11月16日，北京普能微電子科技有限公司（以下簡稱北京普能微電子）正式發(fā)布氮化鎵（GaN）射頻功率放大器系列，包括GNQ6010、GNQ6030、GNC6010、GNC6030、GNC6050、GNC60100六款產(chǎn)品。
資料顯示，北京普能微電子主要從事高端射頻模擬半導(dǎo)體研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造，產(chǎn)品主要應(yīng)用于4G/5G宏基站、4G/5G小基站、室內(nèi)分布系統(tǒng)、無線物聯(lián)網(wǎng)IoT等市場。
據(jù)北京普能微電子介紹，該GaN系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)全部采用普能獨(dú)特電路設(shè)計(jì)方案，為客戶設(shè)計(jì)低成本塑封和高可靠性陶瓷封裝滿足不同市場需求，同時(shí)支持寬帶應(yīng)用覆蓋DC-6GHz主流應(yīng)用，可應(yīng)用于4G和5G移動(dòng)通信基站、專網(wǎng)通信、多天線相控陣、射頻電源、射頻能量等產(chǎn)品中。
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據(jù)了解，以碳化硅（SiC）、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子遷移率等特性，非常適合新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通訊、特高壓等應(yīng)用場景，近年來市場需求持續(xù)上漲。其中，GaN特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓大功率微波射頻器件，是下一代通信、雷達(dá)、制導(dǎo)等電子裝置向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環(huán)境（高溫抗輻照）方向發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。
北京普能微電子關(guān)于GaN在高頻場景的應(yīng)用研究在近期落地了多項(xiàng)成果。除本次發(fā)布GaN射頻功率放大器產(chǎn)品外，11月9日,北京普能微電子量產(chǎn)發(fā)布模數(shù)混合可編程智能射頻功放偏置精準(zhǔn)控制SoC芯片GBQ6600。
據(jù)介紹，該芯片可實(shí)現(xiàn)對GaN等射頻功放的偏置上下電順序進(jìn)行控制以及低電阻TDD快速開關(guān)切換，同時(shí)內(nèi)置簡單易用的溫度補(bǔ)償功能可以降低射頻工程師設(shè)計(jì)難度，無需編寫代碼即可完成功放產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
選擇大于努力，作為一家成立于2019年的初創(chuàng)企業(yè)，北京普能微電子涉足極具發(fā)展?jié)摿aN射頻器件領(lǐng)域，在推動(dòng)GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時(shí)，自身也獲得了良好開局。（化合物半導(dǎo)體市場Zac整理）
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