Tag Archives: 華虹半導(dǎo)體

英諾賽科擬赴港上市
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月5日，據(jù)《路透社》旗下IFR報(bào)道，英諾賽科正計(jì)劃最早于今年內(nèi)，在香港進(jìn)行IPO，融資規(guī)模約3億美元。 消息還指出，英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進(jìn)行合作。 據(jù)悉，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而...  [詳內(nèi)文]

擬募212億元！今年最大IPO啟動(dòng)申購
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 24 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布《華虹半導(dǎo)體有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行公告》，表示其計(jì)劃在上海證券交易所上市，籌集至多212億元人民幣資金。 華虹半導(dǎo)體在向交易所提交的一份聲明中表示，將以每股52元的價(jià)格出售40775萬股。 華虹半導(dǎo)體稱，華虹半導(dǎo)體首次公開發(fā)行40775萬股...  [詳內(nèi)文]