消費(fèi)電子市場(chǎng)走向成熟，GaN初闖高功率市場(chǎng)受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，二者在擊穿電場(chǎng)、高溫性能、高功率處理能力以及化學(xué)穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開關(guān)頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應(yīng)用領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換、減少開關(guān)損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應(yīng)用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)應(yīng)消費(fèi)電子、無線通信、數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天、國防軍工等細(xì)分場(chǎng)景。其中，光電子是GaN最快普及的應(yīng)用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來是在近幾年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，并首先崛起于消費(fèi)電子快充應(yīng)用。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長至1.8億美金，年復(fù)合增長率約53%。其中，2022年的市場(chǎng)規(guī)模相比2021年大幅增長了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場(chǎng)，并開始向家電、智能手機(jī)等其他消費(fèi)場(chǎng)景拓展；與此同時(shí)，新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的迭代升級(jí)，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場(chǎng)延伸便順理成章。

然而，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，一方面，快充、適配器等消費(fèi)電子市場(chǎng)不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮??；另一方面，在汽車、數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)可靠性、成本等問題，多數(shù)GaN廠商處于產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證、送樣、項(xiàng)目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側(cè)面反映GaN打開高功率市場(chǎng)需更多的技術(shù)和時(shí)間沉淀。

GaN產(chǎn)業(yè)步入整合期，量到質(zhì)的改變開始顯現(xiàn)

為了突破高壓大功率市場(chǎng)，不少廠商開始嘗試新結(jié)構(gòu)、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時(shí)間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現(xiàn)的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來了資金的壓力，多方面承壓之下，退場(chǎng)者隨之出現(xiàn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，今年1-3月，美國垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產(chǎn)。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進(jìn)一步發(fā)展以及長遠(yuǎn)立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒有出現(xiàn)產(chǎn)能過?；驉盒詢r(jià)格戰(zhàn)等現(xiàn)象，但GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)顯然也進(jìn)入了一輪洗牌調(diào)整期。從并購、倒閉破產(chǎn)案可見，未來能夠馳騁GaN“沙場(chǎng)”的定是具備過硬綜合競爭力的廠商，這其實(shí)對(duì)于GaN產(chǎn)業(yè)而言利大于弊，因?yàn)閮?yōu)勢(shì)資源的不斷集中有利于推動(dòng)技術(shù)加快產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

在供應(yīng)鏈資源大整合之際，廠商的技術(shù)沉淀與項(xiàng)目開發(fā)進(jìn)展也到了一個(gè)新的階段，隨之而來的便是GaN技術(shù)逐步從量到質(zhì)的改變。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，經(jīng)過幾年的技術(shù)儲(chǔ)備，GaN相關(guān)廠商目前在消費(fèi)電子增量市場(chǎng)、電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)都取得了更多實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應(yīng)用為例，納微半導(dǎo)體（Navitas）2023年針對(duì)車載OBC及路邊充電樁場(chǎng)景引入新的GaNSafe技術(shù)（配合其SiC技術(shù)），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機(jī)（OBC）方案已有15個(gè)客戶項(xiàng)目在推進(jìn)至評(píng)審階段，其預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車領(lǐng)域?qū)⒃?025年底獲得首批由GaN技術(shù)帶來的收入。

在太陽能/儲(chǔ)能市場(chǎng)，納微此前已打入美國前五大太陽能設(shè)備制造商中三家的供應(yīng)鏈，截至今年第二季度，納微已有6個(gè)相關(guān)的客戶項(xiàng)目推進(jìn)至評(píng)審階段，預(yù)計(jì)將于明年在美國實(shí)現(xiàn)GaN基微型逆變器的量產(chǎn)。

國內(nèi)廠商中，鎵未來（GaNext）實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)GaN突破光伏微逆市場(chǎng)，其集成型Cascode 技術(shù)GaN功率器件設(shè)計(jì)已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設(shè)計(jì)公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)一款基于GaN技術(shù)的新一代微型逆變器。

汽車應(yīng)用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開關(guān)頻率（>100MHz）驅(qū)動(dòng)芯片，適用于高速汽車激光雷達(dá)系統(tǒng)；同時(shí)，該公司正在推進(jìn)多款100V集成驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，這些產(chǎn)品主要適用于車載無線充和DC-DC；鎵未來目前也正在推進(jìn)產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)認(rèn)證，同步與車廠展開相關(guān)項(xiàng)目研究；IDM廠商能華微則在推進(jìn)1200V產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)認(rèn)證······

AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等引燃，GaN“上大分”

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域也是近幾年GaN廠商重點(diǎn)耕耘的方向之一，從相關(guān)廠商的進(jìn)展可見，GaN在數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的應(yīng)用已經(jīng)邁出了一大步，而AI技術(shù)的興起為該市場(chǎng)再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數(shù)據(jù)中心對(duì)高速運(yùn)算和電力都有著龐大的需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)） Blackwell平臺(tái)將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺(tái)，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產(chǎn)品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機(jī)種，單顆GPU功耗可達(dá)1,000W以上。

面對(duì)高漲的功率需求，每個(gè)數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對(duì)于數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)來說挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術(shù)的結(jié)合，將成為提升AI 數(shù)據(jù)中心能效的關(guān)鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務(wù)器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，表明搶占該市場(chǎng)制高點(diǎn)的決心。

