近期，GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項(xiàng)目建設(shè)、融資并購(gòu)、廠商合作等各類動(dòng)態(tài)讓人目不暇接，而在近日，英諾賽科、CGD兩家廠商接連發(fā)布了多款GaN新品，在一定程度上顯示了終端應(yīng)用需求正在持續(xù)增長(zhǎng)。
英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品
5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅(qū)動(dòng)器）、INS2001FQ（半橋驅(qū)動(dòng)器）和INS2001W（半橋驅(qū)動(dòng)器），可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽(yáng)能微逆、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
source：英諾賽科
其中，單通道GaN驅(qū)動(dòng)器INS1001DE與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護(hù)功能更多（欠壓/過壓/過溫保護(hù)）；100V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。
另?yè)?jù)英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產(chǎn)品針對(duì)消費(fèi)類電子領(lǐng)域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機(jī)、平板、筆記本快充應(yīng)用。
該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路，無損電流采樣，以及眾多保護(hù)功能；具備零反向恢復(fù)電荷，2MHz高開關(guān)頻率，高達(dá)80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。
CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
6月4日，據(jù)CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN?產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過驗(yàn)證的DFN封裝，堅(jiān)固可靠。
source：劍橋氮化鎵器件
其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，在設(shè)計(jì)上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計(jì)，有助于優(yōu)化PCB布局和簡(jiǎn)單并聯(lián)。
BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進(jìn)行通用布局，便于使用和評(píng)估。
CGD產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN?產(chǎn)品系列GaN功率IC適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，能夠帶來更高的功率密度和效率。
另?yè)?jù)CGD官微消息，5月30日，CGD與中國(guó)臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案方面加強(qiáng)合作。
據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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