基于這一規(guī)劃，6月15日，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長(zhǎng)的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比（折合人民幣約3900萬(wàn)元）。

source：拍信網(wǎng)

該項(xiàng)目將有助于印度在電動(dòng)汽車(chē)（EV）、快速充電器、綠色能源、光伏逆變器、電機(jī)控制、5G通信等先進(jìn)技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件方面實(shí)現(xiàn)自給自足。

值得一提的是，前不久，印度軟件公司Zoho也宣布將在本土建立8英寸SiC工廠，該公司目前已獲得Clas-SiC的技術(shù)支持。

此外，還有報(bào)道指出，總部位于美國(guó)的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics也正在向印度政府申請(qǐng)生產(chǎn)SiC許可證。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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