5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。
本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設備、半導體材料、第三代半導體，為各領域的行業(yè)人士提供了交流技術以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。
據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體研究中心了解到，此次展會，天域半導體、瀚天天成、爍科晶體、普興電子、Aixtron、鎵未來、納設智能、能華微、聚能創(chuàng)芯&聚能晶源、百識電子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、漢驊半導體等業(yè)內(nèi)領先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進技術，面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領域。
天域半導體
此次展會現(xiàn)場，天域半導體重點展示了4/6英寸SiC外延片產(chǎn)品，及其子公司南方半導體的SiC功率器件/模塊產(chǎn)品。
天域半導體是全球SiC外延片的主要生產(chǎn)商之一，以先進的SiC外延生長技術為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。南方半導體則專注于半導體元器件及解決方案，涵蓋了功率半導體集成電路、晶體、芯片及檢測中心等眾多領域。
爍科晶體
作為國內(nèi)SiC襯底領先廠商，爍科晶體此次重磅展示了6/8英寸的導電N型和半絕緣型SiC襯底。
爍科晶體在國內(nèi)率先突破8英寸導電N型SiC單晶襯底制備工藝技術，并已實現(xiàn)小批量銷售。目前公司已通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝，導電N型和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。
普興電子
本次展會上，與爍科晶體同屬于中電科半導體材料旗下的普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。
普興電子致力于高性能Si/SiC半導體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是國內(nèi)最大的Si外延材料供應商之一。在SiC方面，普興電子正在規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸SiC外延產(chǎn)品的生產(chǎn)項目，助力我國在新能源汽車領域的發(fā)展。
鎵未來
鎵未來本次展出了最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應用方案。在眾多產(chǎn)品中，鎵未來特別展示了用于高效率高功率密度數(shù)據(jù)中心服務器電源解決方案的TOLL封裝GaN器件，TOLL封裝氮化鎵器件轉(zhuǎn)換效率高，助力能源利用的可持續(xù)發(fā)展。
在解決方案方面，其主要展示了65W、140W PD快充方案，200W小體積適配器方案，以及700W無橋圖騰柱高效率LED驅(qū)動電源方案。
瀚天天成
作為全球知名的SiC外延片生產(chǎn)商，瀚天天成在本次展會中主要展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。
瀚天天成當前已實現(xiàn)600V~3300V SiC功率器件車規(guī)級外延片的批量生產(chǎn)，全球用戶已超過140家。瀚天天成與廈門大學等單位產(chǎn)學研合作，成功實現(xiàn)基于國產(chǎn)襯底的8英寸SiC同質(zhì)外延生長。
AIXTRON
AIXTRON在本次展會上推出了G10-SiC 外延系統(tǒng)，大量被業(yè)內(nèi)頂級客戶用于6/8英寸SiC晶圓外延材料生長。
AIXTRON是半導體產(chǎn)業(yè)領先的沉積設備供應商，其產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)被廣泛的客戶用于生產(chǎn)基于化合物或有機半導體材料的電子和光電應用的高性能組件。
這些器件主要用于各種創(chuàng)新應用、技術和行業(yè)，例如LED和顯示技術、數(shù)據(jù)傳輸、傳感器技術、能源管理和轉(zhuǎn)換，通信，信號和照明技術以及許多其他要求苛刻的高科技應用。
納設智能
納設智能在展會上向觀眾介紹了自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延設備。
納設智能致力于SiC外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用推廣，公司自有SiC外延設備具有工藝指標優(yōu)異、耗材成本低、維護頻率低等特點，產(chǎn)品從一代機更新到二代機，穩(wěn)定性、可靠性大幅度的提升，目前二代機型已經(jīng)在批量生產(chǎn)與交付。
能華半導體
能華半導體本次展示了基于自身CoreGaN方案的產(chǎn)品布局。根據(jù)PD快充方案電路的特點，CoreGaN產(chǎn)品提高了閾值電壓，相比市場上已有的增強型器件有更優(yōu)的性能和可靠性。
能華半導體是一家專業(yè)設計、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業(yè)。該公司GaN產(chǎn)品線涵蓋外延片、功率場效應管、集成功率器件以及芯片代工等。公司產(chǎn)品技術參數(shù)在行業(yè)中處于領先地位，各類產(chǎn)品已實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，并擁有一批國內(nèi)外知名客戶。
恒普科技
恒普科技提供SiC相關的設備及材料解決方案，包括感應式/電阻加熱式長晶設備與6英寸外延設備。材料方面提供碳化鉭涂層服務以及多孔石墨等長晶耗材。
