公開(kāi)資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。

6英寸SiC晶圓（source：日本礙子）

除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長(zhǎng)低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。

日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開(kāi)發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月，日本礙子表示，通過(guò)該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時(shí)生長(zhǎng)了9個(gè)晶體的實(shí)驗(yàn)。

除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵（GaN）方面也有布局。

早在2012年，日本礙子便在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下，在開(kāi)發(fā)出來(lái)的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn)。據(jù)介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長(zhǎng)法生產(chǎn)，整個(gè)晶圓表面的BPD密度大幅降低。

目前，日本礙子已開(kāi)發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。日本礙子現(xiàn)正開(kāi)發(fā)射頻器件和功率器件應(yīng)用，努力進(jìn)一步增大直徑并降低位錯(cuò)密度，旨在早日開(kāi)發(fā)出量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開(kāi)工利用率已達(dá)到20%，Wolfspeed表示，這是公司努力滿足對(duì)SiC功率器件日益增長(zhǎng)的需求的關(guān)鍵一步。

莫霍克谷SiC晶圓廠(source：Wolfspeed）

此外，Wolfspeed的Building 10 Materials工廠已實(shí)現(xiàn)其8英寸晶圓的生產(chǎn)目標(biāo)，預(yù)計(jì)到2024年底，莫霍克谷晶圓廠可借此將晶圓開(kāi)工利用率提升至約25%。后續(xù)，Wolfspeed計(jì)劃在8月份的2024財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上向市場(chǎng)更新其對(duì)莫霍克谷的下一個(gè)利用里程碑。

Wolfspeed指出，這座位于莫霍克谷的工廠是世界上第一個(gè)全自動(dòng)8英寸SiC工廠，與Wolfspeed市場(chǎng)領(lǐng)先的8英寸SiC材料生產(chǎn)相結(jié)合，鞏固了Wolfspeed作為目前唯一一家完全垂直整合的大規(guī)模8英寸SiC制造商的競(jìng)爭(zhēng)地位。

此外，Wolfspeed位于北卡羅來(lái)納州錫勒市的John Palmour制造中心（“JP”）建成后將成為世界上最大、最先進(jìn)的SiC材料工廠，在垂直施工開(kāi)始后不到一年的時(shí)間里，該中心已安裝并啟動(dòng)了初始熔爐。因此，該設(shè)施將按計(jì)劃在2024年8月初之前獲得晶體認(rèn)證。這一進(jìn)度增強(qiáng)了公司的信心，認(rèn)為其有能力在2025年夏季之前向莫霍克谷交付晶圓。

Wolfspeed還表示，其達(dá)勒姆6英寸器件工廠發(fā)生了一起設(shè)備事故，這導(dǎo)致在故障修復(fù)期間產(chǎn)能有所下降。目前生產(chǎn)已經(jīng)恢復(fù)，公司預(yù)計(jì)達(dá)勒姆6英寸器件工廠的產(chǎn)能利用率將在8月份恢復(fù)到先前的目標(biāo)水平。公司預(yù)計(jì)第四季度的收入不會(huì)受到影響，但由于生產(chǎn)中斷，預(yù)計(jì)第四季度會(huì)受到利用率不足的影響，并產(chǎn)生其他成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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source：英飛凌

英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開(kāi)始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來(lái)西亞政府1000億美元計(jì)劃的核心。

目前，SiC產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中，晶圓廠氣體的設(shè)計(jì)可適應(yīng)新型設(shè)備、產(chǎn)量和結(jié)構(gòu)要求。
報(bào)道稱，英飛凌和Wolfspeed將爭(zhēng)奪全球最大的8英寸SiC晶圓廠的頭銜，但雙方都沒(méi)有披露具體產(chǎn)能計(jì)劃。

而在不久前，意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞（Catania）投資50億歐元，建造全球首個(gè)綜合碳化硅晶圓工廠。該工廠以8英寸工藝為基礎(chǔ)，計(jì)劃于2026年開(kāi)始生產(chǎn)，并于2030年滿負(fù)荷運(yùn)行。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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source：優(yōu)睿譜