英飛凌AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預(yù)計(jì)將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運(yùn)營商的成本。

以GaN技術(shù)來看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓?fù)涮峁┏^99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務(wù)器電源供應(yīng)器，并于2023年推出第四代GaN平臺(tái)，效率超過鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結(jié)合后在GaN領(lǐng)域產(chǎn)生的效應(yīng)備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術(shù)以及納微專用設(shè)計(jì)中心已設(shè)計(jì)完成4.5kW CRPS，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎(chǔ)上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%。

納微AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過60個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在研發(fā)中，預(yù)計(jì)將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體進(jìn)一步了解，納微預(yù)計(jì)用于AI數(shù)據(jù)中心電源方案有望于年底實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

面對(duì)AI服務(wù)器興起創(chuàng)造的商機(jī)，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）、能華微、鎵未來、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商臺(tái)達(dá)（市占率近5成）就數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源達(dá)成合作，基于其GaN技術(shù)和C2000 MCU實(shí)時(shí)控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）?；陂L期的合作伙伴關(guān)系，雙方在AI服務(wù)器電源市場(chǎng)的合作成果將備受期待。

鎵未來已與知名院校達(dá)成合作，由其提供理論依據(jù)和技術(shù)支持，共同完成 3.5kW 無風(fēng)扇服務(wù)器電源的開發(fā),通過兩相交錯(cuò)圖騰柱 PFC及 LLC實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來指出，AI 服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器相比具有功率等級(jí)高且長時(shí)間滿載工作的特性，對(duì)于電源的轉(zhuǎn)換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓?fù)鋵⑹亲顑?yōu)選擇。

產(chǎn)品開發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會(huì)展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務(wù)器、機(jī)器人等在內(nèi)的各種實(shí)際應(yīng)用；氮矽科技多款相關(guān)產(chǎn)品已送樣國內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關(guān)的可靠性測(cè)試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務(wù)器電源廠，正在進(jìn)行可靠性評(píng)估。

人形機(jī)器人

事實(shí)上，不止AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，更多新興市場(chǎng)正在為GaN產(chǎn)業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)。

人形機(jī)器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構(gòu)成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達(dá)系統(tǒng)、電機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池BMS。其中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)扮演關(guān)鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機(jī)器人對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設(shè)計(jì)等方面提高人形機(jī)器人的整體性能，優(yōu)化整體設(shè)計(jì)。

據(jù)悉，西門子、安川電機(jī)、Elmo等已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了GaN技術(shù)，而GaN產(chǎn)業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動(dòng)GaN于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用。其中，Transphorm已為安川電機(jī)的新型伺服電機(jī)提供了GaN FET 產(chǎn)品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來的機(jī)器人定會(huì)超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)所需的電機(jī)也勢(shì)必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。

綜合當(dāng)前廠商頻繁的動(dòng)作來看，AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)無疑引燃了GaN市場(chǎng)，相關(guān)廠商多年的儲(chǔ)備和積累可望加快變現(xiàn)。譬如，英飛凌預(yù)估來自AI電源領(lǐng)域的營收將在2025財(cái)年實(shí)現(xiàn)同比翻番，同時(shí)將在2-3年內(nèi)突破10億歐元。

GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提速，誰將占據(jù)龍頭寶座？

短期而言，消費(fèi)電子市場(chǎng)仍將是功率GaN的主舞臺(tái)，并且，家電、智能手機(jī)等更多消費(fèi)電子應(yīng)用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長期而言，電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心等將成為GaN更重要的增長引擎。

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，長遠(yuǎn)來看，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要?jiǎng)恿碜噪妱?dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，受此驅(qū)動(dòng)，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)49%。其中，非消費(fèi)類應(yīng)用的比例預(yù)計(jì)將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見，電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用動(dòng)能強(qiáng)勁，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)未來可期，這也側(cè)面解釋了英特爾（Intel）、臺(tái)積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設(shè)備。

從區(qū)域市場(chǎng)層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國香港為例，該地在7月底啟動(dòng)了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術(shù)商麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合于7月底舉行了啟動(dòng)儀式，麻省光子技術(shù)預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元，帶動(dòng)當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

可以預(yù)見，未來會(huì)有更多玩家和資金涌入GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，而市場(chǎng)競爭也將逐步激烈化。然而，市場(chǎng)格局目前撲朔迷離，未來誰能占據(jù)龍頭寶座仍是未知數(shù)。

TrendForce集邦咨詢指出，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來看，F(xiàn)abless（無晶圓廠）公司在過去一段時(shí)間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場(chǎng)逐步打開，未來傳統(tǒng)IDM大廠的話語權(quán)有望顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。

當(dāng)前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設(shè)計(jì)廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費(fèi)電子應(yīng)用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據(jù)較大的市場(chǎng)份額，加上其努力推廣工業(yè)應(yīng)用，整體市占率位居前列。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年GaN功率半導(dǎo)體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、光伏逆變器等更高功率的應(yīng)用對(duì)廠商的集成整合能力以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢(shì)將逐步顯現(xiàn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，作為全球最大的功率半導(dǎo)體以及車用半導(dǎo)體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)有優(yōu)勢(shì)，技術(shù)創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢(shì)有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅(qū)動(dòng)技術(shù)的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢(shì)，筑高自身的競爭壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術(shù)專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場(chǎng)靈活性高，能夠以深厚的技術(shù)積累，適時(shí)調(diào)整產(chǎn)品線和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，快速響應(yīng)GaN市場(chǎng)新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實(shí)力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應(yīng)用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負(fù)未分。不過，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現(xiàn)出勇奪龍頭寶座之勢(shì)。未來，GaN功率半導(dǎo)體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場(chǎng)的打開逐步揭曉。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

