5月10日，比亞迪發(fā)布全新一代e平臺3.0 Evo及首搭車型海獅07EV。據(jù)悉，海獅07EV搭載的高效十二合一智能電驅(qū)系統(tǒng)，全系搭載1200V SiC電控，采用23000rpm轉(zhuǎn)速電機(jī)，其極速可達(dá)225km/h以上。
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在SiC模塊方面，e平臺3.0 Evo采用了疊層激光焊技術(shù)，取代傳統(tǒng)的螺栓連接工藝，采用疊層激光焊SiC功率模塊，雜散電感大幅降低75%，電控最高效率達(dá)99.86%，過流能力提高了10%，實(shí)現(xiàn)SiC功率模塊性能全面躍升。
基于上述SiC功率模塊，海獅07EV整車能量轉(zhuǎn)化效率更高，系統(tǒng)的綜合工況效率最高達(dá)92%，在日常城市駕駛工況下，出行效率提升7%，續(xù)航里程可提升50km。
據(jù)悉，比亞迪是國內(nèi)較早引入SiC功率器件的新能源汽車廠商。早在2020年，比亞迪·漢EV成為了國內(nèi)首款采用SiC的車型，同年比亞迪決定在2023年實(shí)現(xiàn)SiC對IGBT的全部替換。
近年來，為給其快速發(fā)展的新能源汽車業(yè)務(wù)提供功率器件產(chǎn)品支撐，比亞迪在SiC領(lǐng)域大力投資擴(kuò)產(chǎn)。2023年6月消息，深圳市生態(tài)環(huán)境局公布了關(guān)于《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書》受理公告。
公告顯示，比亞迪擬在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目，總投資約2.14億元，擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年，總產(chǎn)能達(dá)18000片/年。
在該SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目之前，比亞迪已投資2億元建設(shè)了一條SiC外延片生產(chǎn)線，年產(chǎn)量為12000片。該SiC外延片生產(chǎn)線已于2022年1月開始建設(shè)，設(shè)備已經(jīng)安裝完畢，但尚未正式投入運(yùn)營。
2023年11月28日，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。
值得一提的是，5月10日，比亞迪半導(dǎo)體取得一項(xiàng)“平面SiC MOSFET及其制造方法”專利，授權(quán)公告號CN112582461B，申請日期為2019年9月30日。
該專利摘要顯示，本公開涉及一種平面柵SiC MOSFET及其制造方法，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，能夠精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)短溝道。一種平面柵SiC MOSFET的制造方法，包括：在外延區(qū)上形成第一掩膜；刻蝕所述第一掩膜，形成第一注入窗口；通過所述第一注入窗口在所述外延區(qū)中形成阱區(qū)；對剩余的所述第一掩膜進(jìn)行刻蝕以增大所述第一注入窗口，得到第二注入窗口；通過所述第二注入窗口在所述阱區(qū)中形成淺溝道阱區(qū)，其中，所述淺溝道阱區(qū)的厚度被設(shè)置為能夠?qū)⑺鲒鍏^(qū)的橫向擴(kuò)展對溝道端點(diǎn)位置的影響降低到可忽略程度的厚度；以及在形成了所述淺溝道阱區(qū)的所述阱區(qū)中形成源極區(qū)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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