù)得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性,迅速滲透消費(fèi)電子市場(chǎng),并進(jìn)一步向更高功率的應(yīng)用市場(chǎng)探索。然而,在消費(fèi)電子市場(chǎng)的發(fā)展空間不斷縮小之際,GaN在高壓高功率市場(chǎng)的發(fā)展不如預(yù)期,在此背景下,多家廠商因經(jīng)營(yíng)不佳,相繼選擇調(diào)整業(yè)務(wù),或并入實(shí)力雄厚的功率...  [詳內(nèi)文]

PI、南瑞半導(dǎo)體透露SiC MOS項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分類 企業(yè)
因搭載高壓平臺(tái)的電動(dòng)汽車在補(bǔ)能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色,可以大幅提高客戶的使用體驗(yàn),大有成為主流之勢(shì)。而SiC MOSFET在高壓車載領(lǐng)域的良好表現(xiàn),受到市場(chǎng)的追捧,新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領(lǐng)域來(lái)看,又有兩家企業(yè)有了新動(dòng)態(tài)。 Powe...  [詳內(nèi)文]