對(duì)此，英諾賽科發(fā)表聲明稱，目前針對(duì)EPC的四項(xiàng)涉訴專利提起的IPR（Inter partes review）已經(jīng)被美國專利商標(biāo)局（簡稱“USPTO”）受理立案，進(jìn)入無效審查程序，在晚些時(shí)候預(yù)計(jì)會(huì)判定該四項(xiàng)專利無效，公司有信心在與EPC的爭議中贏得主動(dòng)。

四項(xiàng)專利均進(jìn)入無效審查階段

7月5日，英諾賽科在美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）的初裁中徹底駁回了宜普（EPC）公司基于其508專利的所有訴訟請(qǐng)求。根據(jù)判決裁定，英諾賽科對(duì)EPC的508專利（該專利涉及增強(qiáng)型GaN晶體管的形成方法）不存在侵權(quán)行為。這意味著EPC基于其508專利提出的訴訟主張已不攻自破。此次裁定不僅標(biāo)志著英諾賽科在與EPC的專利戰(zhàn)較量中取得了階段性勝利，也再次證明了公司在技術(shù)創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面的實(shí)力。

同時(shí)，在294專利紛爭中，英諾賽科表示EPC的294專利同樣是無效的，而討論對(duì)無效的專利權(quán)利要求是否存在侵權(quán)是沒有意義的。早前英諾賽科已發(fā)起了一項(xiàng)針對(duì)294專利的多方復(fù)審程序，以四個(gè)不同的理由質(zhì)疑294專利的所有權(quán)利要求，且英諾賽科主張對(duì)方專利無效的論點(diǎn)獲得美國專利商標(biāo)局法官的一致認(rèn)同。美國專利商標(biāo)局針對(duì)294專利的多方復(fù)審無效決定將于2025年3月發(fā)布，屆時(shí)，這場(chǎng)由EPC發(fā)起的歷時(shí)近兩年的專利爭議亦將落下帷幕。

據(jù)了解，早在2023年5月，EPC向ITC提起訴訟，指控英諾賽科侵犯了其面向氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的四項(xiàng)核心專利（專利號(hào)分別為294、508、347和335）。對(duì)此，英諾賽科向美國專利商標(biāo)局專利審判和上訴委員會(huì)遞交了上述EPC專利的無效申請(qǐng)。2024年3月，美國專利商標(biāo)局就EPC四件專利的無效做出立案決定，也意味著美國專利商標(biāo)局初步認(rèn)為這些專利是無效的。

目前，EPC已向ITC撤銷兩項(xiàng)專利主張（347和335），而508專利和294專利仍在接受美國專利商標(biāo)局的無效審查，美國專利商標(biāo)局認(rèn)為：“英諾賽科很有可能在其針對(duì)EPC專利的無效請(qǐng)求中獲得勝訴?！?/p>

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

坐擁約700項(xiàng)專利及專利申請(qǐng) 技術(shù)創(chuàng)新奠定行業(yè)領(lǐng)先地位

截至2023年12月31日，英諾賽科在全球匯聚了397名頂尖研發(fā)人才，有約700項(xiàng)專利及專利申請(qǐng)，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域，不僅率先實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)，也是全球唯一提供全電壓譜系氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成器件制造商（IDM），凸顯了其在技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)開拓方面的領(lǐng)先地位。

根據(jù)英諾賽科的招股說明書披露：2023年，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，英諾賽科在全球出貨量排名中穩(wěn)居第一，市占率高達(dá)42.4%；截至2023年12月31日，公司以折算氮化鎵分立器件計(jì)的累計(jì)出貨量已突破5億顆，確立了其在全球氮化鎵出貨量中的領(lǐng)先地位。

在財(cái)務(wù)表現(xiàn)上，英諾賽科的年度收入從2021年的6821.5萬元人民幣激增至2023年的5.9億元人民幣，實(shí)現(xiàn)了194.8%的驚人收入復(fù)合年增長率，這一數(shù)字不僅反映了公司在市場(chǎng)中的競爭力，也凸顯了其在氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力。（來源：證券時(shí)報(bào)）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

國內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會(huì)，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上，三安以“推動(dòng)低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source：PCIM

三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強(qiáng)大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級(jí)SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個(gè)規(guī)格型號(hào)的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會(huì)上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時(shí)也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來的進(jìn)步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性價(jià)比更高”。

source：英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車規(guī)級(jí)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應(yīng)用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source：PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會(huì)上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source：PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會(huì)上，派恩杰半導(dǎo)體帶來了最新車規(guī)級(jí)封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source：派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓?fù)?，SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體自主開發(fā)了車規(guī)級(jí)塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車能耗等級(jí)。

對(duì)于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè)，汽車，消費(fèi)電子等領(lǐng)域的功率器件。

source：PCIM

SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動(dòng)汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號(hào)，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓?fù)涞?SiC 功率模塊，主要針對(duì)于電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測(cè)試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級(jí)1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動(dòng)汽車的高功率、高密度設(shè)計(jì)。

