中文字幕在线一区,久久久这里有的精品10,日韩人妻无码一区二区三区久久99 http://www.mysupply-portal-apple.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門(mén)戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Thu, 12 Sep 2024 07:03:56 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 Soitec在歐洲啟動(dòng)Move2THz項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)基于InP的高頻半導(dǎo)體 http://www.mysupply-portal-apple.com/Company/newsdetail-69535.html Thu, 12 Sep 2024 07:03:56 +0000 http://www.mysupply-portal-apple.com/?p=69535 9月10日，據(jù)Soitec官網(wǎng)消息，由Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)基于磷化銦（InP）的下一代高頻半導(dǎo)體。

Soitec研發(fā)項(xiàng)目

source：Soitec

這項(xiàng)技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué)，用于6G移動(dòng)通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達(dá)傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。

據(jù)悉，磷化銦（InP）器件能夠在接近或超過(guò)1太赫茲（THz）的頻率下運(yùn)行，與硅基器件相比，提供了更快的速度和更高的能效。

Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟Move2THz由27個(gè)成員組成，旨在保障歐洲InP半導(dǎo)體的穩(wěn)健供應(yīng)和制造生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，并解決相關(guān)產(chǎn)品更廣泛應(yīng)用的障礙，包括InP基先進(jìn)襯底的成本和可用性。該項(xiàng)目為期三年，已經(jīng)獲得了歐盟的資金支持，以及來(lái)自法國(guó)、瑞士、德國(guó)、瑞典、荷蘭和比利時(shí)政府的補(bǔ)充投資。

Soitec秘書(shū)長(zhǎng)艾曼紐埃爾·貝利（Emmanuelle Bely）表示：“這個(gè)項(xiàng)目標(biāo)志著在整合越來(lái)越強(qiáng)大、能效更高的半導(dǎo)體技術(shù)方面的一個(gè)重要里程碑。我們正在一起為基于磷化銦的創(chuàng)新鋪平道路，這將改變6G通信、光子學(xué)和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域?！?/p>

公開(kāi)資料顯示，Soitec于1992年成立于法國(guó)，主營(yíng)半導(dǎo)體硅晶圓制造及銷售業(yè)務(wù)，是全球最大的優(yōu)化半導(dǎo)體硅片襯底供應(yīng)商。而硅片經(jīng)過(guò)冶煉、鑄造及切割之后，Soitec使用其獨(dú)有的切割技術(shù)，在兩層氧化硅之間插入絕緣層形成絕緣硅（SOI）晶圓，從而制造成射頻前端芯片、功率器件、汽車(chē)芯片、傳感芯片等產(chǎn)品。

目前，除了光子學(xué)，Soitec的業(yè)務(wù)布局還包括RF-GaN、SmartSiC?、Power-GaN等化合物半導(dǎo)體材料，其在法國(guó)伯寧的新工廠已于2023年10月落成，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），占地面積2500平方米，2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬(wàn)片，其中80%為SmartSiC晶圓。

此外，Soitec布局了Smart Cut?、Smart Stacking?等技術(shù)，其中，Smart Cut?技術(shù)能夠精準(zhǔn)切割碳化硅晶圓，提高碳化硅晶圓的良率和性能，并顯著增加產(chǎn)量。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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]]> Soitec新廠在法國(guó)落成，預(yù)計(jì)年產(chǎn)50萬(wàn)片SmartSiC晶圓 http://www.mysupply-portal-apple.com/Company/newsdetail-65637.html Sun, 08 Oct 2023 01:40:02 +0000 http://www.mysupply-portal-apple.com/?p=65637 法國(guó)創(chuàng)新半導(dǎo)體材料領(lǐng)先企業(yè)Soitec近日發(fā)表公告，其在法國(guó)格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。

此前2022年3月消息，Soitec宣布在法國(guó)伯寧總部建設(shè)Bernin 4新工廠，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。

根據(jù)法國(guó)媒體的報(bào)道，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），其中30%由法國(guó)和歐洲援助承擔(dān)。根據(jù)公告，該工廠占地面積2500平方米，2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬(wàn)片，其中80%專用于SmartSiC晶圓，20%生產(chǎn)300mm SOI晶圓。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

該公司表示，新工廠將專門(mén)生產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)所需要的SmartSiC襯底，Soitec開(kāi)發(fā)的SmartCut技術(shù)可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%，襯底的消耗量減少了十分之一。

具體而言，通過(guò)SmartSiC?技術(shù)的應(yīng)用，每個(gè)SiC襯底可以使用10次。因此，SmartSiC?使電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程超過(guò)500公里，而使用硅基IGBT的汽車(chē)平均續(xù)航里程為350公里，同時(shí)與單晶SiC襯底相比，晶圓制造過(guò)程中的二氧化碳排放量減少了70%。

Soitec 首席執(zhí)行官Pierre Barnabé 表示：“我們比以往任何時(shí)候都更愿意將SmartSiC技術(shù)建立為下一代電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體材料的新標(biāo)準(zhǔn)。該工廠將使我們能夠滿足對(duì)碳化硅不斷增長(zhǎng)的需求，并到2030年實(shí)現(xiàn)30%的市場(chǎng)份額，同時(shí)幫助提高電動(dòng)汽車(chē)的效率和降低價(jià)格?！?/p>

現(xiàn)階段，Bernin 4新工廠主要生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，計(jì)劃從2024年開(kāi)始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個(gè)測(cè)試樣品和資格認(rèn)證將在2個(gè)月內(nèi)開(kāi)始發(fā)貨，計(jì)劃于2024年春末開(kāi)始大批量交付。
（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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