此次收購將補充安森美的Elite SiC功率產(chǎn)品組合，使公司能夠滿足人工智能數(shù)據(jù)中心電源單元中AC-DC階段對高能效和功率密度的需求。此外，此舉還將加快安森美在電動汽車電池斷路器和固態(tài)斷路器（SSCB）等新興市場的布局。

source：安森美

據(jù)介紹，SiC JFET擁有最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻，所用功率不到其他任何技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。這些優(yōu)勢共同加快了開發(fā)速度、降低了能耗與系統(tǒng)成本，為電源設(shè)計人員和數(shù)據(jù)中心運營商提供了巨大的價值。

安森美集團總裁兼電源解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Simon Keeton表示：“隨著AI工作負(fù)載變得越來越復(fù)雜且耗能，能夠提供高能效并處理高電壓的可靠SiC JFET的重要性將不斷增加。通過融合Qorvo的SiC JFET 技術(shù)，公司的智能電源產(chǎn)品組合可為客戶提供了另一種優(yōu)化能耗和提高功率密度的解決方案?！?br /> 安森美指出，本次收購預(yù)計將在5年內(nèi)使公司的市場機會擴大13億美元（折合人民幣約94億元）。

資料顯示，UnitedSiC是一家美國碳化硅功率半導(dǎo)體制造商，專注于開發(fā)和生產(chǎn)SiC FET和肖特基二極管器件。

2021年11月，Qorvo為擴大其在電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力，宣布收購UnitedSiC。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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據(jù)了解，Anokiwave專注于為國防和航空航天、衛(wèi)星通信和5G應(yīng)用的智能有源陣列天線提供高性能硅集成電路（IC）。

收購?fù)瓿珊螅珹nokiwave團隊將加入Qorvo的高性能模擬（HPA）部門，并將繼續(xù)為國防相控陣和AESA雷達、電子戰(zhàn)（EW）、衛(wèi)星通信和5G應(yīng)用開發(fā)波束成形器和IF-RF解決方案。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

Qorvo高性能模擬部門總裁Philip Chesley表示：“Anokiwave的高頻波束成形和中頻（IF）到RF轉(zhuǎn)換IC是對Qorvo RF前端產(chǎn)品組合的有力補充?！彼a充道：“我們獨特能力的結(jié)合將使我們能夠為國防、航空航天和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供高度集成且完整的解決方案和SiP?！?/p>

Anokiwave首席技術(shù)官、創(chuàng)始人兼董事長Nitin Jain表示：“Anokiwave創(chuàng)新性的有源天線IC產(chǎn)品組合，結(jié)合Qorvo的互補產(chǎn)品、全球規(guī)模和顯著的市場影響力，將創(chuàng)造令人興奮的新機遇，為客戶提供卓越的性能、效率和集成度。

文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯

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清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

近日，清純半導(dǎo)體正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型號：SG2MA35120B）及對應(yīng)SOT227封裝產(chǎn)品（型號：S1P04R120SSE），以滿足客戶在高性能、大功率應(yīng)用的需求。

圖1和圖2分別展示了該芯片單管SOT227封裝 (圖3）的輸出和擊穿特性曲線。在室溫下，該芯片電阻為3.5毫歐，擊穿電壓不低于1600V。本產(chǎn)品通過設(shè)計和工藝的改進，完成對芯片電流路徑上高溫分布電阻的優(yōu)化，特別是溝道電阻與N型區(qū)電阻的折中設(shè)計，實現(xiàn)了優(yōu)秀的電阻溫度系數(shù)。測試結(jié)果表明在175℃下芯片導(dǎo)通電阻僅為室溫下電阻的1.5倍。

source：清純半導(dǎo)體

隨著碳化硅（SiC）材料質(zhì)量和制造技術(shù)的不斷提升，大電流、低導(dǎo)通電阻SiC功率芯片得以實現(xiàn)，同時也將進一步簡化功率模塊封裝，加速SiC在新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用。本產(chǎn)品通過結(jié)構(gòu)、工藝的優(yōu)化設(shè)計，顯著降低了部分關(guān)鍵缺陷對性能的影響；同時采用了更低的比電阻設(shè)計技術(shù)，降低了同電阻下的芯片面積，從而使成品率降低趨勢得以控制，實現(xiàn)了大電流、低電阻芯片的量產(chǎn)。