07、中車時(shí)代半導(dǎo)體

中車時(shí)代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會(huì)。
據(jù)介紹，采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn)，可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運(yùn)行的需求，批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source：PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對(duì)E型GaN FET開關(guān)性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試的半橋評(píng)估板。

source：PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車規(guī)級(jí)模塊為800V新能源汽車平臺(tái)進(jìn)一步釋放了SiC高溫高速特性，實(shí)現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source：PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)以及動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測(cè)試的晶圓級(jí)動(dòng)態(tài)可靠性(WLR)測(cè)試系統(tǒng)及裸芯片KGD測(cè)試系統(tǒng)。

source：PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場(chǎng)，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。

source：利普思

12、安建科技

此次展會(huì)上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source：PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進(jìn)行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動(dòng)態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性。

source：賽晶科技

14、富樂華半導(dǎo)體

富樂華攜手富樂華歐洲團(tuán)隊(duì)、日本團(tuán)隊(duì)對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source：PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設(shè)備，主營芯片分選機(jī)、塑封自動(dòng)化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source：PCIM

16、飛仕得科技

本次展會(huì)飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動(dòng)解決方案、功率模組及測(cè)試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)解決方案、新一代SiC器件動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備等多款新品。

source：PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會(huì)，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關(guān)注。

source：悉智科技

國外企業(yè)

海外市場(chǎng)方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機(jī)、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相，看點(diǎn)頗多，部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動(dòng)汽車電氣化、電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)、可再生能源賦能到電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及公司最新的SiC技術(shù)。

source：PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動(dòng)汽車和電源應(yīng)用，旨在滿足各個(gè)行業(yè)的需求。

source：PCIM

SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平，最大限度地降低了開關(guān)損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面，ROHM展示了EcoGaN系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN 系列的10多塊電路板，并介紹它們?cè)诠I(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source：PCIM

寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴(kuò)展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案，以滿足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source：PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會(huì)上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。

source：PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe、Gen-4 GaNSense半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source：PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source：PCIM

25、IV Works

在此次展會(huì)上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source：PCIM

結(jié)語

本次PCIM上，能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場(chǎng)轉(zhuǎn)移至全球市場(chǎng)。對(duì)于國內(nèi)三代半廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場(chǎng)也更加從容。

隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動(dòng)作開展，競爭更加激烈的同時(shí)，行業(yè)會(huì)更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快，有助于推動(dòng)行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。（來源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

2023年?duì)I收增長335.2%

自2019年10月，OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性，在諸多應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)開疆拓土。

2023年，氮化鎵的發(fā)展逐漸進(jìn)入繁榮期。雖受限于技術(shù)水平，應(yīng)用領(lǐng)域仍以消費(fèi)電子為主，但其在電動(dòng)車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場(chǎng)的應(yīng)用也正穩(wěn)定發(fā)展，未來前景十分值得期待。

圖源：英諾賽科招股說明書

目前，氮化鎵正在從6英寸轉(zhuǎn)向8英寸，而英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域的“實(shí)力派”選手，一直備受矚目。

據(jù)悉，英諾賽科是國內(nèi)第一家氮化鎵IDM企業(yè)。招股說明書中，英諾賽科表示，公司是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。英諾賽科的產(chǎn)品包括分立器件（覆蓋15V至1,200V）、集成電路、晶圓及模塊，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等。

產(chǎn)能方面，截至2023年底，公司的產(chǎn)能達(dá)10,000片/月，同時(shí)良率高于95%，位居行業(yè)前列。

高產(chǎn)能、高良率的產(chǎn)品線是英諾賽科業(yè)績的基石。截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，英諾賽科累計(jì)出貨量超過5億顆，營業(yè)收入則從2021年的0.68億元增加99.7%至2022年的1.36億元，并進(jìn)一步增加335.2%至2023年的5.93億元。

英諾賽科還指出，2023年來自氮化鎵功率器件業(yè)務(wù)的營收為人民幣5.93億元，在全球所有氮化鎵功率器件公司中，公司排名首位，市場(chǎng)份額為33.7%。

本次申請(qǐng)港股上市，英諾賽科計(jì)劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項(xiàng)目：

1、50.0%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴(kuò)大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員。

2、17.0%用于償還銀行貸款；

3、15.0%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高終端市場(chǎng)（如消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；

4、8.0%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；

5、10.0%用于營運(yùn)資金及其他一般公司用途。

中國企業(yè)狂奔

目前，氮化鎵的主要?jiǎng)?chuàng)新主體仍以國際企業(yè)為主，并主要集中在歐美日，但中國的氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈也在持續(xù)完善。

技術(shù)方面，北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了增強(qiáng)型p型柵氮化鎵（GaN）晶體管，并首次在高達(dá)4500V工作電壓下實(shí)現(xiàn)低動(dòng)態(tài)電阻工作能力；

西安電子科技大學(xué)聯(lián)合致能科技于4月份展示了全球首片8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMTs）晶圓器件，通過調(diào)控外延工藝，其氮化鎵外延片不均勻性控制在4%以內(nèi)，所制備的HEMTs器件的cp測(cè)試良率超過95%，擊穿電壓突破了2000V。

項(xiàng)目方面，2024年1月份，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目正式竣工。項(xiàng)目預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸氮化鎵外延片12萬片，8英寸氮化鎵外延片12萬片；