據(jù)介紹，優(yōu)睿譜本次推出的SICE200設(shè)備可兼容6&8英寸碳化硅&硅襯底和外延晶圓邊緣檢測(cè)，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測(cè)；可同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓360°檢測(cè)；擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光機(jī)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測(cè)速率……

除了SICE200，針對(duì)碳化硅，優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢測(cè)設(shè)備SICD200和晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200。SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測(cè)的整片晶圓全檢測(cè)，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測(cè)量，已得到多家客戶的訂單。

半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備是芯片生產(chǎn)的核心設(shè)備之一，貫穿整個(gè)芯片的生產(chǎn)過(guò)程，對(duì)保證芯片良率起著關(guān)鍵作用。

值得一提的是，同為半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備企業(yè)的蓋澤科技也于近日完成了新一輪融資。

天眼查顯示，在一年左右的時(shí)間里，蓋澤科技已完成3輪融資。

據(jù)悉，蓋澤科技已完成12英寸大尺寸晶圓的Online晶圓量測(cè)技術(shù)，覆蓋FTIR膜厚量測(cè)技術(shù)、元素濃度計(jì)量技術(shù)等，可應(yīng)用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等材料晶圓的量檢需求，目前已向多家央企、國(guó)企、上市晶圓公司等知名半導(dǎo)體企業(yè)交付，并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測(cè)中。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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公開(kāi)資料顯示，Clas-SiC于2017年6月成立，是一家致力于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造的開(kāi)放式晶圓代工廠。該公司提供加速工藝研發(fā)和器件快速上市服務(wù)，并支持工藝和器件開(kāi)發(fā)、取樣、直徑150 mm晶圓的中批量生產(chǎn)。

據(jù)外媒報(bào)道，Clas-SiC正在與幾家公司討論以技術(shù)合作伙伴的身份在印度建立一座或多座SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)了解，該提案中涉及金額為7億美元，Zoho的預(yù)算約為2億美元（折合人民幣約14.5億元），并希望州和印度當(dāng)局再提供5億美元或6億美元（折合人民幣約36.2億元~43.5億元）資助，以建造200mm晶圓廠。

Zoho Corp.的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Sridhar Vembu在近日參加活動(dòng)期間表示：“我們已經(jīng)申請(qǐng)了許可證，正在等待政府批準(zhǔn)。一旦獲得批準(zhǔn)，我們將發(fā)布正式公告。”

當(dāng)被問(wèn)及Clas-SiC將向Zoho提供制造工藝技術(shù)時(shí)，Clas-SiC首席財(cái)務(wù)官Scott Forrest表示：“我們正在與幾家公司討論在印度開(kāi)展SiC制造業(yè)務(wù)。但由于討論的機(jī)密性，無(wú)法確認(rèn)任何公司的名字?！?/p>

除了Clas-SiC，其他向印度政府申請(qǐng)生產(chǎn)SiC許可證的公司包括總部位于欽奈的Archean Chemical Industries的子公司SiCSem，以及總部位于美國(guó)的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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公開(kāi)資料顯示，SK Siltron CSS公司為SK Siltron集團(tuán)旗下?lián)碛蠸iC材料產(chǎn)能的子公司，其前身為美國(guó)杜邦公司的SiC晶圓部門，2020年被SK Siltron所收購(gòu)以支持該集團(tuán)的電動(dòng)汽車業(yè)務(wù)。

source：SK Siltron

據(jù)介紹，該項(xiàng)目在建設(shè)階段預(yù)計(jì)將創(chuàng)造多達(dá)200個(gè)建筑工作崗位，在位于密歇根州貝城的SK Siltron CSS工廠全面投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)該工廠將躋身全球前五大SiC晶圓制造商之列，從而提升美國(guó)制造業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)了解，SiC半導(dǎo)體器件專為高壓使用而設(shè)計(jì)，是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)（包括逆變器）和配電系統(tǒng)（如車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器）的關(guān)鍵部件。

