9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。
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該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。
公開資料顯示，晶旭半導體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)，已取得多項技術(shù)創(chuàng)新。
據(jù)悉，晶旭半導體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。
今年2月2日，晶旭半導體與深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。
本次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導體實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目落成達產(chǎn)。
近期，氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲，在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時傳出新進展。
研發(fā)方面，7月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報道的最大尺寸。
產(chǎn)能方面，9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。（集邦化合物半導體Zac）
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