中瓷電子子公司博威第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已建成并投入使用，項(xiàng)目主要產(chǎn)品為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年；

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目于4月18日開工建設(shè)。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。

從外延到功率器件的設(shè)計(jì)及制造，國內(nèi)企業(yè)持續(xù)提升研發(fā)及生產(chǎn)、制造能力。TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。而在這個(gè)市場(chǎng)，中國企業(yè)將不會(huì)缺席。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Winter）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅(qū)動(dòng)器）、INS2001FQ（半橋驅(qū)動(dòng)器）和INS2001W（半橋驅(qū)動(dòng)器），可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

source：英諾賽科

其中，單通道GaN驅(qū)動(dòng)器INS1001DE與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護(hù)功能更多（欠壓/過壓/過溫保護(hù)）；100V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。

另據(jù)英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產(chǎn)品針對(duì)消費(fèi)類電子領(lǐng)域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機(jī)、平板、筆記本快充應(yīng)用。

該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路，無損電流采樣，以及眾多保護(hù)功能；具備零反向恢復(fù)電荷，2MHz高開關(guān)頻率，高達(dá)80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

6月4日，據(jù)CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過驗(yàn)證的DFN封裝，堅(jiān)固可靠。

source：劍橋氮化鎵器件

其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，在設(shè)計(jì)上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計(jì)，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進(jìn)行通用布局，便于使用和評(píng)估。

CGD產(chǎn)品市場(chǎng)營銷經(jīng)理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，能夠帶來更高的功率密度和效率。

另據(jù)CGD官微消息，5月30日，CGD與中國臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案方面加強(qiáng)合作。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source：英諾賽科

據(jù)介紹，該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路、無損電流采樣以及眾多保護(hù)功能，還具備零反向恢復(fù)電荷、2MHz高開關(guān)頻率、高達(dá)80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

通過與市面上同規(guī)格的合封產(chǎn)品對(duì)比，ISG610xQA系列新品輸入供電電壓較高，靜態(tài)電流較低。ISG610xQA系列新品支持AC-DC/DC-DC/DC-AC電源應(yīng)用，可以適配PFC、QR反激、ACF、半橋、全橋拓?fù)?，有利于PD快充、電源適配器等終端應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能。

近期，英諾賽科還推出與FCQFN兼容引腳設(shè)計(jì)的Topside cooling封裝En-FCQFN GaN功率器件，包含4款Single GaN，均采用En-FCQFN 封裝，延續(xù)了低導(dǎo)阻、低柵極電荷、低開關(guān)損耗和極低的反向恢復(fù)電荷等特性，具有良好的效率表現(xiàn)。據(jù)介紹，相比FCQFN封裝，En-FCQFN 封裝在散熱性能上得到進(jìn)一步優(yōu)化，能夠幫助終端應(yīng)用解決系統(tǒng)溫升限制的困擾。

英諾賽科100V-150V GaN系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多種封裝類型產(chǎn)品，涵蓋不同的導(dǎo)通電阻和應(yīng)用領(lǐng)域。英諾賽科表示，近期新增的4款與FCQFN兼容引腳設(shè)計(jì)的Topside cooling En-FCQFN封裝芯片，以其不同的導(dǎo)通電阻及不同的封裝類型，拓展了更廣的功率場(chǎng)景，同時(shí)優(yōu)化散熱，能夠解決客戶系統(tǒng)過熱問題。（來源：英諾賽科，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

面對(duì)GaN在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場(chǎng)，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場(chǎng)景延伸。GaN的特殊價(jià)值，正在消費(fèi)電子之外的多個(gè)領(lǐng)域持續(xù)釋放。

GaN正在加速“上車”

在汽車電動(dòng)化與智能化趨勢(shì)下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，并可以使系統(tǒng)小型化、輕量化，有效降低電力電子零部件體積和重量，GaN由此在新能源汽車領(lǐng)域覓得發(fā)展良機(jī)。

隨著新能源汽車市場(chǎng)爆發(fā)，GaN已率先在車載激光雷達(dá)產(chǎn)品中落地應(yīng)用，并在車載充電器（OBC）、DC/DC轉(zhuǎn)換器等部件中有一定應(yīng)用潛力，未來可期。風(fēng)口下，整車廠商、零部件供應(yīng)商、GaN相關(guān)廠商等紛紛嘗試將GaN產(chǎn)品引入新能源汽車領(lǐng)域。

優(yōu)越的開關(guān)性能使得GaN更適合用于車載激光雷達(dá)，伴隨著激光雷達(dá)在量產(chǎn)新能源汽車中的應(yīng)用力度持續(xù)加大，GaN器件產(chǎn)品成為“香餑餑”。2023年，英諾賽科低壓車規(guī)級(jí)GaN產(chǎn)品已在頭部車企的車載激光雷達(dá)中得到應(yīng)用，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科還在2023年底推出100V車規(guī)級(jí)GaN器件新品，目前已通過AEC-Q101認(rèn)證，該產(chǎn)品同樣適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)。

圍繞新能源汽車車載充電器（OBC），GaN Systems在應(yīng)用電力電子會(huì)議 (APEC 2023) 上發(fā)表了11kW/800V氮化鎵車載充電器參考設(shè)計(jì)，與采用SiC產(chǎn)品相比，功率密度提高36%，整體物料清單 (BOM) 成本至少降低15%。此外，GaNPower也已開始布局GaN在OBC上的應(yīng)用研發(fā)，并且和汽車電子公司加拿大麥格納集團(tuán)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

