近日，飛锃半導體自主研發(fā)的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車規(guī)級SiC MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，并且通過了960V高壓H3TRB加嚴測試,使得飛锃半導體成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。
其中，飛锃半導體1200V車規(guī)級SiC MOSFET采用18V/20V柵極驅(qū)動電壓，650V車規(guī)級SiC MOSFET采用15V柵極驅(qū)動電壓。
資料顯示，飛锃半導體是中國第三代半導體供應(yīng)商，專注于SiC功率半導體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，已經(jīng)在新能源汽車、直流充電樁、光伏及儲能、智能家居等國內(nèi)頭部企業(yè)成功部署應(yīng)用，為他們提供優(yōu)化的SiC產(chǎn)品，為碳中和提供解決方案。
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據(jù)飛锃半導體介紹，這次飛锃半導體通過車規(guī)認證的SiC MOSFET器件最大耐壓等級為1200V，而AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗）考核標準中耐壓通常為100V。通過HV-H3TRB（高壓高溫高濕反偏試驗）考核，則需要將1200V耐壓器件的耐壓提高到960V。這意味著對于器件的設(shè)計、制造和封裝技術(shù)提出了更為苛刻的要求。飛锃半導體車規(guī)級SiC MOSFET通過HV-H3TRB可靠性驗證，表明功率器件在極端運行環(huán)境下仍然具備出色的耐受能力和使用壽命。
在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，飛锃半導體第二代車規(guī)級SiC MOSFET通過工藝優(yōu)化，降低了單位晶圓面積內(nèi)的導通電阻，優(yōu)化了開關(guān)性能。另外，還采用了開爾文Source封裝，避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路，提升了器件的開關(guān)速度、抗干擾能力。
飛锃半導體針對新能源汽車推出了6.6KW OBC、11KW OBC、2-3KW 車載DCDC等應(yīng)用方案。其中，適用于6.6KW OBC方案的產(chǎn)品型號包括ACM060F065QANC、ACM045F065QANC、ACM030F065QANC，適用于11KW OBC方案的產(chǎn)品型號包括ACM035P120QAN、ACM070P120QAN、ACM035P120HAN、ACM070P120HAN，適用于2-3KW 車載DCDC方案的產(chǎn)品型號包括ACM160P120QAN、ACM160P120HAN。
目前，飛锃半導體車規(guī)級SiC MOSFET已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn)，將逐步批量供貨。（集邦化合物半導體Zac整理）
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