另一方面，SiC MOSFET在大功率應(yīng)用中，容易受到各類干擾的影響而發(fā)生柵極的誤開啟，如上下管之間電容自充電引起的寄生開啟（Parasitic Turn-on），以及不同橋臂之間的串?dāng)_等。本產(chǎn)品通過對柵極微結(jié)構(gòu)布局的優(yōu)化，一方面提升了輸入電容Ciss與轉(zhuǎn)移電容Crss的比值，另一方面提高了閾值電壓，從而實現(xiàn)對串?dāng)_的抑制。

如圖4所示，產(chǎn)品在800V電壓下的Ciss/Crss的電容比達到580以上。圖5比較了器件閾值電壓和溫度的關(guān)系，在25℃下閾值電壓達到3.2V，175℃下閾值電壓高于2V。在應(yīng)用方面，該芯片兼容18V與15V驅(qū)動電壓，適應(yīng)不同驅(qū)動電路的開發(fā)需求，方便對IGBT在各種應(yīng)用的直接替代。

中國科學(xué)院電工研究所基于芯片產(chǎn)品SG2MA35120B完成了低雜感半橋模塊封裝，雙脈沖測試波形如圖6所示。中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇表示: “在中科院交叉團隊項目和國家重點研發(fā)計劃新能源汽車專項項目的支持下，該單顆芯片在環(huán)境溫度為150°C且母線電壓為800V時實現(xiàn)了350A的電流輸出能力。本芯片特別適用于大功率車用電驅(qū)系統(tǒng)，可有效抑制并聯(lián)大數(shù)量小電流芯片帶來的不均流、不均溫難題”。

Fig 6. 雙脈沖測試波形（source：清純半導(dǎo)體）

清純半導(dǎo)體始終堅持技術(shù)引領(lǐng)，推出的系列SiC產(chǎn)品以優(yōu)異的性能和高可靠性獲得了廣大用戶的一致認(rèn)可。目前，清純半導(dǎo)體已在750V、1200V、1700V、2000V等電壓平臺上完成數(shù)十種SiC器件的開發(fā)與量產(chǎn)，并布局了完善的產(chǎn)能保障體系和嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系，清純半導(dǎo)體將在中國SiC原創(chuàng)技術(shù)策源地和領(lǐng)先供應(yīng)商的道路上不斷取得新的突破。

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo近日發(fā)布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ 導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應(yīng)用。

source：Qorvo

據(jù)介紹，UJ4SC075009B7S 在25°C時的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實現(xiàn)自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的750V系列產(chǎn)品是對Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動汽車的應(yīng)用需求。

Qorvo電源產(chǎn)品線市場總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設(shè)計人員提供先進、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)?！?/p>

這些第四代SiC FET采用Qorvo獨特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢和硅基MOSFET簡單柵極驅(qū)動的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來了更低的傳導(dǎo)損耗。

來源：清純半導(dǎo)體、Qorvo

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Qorvo x 立訊精密：兩項交易

根據(jù)本次協(xié)議，立訊精密對Qorvo中國工廠的收購范圍覆蓋所有權(quán)、工廠、設(shè)備及現(xiàn)有的員工等運營據(jù)點和資產(chǎn)，目的是保證工廠運營的無縫銜接和持續(xù)性。而Qorvo在中國的銷售、工程及負(fù)責(zé)提供客戶支持的員工等都將維持現(xiàn)狀。

交易完成前，北京工廠和德州工廠仍將作為Qorvo全球制造網(wǎng)的一部分；交易完成后，Qorvo的組裝、封裝和測試網(wǎng)仍將包括美國工廠、哥斯達黎加工廠、德國工廠及外包全球半導(dǎo)體封裝測試合作伙伴。
在此基礎(chǔ)上，立訊精密與Qorvo簽訂長期供貨協(xié)議。立訊精密未來將為Qorvo提供封裝和測試服務(wù)，而北京廠和德州廠將主要為Qorvo高度集成的先進蜂窩產(chǎn)品提供支持。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