高壓汽車應(yīng)用GaN解決方案供應(yīng)商VisIC公司則將目光瞄準(zhǔn)了電動(dòng)汽車逆變器，在2021年12月已開始和汽車動(dòng)力總成技術(shù)公司hofer powertrain共同開發(fā)用于800V汽車應(yīng)用的基于GaN的逆變器，而在2023年9月，VisIC又開始與化合物半導(dǎo)體材料供應(yīng)商IQE合作開發(fā)用于電動(dòng)汽車逆變器的高可靠性D型GaN功率產(chǎn)品。

值得一提的是，博世正在開發(fā)一種在歐洲生產(chǎn)的、用于汽車的1200V氮化鎵技術(shù)。在新能源汽車領(lǐng)域，GaN器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用，在中低端汽車市場(chǎng)發(fā)展空間較大。同時(shí)，GaN器件正在往高壓應(yīng)用上推進(jìn)研發(fā)，除博世研發(fā)車用1200V氮化鎵技術(shù)外，GaNPower已向業(yè)界展示過首款1200V單芯片（E型GaN功率器件）。

整體來看，氮化鎵在新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿Σ蝗菪∮U，正在加速置身于應(yīng)用大舞臺(tái)的聚光燈下。

GaN在光伏領(lǐng)域持續(xù)滲透

在光伏領(lǐng)域，GaN光伏逆變器可將功率密度提高5倍以上，應(yīng)用方面的突破性進(jìn)展使得GaN功率器件找到了又一個(gè)可以釋放價(jià)值的市場(chǎng)。

早在2022年11月，美國光伏企業(yè)Solarnative宣布，旗下微型光伏逆變器Power Stick搭載了由EPC提供的GaN器件，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最佳的功率效益——將功率密度提升了5倍。

GaN器件應(yīng)用對(duì)于光伏逆變器性能提升是顯著的，吸引了不少廠商的目光。聚焦將GaN引入光伏逆變器這一主題，相關(guān)廠商開啟了一系列動(dòng)作。

產(chǎn)品方面，英諾賽科在2023年7月開始將GaN應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，以期進(jìn)一步縮小模塊體積，提高系統(tǒng)效率。而在今年2月底的APEC 2024展會(huì)上，英諾賽科展出2KW微逆方案，搭配使用了150V GaN和650V GaN。相比傳統(tǒng)Si方案，2KW微逆體積減小約20%，功率器件損耗減小35%，不僅大幅提升系統(tǒng)性能，還能降低成本。

合作方面，2023年12月，EET公司選用了EPC的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺(tái)產(chǎn)品。英飛凌則在今年2月與Worksport達(dá)成合作，將在后者的便攜式發(fā)電站的轉(zhuǎn)換器中使用GaN功率器件。

通過導(dǎo)入GaN器件，EET和Worksport公司相關(guān)產(chǎn)品在效率、開關(guān)頻率等方面得到了顯著提升，同時(shí)大大降低了體積重量和系統(tǒng)成本。

越來越多的應(yīng)用案例表明，GaN有望成為光伏行業(yè)的“主力軍”之一。

GaN在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用進(jìn)展

服務(wù)器電源及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心較大一部分運(yùn)營成本，而GaN能夠提供卓越的性能和效率，使得數(shù)據(jù)中心減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，更加節(jié)能，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益，因而數(shù)據(jù)中心工程師越來越傾向于使用搭載GaN器件的電源模塊。

GaN在數(shù)據(jù)中心電源模塊的應(yīng)用方面，英諾賽科推出了搭載100V SolidGaN的1kW DCDC電源模塊和搭載650V GaN的2kW PSU方案，契合當(dāng)前AI、云計(jì)算對(duì)數(shù)據(jù)中心供電高效高功率密度的需求。

而納微半導(dǎo)體基于其最新高功率氮化鎵芯片GaNSafe?打造的CRPS185?3200W鈦金Plus效率服務(wù)器電源，以98W/inch3的超高功率密度和96.52%的極高峰值效率，成為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源產(chǎn)品新標(biāo)桿。

此外，CGD正在與群光電能科技和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 共同設(shè)計(jì)和開發(fā)使用GaN的先進(jìn)、高效、高功率密度數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。

GaN本身的開關(guān)損耗小，非常適合應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的電源模塊，并已落地相關(guān)案例，未來仍可能向電源之外的其他部件延伸應(yīng)用，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的前景可期。

總結(jié)

消費(fèi)電子是GaN器件已經(jīng)大規(guī)模出貨的市場(chǎng)，搭載GaN器件的PD充電器有望成為手機(jī)、筆記本充電器的主流產(chǎn)品，未來，GaN大概率將會(huì)滲透到更多類型的消費(fèi)電子產(chǎn)品當(dāng)中。

新能源汽車也是GaN應(yīng)用潛力較大的市場(chǎng)之一，GaN可以用到新能源汽車的牽引逆變器、電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)上的電源模塊等場(chǎng)景中，目前已有相關(guān)車規(guī)級(jí)GaN產(chǎn)品得到實(shí)際應(yīng)用，將朝著高壓、高功率密度、高可靠性等方向持續(xù)進(jìn)行技術(shù)優(yōu)化升級(jí)。

