據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點，在SiC器件制造領域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，成功實現(xiàn)8英寸SiC晶錠剝離設備的量產(chǎn)。

據(jù)悉，激光隱形切割（Stealth Dicing，簡稱SD）是一種先用激光能量切割晶圓的內(nèi)部，再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力，使其斷裂，從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時，由于膠帶的拉伸，晶圓將會瞬間向上隆起，從而使芯片分離。相對傳統(tǒng)的激光切割法，SD的優(yōu)點包括：沒有硅碎屑；切口窄，可以獲得更多芯片；此外，使用SD方法剝落和裂紋現(xiàn)象也將減少，提高晶圓切割整體質(zhì)量。

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資料顯示，通用智能成立于2019年，致力于高端半導體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。2020年通用智能推出具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)的晶圓激光隱形切割設備，填補了國內(nèi)空白，打破了國際壟斷。該設備在關(guān)鍵性參數(shù)上處于國際先進水平，并已申報知識產(chǎn)權(quán)307件、發(fā)明專利56件、軟件著作權(quán)21件、外觀專利4件、實用新型226件。

融資方面，通用智能在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構(gòu)。

值得關(guān)注的是，近期，國內(nèi)SiC設備相關(guān)廠商迎來收獲期。高測股份近日在接受調(diào)研時表示，公司可兼容6英寸和8英寸SiC襯底切割需求的SiC金剛線切片機已簽訂超10臺訂單，截至目前，公司SiC切片機累計簽單已超40臺；與此同時，宇晶股份在接受調(diào)研時表示，公司SiC切割、研磨、拋光設備已實現(xiàn)批量生產(chǎn)和銷售；此外，宇環(huán)數(shù)控近日在投資者互動平臺表示，公司與客戶正在積極推進SiC設備的打樣和銷售進程。（集邦化合物半導體Zac整理）

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