Tag Archives: 芯粵能

合計91.8億,2個第三代半導(dǎo)體項目披露新進展

作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日,合計投資91.8億元的芯粵能和晶旭半導(dǎo)體兩個第三代半導(dǎo)體項目同時披露了最新進展。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡 在這兩個項目當(dāng)中,芯粵能碳化硅(SiC)芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目,總投資額為75億元,占地150畝,一期投資...  [詳內(nèi)文]