在光伏領(lǐng)域，目前已經(jīng)有部分微型逆變器產(chǎn)品導(dǎo)入了GaN器件，GaN器件的價(jià)值體現(xiàn)在促成光伏逆變器的小型化與輕量化、大幅降低成本等多個(gè)方面，有望推動(dòng)光伏逆變器向家用等場(chǎng)景不斷延伸。

隨著數(shù)據(jù)中心的算力和功率不斷攀升，能耗也越來越大，業(yè)內(nèi)致力于在同樣的體積下不斷提升功率密度，而GaN在提升功率密度方面有優(yōu)勢(shì)，同時(shí)，保證了在各種負(fù)載狀態(tài)的高效率，因此，越來越多的數(shù)據(jù)中心廠商開始導(dǎo)入采用GaN器件的電源模塊。此外，GaN也可用于數(shù)據(jù)中心的高速通信模塊，提供更快速、穩(wěn)定和可靠的數(shù)據(jù)傳輸。GaN在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用潛力充分釋放后，GaN廠商有望獲得又一增量市場(chǎng)。

目前看來，GaN應(yīng)用場(chǎng)景大多集中在650V以下的中低壓功率器件范圍，隨著技術(shù)水平持續(xù)提升以及成本不斷優(yōu)化，GaN有能力沖擊高壓范圍。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。預(yù)計(jì)至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

消息還指出，英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進(jìn)行合作。

據(jù)悉，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而在過去的2023年里，英諾賽科可謂碩果累累。

產(chǎn)品及技術(shù)方面，2023年英諾賽科基于8英寸硅基氮化鎵的研發(fā)平臺(tái)，不斷更新迭代，共推出了46款新產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋從消費(fèi)家電到數(shù)據(jù)中心、光伏與儲(chǔ)能，再到汽車電子，不斷為終端應(yīng)用注入新能量。

其中，車規(guī)級(jí)產(chǎn)品INN100W135A-Q已通過AEC-Q101認(rèn)證。據(jù)悉，該產(chǎn)品適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、高功率密度DC-DC變換器和D類音頻等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

此外，2023年11月，英諾賽科全球研發(fā)中心正式啟用，研發(fā)中心將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地，同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。

市場(chǎng)開拓方面，英諾賽科的產(chǎn)品已在消費(fèi)類（快充、手機(jī)、LED）、汽車激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域的多個(gè)應(yīng)用中大批量交付。2024年2月23日，英諾賽科官方表示，公司于2023年累計(jì)出貨量超5億顆，目前市占率達(dá)30%以上，位居全球第一。

產(chǎn)能方面，英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，現(xiàn)擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，產(chǎn)能達(dá)到每月15000片，并將在未來逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。英諾賽科表示，公司是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

硅基GaN芯片累計(jì)出貨量超5億顆

從出貨量來看，英諾賽科截至2023年8月出貨量已累計(jì)突破3億顆，結(jié)合全年總出貨量可見下半年業(yè)務(wù)拓展保持積極向上的態(tài)勢(shì)。目前，英諾賽科尚未透露業(yè)績相關(guān)數(shù)據(jù)，按照上半年銷售額增長500%的趨勢(shì)來看，全年銷售額值得期待。

從新品開發(fā)成果來看，英諾賽科2023年高壓和低壓維度均有新的突破。例如，高壓GaN推出了700V產(chǎn)品；針對(duì)服務(wù)器、光伏等高功率市場(chǎng)推出了650V 30mΩ/ 50mΩ/ 70mΩ 產(chǎn)品；還新增了TO252高壓GaN封裝，為拓展更多應(yīng)用場(chǎng)景做準(zhǔn)備。低壓產(chǎn)品則發(fā)布了100V VGaN-INV100FQ030A，支持48V BMS應(yīng)用。另外，合封芯片SolidGaN系列成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，主要集成了100V ISG3201和700V ISG610X。

另值得關(guān)注的是，英諾賽科2021年量產(chǎn)了自研雙向?qū)╒GaN產(chǎn)品并導(dǎo)入OPPO手機(jī)，成為當(dāng)時(shí)全球首款導(dǎo)入智能手機(jī)內(nèi)部電源開關(guān)領(lǐng)域的GaN芯片。目前，除了OPPO之外，Vivo、聯(lián)想、一加、Realme、摩托羅拉等智能手機(jī)內(nèi)部電源管理均采用VGaN實(shí)現(xiàn)充電保護(hù)。

2024年2月12日消息顯示，英諾賽科VGaN產(chǎn)品線新增了一款100V GaN芯片。該產(chǎn)品適配48V/60V電池管理系統(tǒng)、雙向轉(zhuǎn)換器中的高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)以及電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路。據(jù)英諾賽科介紹，1顆100V VGaN芯片可替代2顆相連的Si MOSFET，幫助電池管理系統(tǒng)尺寸縮小33%，目前該產(chǎn)品已量產(chǎn)。

新品新技術(shù)的研發(fā)是英諾賽科提升綜合競爭力的關(guān)鍵發(fā)力點(diǎn)，2023年11月，其正式在蘇州啟用了全球研發(fā)中心，該研發(fā)中心目標(biāo)是成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地，同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，可以預(yù)見，未來將有更多新技術(shù)新品在此誕生、量產(chǎn)。