自2021年以來(lái)，美國(guó)電動(dòng)汽車銷量增長(zhǎng)了4倍多，路上行駛的電動(dòng)汽車數(shù)量超過(guò)450萬(wàn)輛。電動(dòng)汽車含有的半導(dǎo)體數(shù)量大約是內(nèi)燃機(jī)汽車的2倍。由于電動(dòng)汽車市場(chǎng)預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年將大幅增長(zhǎng)，電車高壓架構(gòu)的采用將推動(dòng)全球?qū)iC半導(dǎo)體的需求 。該項(xiàng)目將有助于滿足電動(dòng)汽車日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并建立安全的技術(shù)供應(yīng)鏈。

與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比，SiC半導(dǎo)體具有更高的效率和電壓，這意味著充電時(shí)間更快，續(xù)航時(shí)間最多可延長(zhǎng)10%。然而，要最大限度地提高這些性能，就必須使用高質(zhì)量的SiC晶圓制造半導(dǎo)體。目前，高品質(zhì)晶圓供不應(yīng)求，而隨著2023年電動(dòng)汽車銷量的空前增長(zhǎng)，需求預(yù)計(jì)也將隨之上升。

如果LPO資助的項(xiàng)目順利完成，將幫助SK Siltron CSS利用其現(xiàn)有的2個(gè)位于密歇根的制造工廠來(lái)填補(bǔ)美國(guó)這一市場(chǎng)空白。擴(kuò)建后的貝城工廠將使用奧本開(kāi)發(fā)的技術(shù)來(lái)生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)美國(guó)政府為達(dá)成電動(dòng)汽車目標(biāo)所需的高質(zhì)量晶圓。

該貸款將通過(guò)LPO的先進(jìn)技術(shù)車輛制造 (ATVM) 貸款計(jì)劃提供，該計(jì)劃支持美國(guó)國(guó)內(nèi)先進(jìn)技術(shù)車輛、合格零部件和提高燃油經(jīng)濟(jì)性材料的制造。

雖然這一有條件的承諾表明該部門有意為該項(xiàng)目提供資金，但該公司必須滿足某些技術(shù)、法律、環(huán)境和財(cái)務(wù)條件，然后該部門才能簽訂最終的融資文件并為貸款提供資金。

值得一提的是，今年1月，英飛凌與SK Siltron CSS正式簽署了一項(xiàng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。下一階段，SK Siltron CSS將協(xié)助英飛凌向8英寸SiC晶圓過(guò)渡。

集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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據(jù)了解， Clas-SiC是英國(guó)唯一的商業(yè)電力SiC晶圓廠，也是全球第一家專門的6英寸SiC晶圓代工廠，能夠生產(chǎn)SiC功率二極管和MOSFET，具有中低規(guī)模的SiC產(chǎn)能。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

前不久，該公司發(fā)生了人事變動(dòng)，由Jen Walls接替Rae Hyndman 成為Clas-SiC新的首席執(zhí)行官。

公司執(zhí)行主席Carl Johnson表示：“我們相信Jen Walls和我們的高級(jí)管理團(tuán)隊(duì)將成功領(lǐng)導(dǎo) Clas-SiC進(jìn)入公司發(fā)展和演變的下一個(gè)階段?！睋?jù)媒體報(bào)道，Jen Walls決定擴(kuò)產(chǎn)可能與工廠的運(yùn)營(yíng)情況掛鉤——Clas-SiC 2024年70%的工廠產(chǎn)能已經(jīng)完成了分配。這種健康的訂單量在一定程度上讓高層管理認(rèn)為現(xiàn)在是擴(kuò)張的正確時(shí)機(jī)。

Jen Walls指出，除了尋求投資擴(kuò)產(chǎn)之外，他們正在開(kāi)發(fā)用于MOSFET的3.3 kV工藝設(shè)計(jì)套件，未來(lái)將持續(xù)專注于新工藝開(kāi)發(fā)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）

