5月28日，由保定高新區(qū)與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱世紀(jì)金光）共同出資設(shè)立的宇泉半導(dǎo)體（保定）有限公司（以下簡(jiǎn)稱宇泉半導(dǎo)體）在保定高新區(qū)大學(xué)科技園科創(chuàng)分園揭牌，標(biāo)志著宇泉半導(dǎo)體在保定高新區(qū)投資的SiC功率模塊項(xiàng)目正式投產(chǎn)。
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據(jù)保定晚報(bào)報(bào)道，宇泉半導(dǎo)體是保定高新區(qū)為引入世紀(jì)金光“年產(chǎn)165萬(wàn)只碳化硅功率模塊生產(chǎn)項(xiàng)目”，于去年11月設(shè)立的項(xiàng)目公司。該項(xiàng)目主要建設(shè)一條年產(chǎn)165萬(wàn)只SiC功率模塊生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資4.1億元，整體建設(shè)周期2.5年。該項(xiàng)目整體建設(shè)完成并達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年均產(chǎn)值7.5億元，申請(qǐng)國(guó)家專利不少于300項(xiàng)，開(kāi)發(fā)出100個(gè)功率模塊新產(chǎn)品。
據(jù)悉，宇泉半導(dǎo)體建設(shè)的功率模塊生產(chǎn)線采用節(jié)能環(huán)保國(guó)際先進(jìn)工藝，該工藝的突出特點(diǎn)是能耗低、無(wú)污染、產(chǎn)出高。目前，以生產(chǎn)SiC功率模塊為主，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天、軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電、工業(yè)控制、白色家電等領(lǐng)域。
作為宇泉半導(dǎo)體成立的出資方之一，成立于2010年12月的世紀(jì)金光是一家貫通SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)。其前身為中原半導(dǎo)體研究所，始建于1970年。
技術(shù)研發(fā)進(jìn)展方面，世紀(jì)金光已解決了高純SiC粉料提純技術(shù)、6英寸SiC單晶制備技術(shù)、高壓低導(dǎo)通電阻SiC SBD、MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等，已完成SiC功能材料生長(zhǎng)、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)和解決方案提供等領(lǐng)域的全面布局。
產(chǎn)品方面，世紀(jì)金光6英寸SiC單晶已量產(chǎn)；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SiC SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全SiC功率模塊等。
終端應(yīng)用方面，世紀(jì)金光SiC功率器件已經(jīng)應(yīng)用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領(lǐng)域；基于SiC技術(shù)的新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的技術(shù)開(kāi)發(fā)已經(jīng)獲得進(jìn)展。
此次SiC功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)，有助于世紀(jì)金光進(jìn)一步深化新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等領(lǐng)域布局。
除宇泉半導(dǎo)體SiC功率模塊項(xiàng)目外，5月以來(lái)還有多個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目取得積極進(jìn)展，包括湖南三安半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目二期、長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目、士蘭微8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線項(xiàng)目等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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