9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布，公司此前投資51億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的碳化硅半導(dǎo)體制造工廠已正式落成。
資料顯示，RIR是美國Silicon Power Group在印度的子公司，企業(yè)主要從事電力電子元件的生產(chǎn)。RIR的產(chǎn)品組合包括低功率至高功率器件和IGBT模塊，涵蓋工業(yè)、電力、鐵路、可再生能源和國防等領(lǐng)域。
據(jù)悉，2023年7月，Silicon Power Group宣布計(jì)劃投資100億盧比（折合人民幣約8.46億元）在印度奧里薩邦建立一個(gè)碳化硅工廠，該工廠將用于生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓。投資通過該集團(tuán)的印度子公司RIR進(jìn)行。
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2023年10月，RIR獲得奧里薩邦政府的批準(zhǔn)，投資51.08億印度盧比（約合4.32億人民幣），在奧里薩邦建設(shè)這座碳化硅器件制造和封裝工廠。工廠預(yù)計(jì)將于2025年全面投入運(yùn)營(yíng)。
值的一提的是，除了RIR，今年6月，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited宣布，計(jì)劃也在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。
6月15日，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長(zhǎng)的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比（折合人民幣約3800萬元）。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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