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報(bào)道稱，意法半導(dǎo)體為維持其競(jìng)爭(zhēng)力，擬自2024年起轉(zhuǎn)型升級(jí)至8英寸晶圓，并結(jié)合Soitec的SmartSiC技術(shù)，以提高效能，同時(shí)減少碳排放。同時(shí)，該公司積極提升產(chǎn)能、掌握內(nèi)部制造并與中國(guó)廠商三安光電合作，以期將SiC芯片相關(guān)營(yíng)收由今年預(yù)期的12億美元（約85億人民幣）在2030年前提升至50億美元（約356億人民幣）。

其中，意法半導(dǎo)體與三安光電強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手曾在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。今年6月7日，意法半導(dǎo)體和三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個(gè)新的8英寸SiC器件合資制造廠，投資總額預(yù)計(jì)達(dá)32億美元（約228億人民幣）。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

為了保障這項(xiàng)規(guī)模龐大的投資計(jì)劃順利實(shí)施，三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求，這有助于合作方意法半導(dǎo)體加速向8英寸進(jìn)軍。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，目前SiC產(chǎn)業(yè)以6英寸襯底為主，占據(jù)高達(dá)80%的市場(chǎng)份額，而8英寸襯底僅占1%，向更大的8英寸襯底過(guò)渡是進(jìn)一步降低SiC器件成本的關(guān)鍵策略。

8英寸SiC襯底比6英寸同類襯底具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，6英寸向8英寸升級(jí)是行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)爍科晶體、晶盛機(jī)電、南砂晶圓、同光股份、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)都在推進(jìn)8英寸SiC襯底的開(kāi)發(fā)，從占總生產(chǎn)成本45%左右的襯底上實(shí)現(xiàn)降本后，SiC器件有望進(jìn)一步推廣普及，反哺各大廠商，形成良性循環(huán)。

不僅僅是國(guó)內(nèi)廠商，國(guó)際半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon Technologies)、安森美（Onsemi）等也都在積極搶食市場(chǎng)大蛋糕。其中，英飛凌已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并計(jì)劃在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用，安森美、羅姆等國(guó)際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃。

目前，頭部廠商占據(jù)了超過(guò)90%的市場(chǎng)份額，競(jìng)爭(zhēng)激烈，一旦步伐放緩，就可能讓追趕者有可乘之機(jī)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導(dǎo)體主要廠商的市場(chǎng)份額占比TOP5分別是意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。

意法半導(dǎo)體此次在意大利投資建廠，不僅能夠平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布署，也有助于穩(wěn)固自身在SiC功率器件領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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由此可見(jiàn)，英飛凌SiC晶圓的尺寸升級(jí)和產(chǎn)能建設(shè)都在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，未來(lái)幾年，將實(shí)現(xiàn)較大進(jìn)展。

據(jù)Wawer介紹，在2001年，英飛凌比Cree早兩個(gè)月推出了首款SiC二極管。公司早期開(kāi)發(fā)是圍繞JFET進(jìn)行的，因?yàn)闁艠O氧化物可靠性問(wèn)題使公司認(rèn)為這是正確的出路。隨后SiC MOSFET面世，英飛凌在這方面起步較晚。

盡管Wawer認(rèn)為英飛凌在SiC MOSFET方面并非先行者，但在整個(gè)SiC賽道，英飛凌似乎進(jìn)展相當(dāng)迅速。SiC批量市場(chǎng)目前以1200V產(chǎn)品為主，但英飛凌目前已開(kāi)發(fā)3300V SiC部件。而且英飛凌對(duì)公司在2025財(cái)年的SiC營(yíng)收，將提前實(shí)現(xiàn)10億歐元的目標(biāo)充滿了信心。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

