国产最新无码不卡在线视频,91香蕉视频黄色 http://mysupply-portal-apple.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報(bào)告。 Wed, 08 Jan 2025 08:55:50 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 青禾晶元總部落戶天津，擬2027年申報(bào)上市 http://mysupply-portal-apple.com/info/newsdetail-70543.html Wed, 08 Jan 2025 10:00:42 +0000 http://mysupply-portal-apple.com/?p=70543 1月7日，據(jù)津云消息，北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司近日遷址天津?yàn)I海高新區(qū)，更名為青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司，作為青禾晶元全國總部和上市主體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)青禾晶元相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，后續(xù)青禾晶元將進(jìn)一步加大在高新區(qū)投資布局，陸續(xù)建設(shè)鍵合設(shè)備二期擴(kuò)產(chǎn)線、大產(chǎn)能復(fù)合襯底材料產(chǎn)線等。

據(jù)悉，青禾晶元最新一輪融資已在2024年10月完成，融資規(guī)模超過4.5億元，主要投資方包括深創(chuàng)投新材料大基金、中金公司等，其計(jì)劃于2027年申報(bào)上市。

青禾晶元最新融資

技術(shù)方面，青禾晶元于2024年4月成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。據(jù)了解，SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導(dǎo)致成本無法有效降低。而先進(jìn)SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術(shù)一同推進(jìn)SiC材料成本的降低。

官網(wǎng)資料顯示，青禾晶元集團(tuán)成立于2020年7月，聚焦于新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)制造。青禾晶元集團(tuán)是晶圓異質(zhì)集成技術(shù)與方案的提供商，專注于面向第三代半導(dǎo)體、三維集成、先進(jìn)封裝、功率模塊集成等應(yīng)用領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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]]> 青禾晶元基于Emerald-SiC復(fù)合襯底研發(fā)出1200V MOSFET http://mysupply-portal-apple.com/Company/newsdetail-70444.html Mon, 23 Dec 2024 10:00:38 +0000 http://mysupply-portal-apple.com/?p=70444 12月20日，據(jù)青禾晶元官微消息，青禾晶元近日與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。

SiC MOSFET

source：青禾晶元

據(jù)了解，目前，可用于MOSFET制造的無缺陷襯底（即“高質(zhì)量”襯底）的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長和提純過程中產(chǎn)生的低等級襯底（即“低質(zhì)量”襯底）通常被作為陪片甚至廢料處理，導(dǎo)致高質(zhì)量SiC襯底的生產(chǎn)成本較高，通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。

為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復(fù)合襯底，通過表面活化鍵合技術(shù)和離子注入剝離技術(shù)，將高質(zhì)量SiC薄層鍵合轉(zhuǎn)移到低質(zhì)量單晶SiC襯底上，實(shí)現(xiàn)了低質(zhì)量單晶SiC襯底有效使用，每個高質(zhì)量SiC晶圓可重復(fù)使用超過30次（即每個高質(zhì)量晶圓可以產(chǎn)生超過30個薄層），預(yù)計(jì)成本降低40%。

據(jù)觀察，復(fù)合襯底已成為碳化硅乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大技術(shù)突破方向，已吸引部分廠商涉足，除青禾晶元外，達(dá)波科技近期也披露了碳化硅復(fù)合襯底相關(guān)進(jìn)展。

達(dá)波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復(fù)合襯底生產(chǎn)線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。

據(jù)悉，碳化硅基壓電復(fù)合襯底是一種由碳化硅和其他材料復(fù)合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。這種材料在多個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別是在電子、光電和機(jī)械行業(yè)中。

在電子行業(yè)，碳化硅基壓電復(fù)合襯底被廣泛應(yīng)用于制造高功率LED和功率器件，其優(yōu)異的導(dǎo)熱性能可以有效降低設(shè)備的溫度，提高設(shè)備的壽命和可靠性；在光電行業(yè)中，碳化硅基壓電復(fù)合襯底用于制造太陽能電池板和激光器，其高硬度和高熱導(dǎo)率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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]]> 青禾晶元獲超3億元融資，加速鍵合技術(shù)產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)步伐 http://mysupply-portal-apple.com/Company/newsdetail-68670.html Tue, 09 Jul 2024 09:02:24 +0000 http://mysupply-portal-apple.com/?p=68670 半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)企業(yè)北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司（下稱“青禾晶元”或“公司”）宣布完成最新一輪融資，融資金額超3億元。投資方包括深創(chuàng)投、遠(yuǎn)致星火、芯朋微，老股東正為資本、芯動能、天創(chuàng)資本繼續(xù)加持。

圖片來源：青禾晶元

該輪融資將被用于先進(jìn)鍵合設(shè)備及鍵合襯底產(chǎn)線建設(shè)。青禾晶元規(guī)劃繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，先進(jìn)鍵合設(shè)備年產(chǎn)能將擴(kuò)大至60臺（套），以滿足日益增長的客戶需求，新建40萬片8英寸SiC鍵合襯底產(chǎn)線，加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程，進(jìn)一步鞏固青禾晶元在國內(nèi)鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的引領(lǐng)地位。

據(jù)了解，青禾晶元作為全球少數(shù)掌握全套先進(jìn)半導(dǎo)體材料與異質(zhì)集成技術(shù)的半導(dǎo)體公司之一，致力于面向晶圓級材料異質(zhì)集成、先進(jìn)封裝、超精密加工等領(lǐng)域，提供前沿技術(shù)與解決方案。目前，公司已完成SiC、LTOI、LNOI等多種鍵合襯底材料以及高端晶圓鍵合設(shè)備的研發(fā)與量產(chǎn)。（來源：青禾晶元）

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