恒普科技本次在現(xiàn)場展示了多孔石墨，碳化鉭涂層，與實驗晶錠。
聚能創(chuàng)芯&聚能晶源
本次展會上，聚能創(chuàng)芯&聚能晶源聯(lián)合展示了8英寸硅基氮化鎵外延片、GaN功率器件及相應的GaN應用方案，為目前需求旺盛的GaN快充領域提供了高性能、高性價比的純國產(chǎn)GaN材料、器件與應用技術解決方案。
聚能創(chuàng)芯和聚能晶源為賽微電子旗下子公司，旨在聯(lián)合打造全球領先的從設計、外延，到芯片制造和器件應用的GaN功率器件IDM企業(yè)。
?？瓢雽w
本次展會上，?？瓢雽w展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進的測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內(nèi)標桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。
漢驊半導體
本次展會中，漢驊半導體推出了多系列硅基/藍寶石基GaN外延片方案，應用于功率電力電子、微波射頻與LED。
漢驊半導體致力于化合物半導體核心材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，其獨有的硅基/藍寶石基紅、綠、藍全色氮化鎵外延技術，可廣泛應用于新一代高端顯示領域，可在晶圓層實現(xiàn)硅基集成電路與III-V化合物半導體器件的高密度常溫混合集成。另外，硅基氮化鎵電力電子外延產(chǎn)品覆蓋了增強型外延和耗盡型外延全應用領域，適用于30伏至900伏。
百識電子
百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。
百識電子是在南京設立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團隊，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務。除了標準規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務及器件開發(fā)所需的關鍵制程。
森國科
森國科此次展示了650/1200V SiC二極管以及1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。
森國科主要從事功率器件、模塊，功率IC產(chǎn)品的研發(fā)，其功率器件產(chǎn)品主要包括碳化硅二極管、MOSFET，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。
合盛新材料
本次展會上，合盛新材料向觀眾介紹了6英寸SiC晶錠、襯底、外延片的解決方案，目前該公司正在寧波建設6英寸導電型SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。
平創(chuàng)半導體
平創(chuàng)半導體深耕電力電子半導體行業(yè)，本次攜多種功率器件產(chǎn)品亮相展會。SiC產(chǎn)品方面，主要展出了650V~1200V SiC二極管、MOSFET以及功率模塊，產(chǎn)品與技術已被廣泛應用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領域。
譽鴻錦
譽鴻錦本次展出了GaN材料外延、功率電子器件、光電器件等系列產(chǎn)品。
該公司業(yè)務涵蓋GaN材料外延到芯片模組的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)能力，主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。
宇騰電子
宇騰電子在本次展會上向觀眾介紹了GaN外延產(chǎn)品，該公司目前可提供6/8英寸硅基氮化鎵外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化鎵外延片、4/6英寸藍寶石基氮化鎵外延片等通用規(guī)格及客制化規(guī)格，公司在HEMT結構的外延技術可提供D-mode和E-mode兩種工藝，同時支持功率和射頻領域的應用。
晟光硅研
本次展會上，晟光硅研帶來了“微射流激光先進技術”最新應用成果，該技術已經(jīng)成功完成6英寸SiC晶錠的切割，可實現(xiàn)高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高良品率SiC單晶襯底制備，吸引業(yè)界所關注。
氮矽科技
氮矽科技向觀眾介紹了其獨特的GaN開關管、驅(qū)動芯片以及快充方案。
該公司擁有來自成都矽能科技和核心技術合作伙伴“電子科技大學功率集成技術實驗室”的全力支持，目前已推出多款合封氮化鎵產(chǎn)品即PIIPTMGaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數(shù)、占板面積小、布局靈活等特點，并且提供多種封裝，供客戶選擇。
英嘉通
英嘉通在本次展會上推出了GaN、SiC功率器件系列產(chǎn)品。
該公司著力于D-mode/Cascode GaN器件設計，目前已推出多款成熟的650V GaN功率產(chǎn)品，器件成本競爭優(yōu)勢明顯，技術種類齊備，已經(jīng)得到市場廣泛的認可，為不同的功率應用場景提供最簡單、經(jīng)濟、高效的解決方案。同時，其SiC SBD、MOSFET 全系列產(chǎn)品于2022年進入市場，全國產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)鏈以及自主可控的器件、工藝技術，大幅降低器件成本。
結語
除了以上廠商外，錸微半導體等第三代半導體廠商亦有相關產(chǎn)品展出等，同時有優(yōu)晶光電、頂立科技、嵐鯨光電、漢虹精密機械、中科漢達等廠商展示了SiC生長設備、輔助材料等產(chǎn)品。（文：集邦化合物半導體 Matt）
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