英飛凌的信心來(lái)源于多個(gè)方面，其中包括對(duì)SiC未來(lái)發(fā)展?jié)摿Φ母兄?、產(chǎn)能方面的大手筆擴(kuò)建、將多個(gè)領(lǐng)域頭部客戶收入囊中、對(duì)未來(lái)市場(chǎng)份額的樂(lè)觀預(yù)估。

SiC未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮笠殉蔀樾袠I(yè)共識(shí)。英飛凌預(yù)計(jì)在本十年內(nèi)，全球電網(wǎng)的年度投資將從3000億歐元增加到6000億歐元，而在這一領(lǐng)域，基于功率半導(dǎo)體的需求不斷增加，除IGBT外，現(xiàn)在客戶也在考慮SiC。同時(shí)，英飛凌還看到了火車牽引市場(chǎng)對(duì)SiC的需求，并正在向客戶提供第一個(gè)3.3kV模塊的樣品。

產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，有消息稱，英飛凌將建造世界上最大的8英寸SiC功率芯片廠。值得一提的是，該擴(kuò)建計(jì)劃得到了英飛凌客戶的大力支持，包括汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域約50億歐元訂單合同以及約10億歐元的預(yù)付款，其中汽車領(lǐng)域客戶包括福特、上汽和奇瑞，可再生能源領(lǐng)域客戶包括SolarEdge和中國(guó)三大光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)公司，這表明客戶對(duì)英飛凌穩(wěn)健發(fā)展的信心。此外，英飛凌和施耐德電氣還就產(chǎn)能預(yù)留達(dá)成一致。

英飛凌預(yù)計(jì)，對(duì)于制造的投入將支持該公司在2030年前實(shí)現(xiàn)約30%的SiC市場(chǎng)份額目標(biāo)。

SiC與IGBT相比具有非常多的優(yōu)勢(shì)，比如SiC開(kāi)關(guān)損失要比IGBT低得多。只不過(guò)，成本問(wèn)題在一定程度上制約了SiC的推廣普及，但隨著8英寸逐步量產(chǎn)，成本問(wèn)題會(huì)得到較好的緩解。正在向8英寸快速轉(zhuǎn)換的英飛凌，有望憑借降本增效占據(jù)更多市場(chǎng)份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱，電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購(gòu)Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過(guò)討論。

分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì)，同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好，Coherent在10月10日宣布將成立一家子公司獨(dú)立運(yùn)營(yíng)SiC業(yè)務(wù)，更好地滿足電動(dòng)汽車等下游市場(chǎng)對(duì)SiC的需求。

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與此同時(shí)，電裝、三菱電機(jī)已和Coherent簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，電裝和三菱電機(jī)分別投資5億美元，取得Coherent新成立的SiC子公司各12.5%的非控股所有權(quán)，剩余75%股權(quán)由Coherent持有。Coherent將為電裝和三菱電機(jī)兩家公司供應(yīng)6/8英寸SiC襯底和外延片。

從市場(chǎng)消息傳出，到電裝正式官宣向Silicon Carbide LLC注資，僅僅一個(gè)多月時(shí)間，也是源于電裝對(duì)SiC發(fā)展?jié)摿Φ男判模云诒M快完成提前鎖定關(guān)鍵產(chǎn)能的布局。在當(dāng)前SiC材料供不應(yīng)求的局面下，電裝戰(zhàn)略投資SiC材料供應(yīng)商，能夠?yàn)樽陨頎?zhēng)取更多的主動(dòng)權(quán)和話語(yǔ)權(quán)。

目前，SiC功率元件在汽車電動(dòng)化浪潮中已迎來(lái)黃金發(fā)展期，市場(chǎng)需求大爆發(fā)已在醞釀之中。

據(jù)TrendForce研究顯示，2022年全球SiC功率市場(chǎng)規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%。隨著越來(lái)越多車企開(kāi)始將SiC技術(shù)引入電驅(qū)系統(tǒng)，以提高汽車?yán)m(xù)航里程并優(yōu)化整車架構(gòu)，電動(dòng)汽車將成為推動(dòng)SiC功率元件市場(chǎng)成長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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