今（18）日，蘇州鍇威特半導體股份有限公司（以下簡稱“鍇威特”）成功登陸上交所科創(chuàng)板，發(fā)行價格為40.83元/股，截至成文，股價為88.94元/股，總市值達65.53億元。
同花順
根據(jù)招股說明書，鍇威特本次擬登陸上交所科創(chuàng)板，擬公開發(fā)行股票數(shù)量不超過1,842.1053萬股（不含采用超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量），且不低于發(fā)行后總股本的25%。
鍇威特本次擬募集資金約5.3億元，用于智能功率半導體研發(fā)升級項目、SiC功率器件研發(fā)升級項目、功率半導體研發(fā)工程中心升級項目、補充營運資金。
鍇威特
其中，智能功率半導體研發(fā)升級項目主要涉及公司的主營產(chǎn)品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）等系列產(chǎn)品的技術升級、工藝制程優(yōu)化及部分新品類的研發(fā)及規(guī)?；慨a(chǎn)。
功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超結(jié)MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品；功率IC包括高壓高速柵極驅(qū)動IC、高功率密度電源管理IC產(chǎn)品。
該項目實施旨在繼續(xù)加強公司在功率半導體產(chǎn)品的技術積淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產(chǎn)品的領先優(yōu)勢，挖掘高性能智能功率半導體的發(fā)展?jié)摿?，打造全系列產(chǎn)品的技術創(chuàng)新平臺，致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。
SiC功率器件研發(fā)升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工藝優(yōu)化、器件升級及SiC功率模塊的規(guī)?；慨a(chǎn)。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。
與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
TrendForce集邦咨詢
鍇威特成立于2015年，專注于智能功率半導體器件與功率集成芯片。
鍇威特是上市公司甘化科工的參股公司。據(jù)甘化科工在2021年年報，鍇威特在2021年共實現(xiàn)營業(yè)收入2.10億元，同比2020年的1.32億增長了59.29%；凈利潤為4,356.17萬元，同比成功扭虧。
財務數(shù)據(jù)顯示，公司2019年、2020年、2021年營收分別為1.07億元、1.37億元、2.10億元;同期對應的歸母凈利潤分別為933.81萬元、-1966.86萬元、4847.72萬元。
2017年至今，鍇威特完成了多輪融資，投資方包括大唐電信、國經(jīng)資本、光榮資產(chǎn)、招商資本、邦盛資本、禾望電氣、悅豐金創(chuàng)、張家港金茂創(chuàng)投。
據(jù)介紹，公司產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及高可靠領域，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。
SiC方面，鍇威特自2018年下半年開始研發(fā)SiC功率器件，積極布局第三代半導體，掌握了“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術”等核心技術，形成了“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等發(fā)明專利儲備。
目前鍇威特SiC功率器件產(chǎn)品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD，目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四個電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列，SiC SBD已形成600V-1200V電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列。公司是國內(nèi)為數(shù)不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企業(yè)之一，產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。