立訊精密有望深入蘋果供應(yīng)鏈

Qorvo是射頻RF領(lǐng)域的主要玩家之一，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動應(yīng)用、智能家庭、智能IoT、汽車、電動車、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、航空航天及國防等場景。該公司一直以來在手機射頻、微基站射頻放大器（PA）等領(lǐng)域擁有較強的市場地位。

據(jù)悉，為了布局中國射頻產(chǎn)業(yè)，Qorvo先后在北京和山東德州建設(shè)了工廠，其中，德州工廠規(guī)模是北京工廠的兩倍，主要業(yè)務(wù)是射頻器件的組裝、封裝與測試，產(chǎn)品包含RF開關(guān)、多路復(fù)用器、調(diào)諧器和放大器等多系列產(chǎn)品。按照彼時公開信息，德州工廠承擔(dān)75%Qorvo產(chǎn)品的封裝，85%-90%Qorvo產(chǎn)品的測試。

如今，Qorvo決定出售中國工廠，目的在于進一步降低資本密集度，助力公司推進長期毛利目標(biāo)，確保對中國客戶服務(wù)的持續(xù)性，此舉與當(dāng)前大環(huán)境的發(fā)展趨勢相符，Qorvo未來將通過與立訊精密合作的方式，同時達到持續(xù)布局中國市場和改善盈利能力的目標(biāo)。

從立訊精密的角度來看，Qorvo與其業(yè)務(wù)有所關(guān)聯(lián)的其中一個點在于終端客戶。眾所周知，Qorvo的主要客戶是消費電子巨頭品牌蘋果公司（Apple），而立訊精密多年來為蘋果公司提供代工服務(wù)，并持續(xù)深入蘋果公司的供應(yīng)鏈。

收購Qorvo中國工廠之后，立訊精密與蘋果公司之間合作的范圍和深度均有望進一步加深，對于立訊精密而言，此舉在很大程度上意味著營收來源和利潤增長點的增加。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

按公認(rèn)會計原則計算，Qorvo 2024財年第一季度的收入為6.51億美元，毛利率為35.2%；營業(yè)虧損為4800萬美元，每股虧損為0.44美元。按非公認(rèn)會計原則計算，毛利率為42.9%，營業(yè)收入為4700萬美元。

Qorvo首席財務(wù)官格蘭特 布朗表示：“Qorvo在收入、毛利率和每股收益方面超過了我們6月份季度指引的中點，同時還在繼續(xù)減少渠道庫存。該團隊執(zhí)行得非常好，與我們的供應(yīng)商和客戶密切合作，同時應(yīng)對具有挑戰(zhàn)性的宏觀環(huán)境。展望未來，我們預(yù)計2024財年收入將同比增長。”（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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下一季度，Qorvo預(yù)計其季度收入在6億美元到6.4億美元之間，非GAAP毛利率約為41%，非GAAP每股攤薄收益在0.1美元至0.15美元之間。

此外，Qorvo首席財務(wù)官Grant Brown預(yù)計下季度渠道庫存將繼續(xù)得以消耗。除持續(xù)調(diào)整供需外，我們預(yù)計公司業(yè)務(wù)出貨量將在今年晚些時候恢復(fù)，我們已經(jīng)在大型客戶計劃中獲得了收益，所有這些都將支持改善財務(wù)業(yè)績。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)披露，公司的戰(zhàn)略亮點如下（包括但不限于）：開始將高壓功率轉(zhuǎn)換PMIC與碳化硅功率開關(guān)相結(jié)合的采樣集成解決方案，以控制GaN RF高功率放大器，將總解決方案規(guī)模減少30%；擴展SHIP（最先進的異質(zhì)集成封裝）政府合同，開發(fā)將數(shù)字光學(xué)器件與Qorvo混合信號射頻相結(jié)合的多芯片模塊；為低軌道地球衛(wèi)星 LEO和其他航空航天應(yīng)用提供了包括高頻BAW和GaN PA在內(nèi)的多芯片解決方案；開始向一級歐洲基礎(chǔ)設(shè)施OEM交付首批集成PA模塊（PAM），用于5G大規(guī)模MIMO基站。

值得注意的是，2022年11月，Qorvo宣布與SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS敲定了一項SiC襯底和外延片多年供貨協(xié)議。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）

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