按照英諾賽科披露，目前公司市占率達(dá)30%以上，位居全球第一。

GaN市場(chǎng)格局已變，新年能否有新氣象？

目前，英諾賽科、納微等GaN主要玩家2023年的業(yè)績均尚未披露，已經(jīng)披露的廠商中，Power Integrations（PI）2023年實(shí)現(xiàn)凈營收4.445億美元（約合人民幣近32億元），同比下降31.7%。
從市占率來看，根據(jù)TrendForce集邦咨詢 《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，以GaN功率元件業(yè)務(wù)營收來觀察，2022年P(guān)I排名第一，其他依次是納微、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm等。

不過，自2023年開始，市場(chǎng)競爭格局已經(jīng)開始發(fā)生變化，全球十大廠商的市場(chǎng)份額也將相應(yīng)發(fā)生改變。以英諾賽科為例，若根據(jù)其披露的數(shù)據(jù)來看，該公司的市占率將躍居全球第一。而GaN Systems已經(jīng)并入Infineon，雙方在2022年合計(jì)市占率約為15%。2023年市占率有機(jī)會(huì)擴(kuò)大。Transphorm也已經(jīng)被瑞薩收購，未來發(fā)展情況有待繼續(xù)觀察。

總的來說，從競爭格局來看，經(jīng)過部分廠商的整合、業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)的改變等，2024年GaN市場(chǎng)有望出現(xiàn)新的氣象。從長期的市場(chǎng)行情來看，雖然消費(fèi)電子仍然是GaN領(lǐng)域的主要增長引擎，但2023年以來，GaN技術(shù)已經(jīng)進(jìn)一步切入了光儲(chǔ)充、車載激光雷達(dá)等更高功率的應(yīng)用市場(chǎng)，預(yù)計(jì)在2025年前后有望小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，換句話來說，新機(jī)遇正在醞釀中。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用，未來將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地，同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。

誠如英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司董事長駱薇薇所言，這并不是一棟普通的大樓，因?yàn)檫@棟研發(fā)大樓將承載多項(xiàng)GaN關(guān)鍵技術(shù)研究，大概率將成為國內(nèi)GaN材料和器件重要研發(fā)基地之一。

啟用儀式現(xiàn)場(chǎng)，英諾賽科還舉行了“8英寸硅基GaN芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目第二階段產(chǎn)能擴(kuò)展”項(xiàng)目（即三期銀團(tuán)）貸款簽約儀式，該項(xiàng)目融資貸款金額最高達(dá)13億元。

比起新研發(fā)中心的啟用，或許業(yè)內(nèi)人士更關(guān)注英諾賽科這筆貸款簽約，因?yàn)檫@關(guān)系到英諾賽科未來多年的擴(kuò)張計(jì)劃。

技術(shù)與產(chǎn)能雙雙騰飛

自2015年12月成立以來，英諾賽科不斷加快擴(kuò)張的腳步，出貨量屢屢創(chuàng)下新記錄。

公開數(shù)據(jù)顯示，截至2023年Q1，英諾賽科GaN芯片累計(jì)出貨量突破1.5億顆；截至今年8月，英諾賽科8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆；而到目前為止，英諾賽科累計(jì)出貨量已高達(dá)4億顆。出貨量一路走高的背后，是英諾賽科不斷攀升的產(chǎn)能，英諾賽科擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基GaN晶圓生產(chǎn)基地，當(dāng)前產(chǎn)能達(dá)15000片/月。

英諾賽科直言已做到GaN器件累積出貨數(shù)量、市場(chǎng)份額、量產(chǎn)交付能力等多項(xiàng)全球第一，與此同時(shí)，其正在持續(xù)拓展業(yè)務(wù)邊界和GaN應(yīng)用領(lǐng)域。

英諾賽科GaN業(yè)務(wù)始于消費(fèi)電子，戰(zhàn)果頗豐，目前已與包括OPPO、vivo、聯(lián)想、中興、榮耀等在內(nèi)的一線消費(fèi)電子品牌達(dá)成合作。在快充領(lǐng)域，頭部客戶基本已采用英諾賽科產(chǎn)品，拿下眾多頭部客戶，意味著英諾賽科已經(jīng)在業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟。

英諾賽科曾多次在對(duì)外報(bào)告中表示，電動(dòng)汽車、光伏及儲(chǔ)能等應(yīng)用將支撐GaN呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長，基于這一預(yù)判，英諾賽科致力于深入研究和推動(dòng)GaN在更多領(lǐng)域的應(yīng)用和普及。

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，英諾賽科針對(duì)電動(dòng)汽車市場(chǎng)開發(fā)的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品已經(jīng)獲得激光雷達(dá)客戶采用。

在光伏領(lǐng)域，英諾賽科研發(fā)出基于直流架構(gòu)的光儲(chǔ)系統(tǒng)，在轉(zhuǎn)化環(huán)節(jié)使用GaN將效率提升5%，同時(shí)在尺寸上減小30%，這樣更利于系統(tǒng)集成。其中的150V產(chǎn)品是英諾賽科的明星產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的硅Mos相比，它具有導(dǎo)通損耗低、開關(guān)損耗低、無反向恢復(fù)損耗等優(yōu)點(diǎn)。

此外，相比于業(yè)界6英寸平臺(tái)，英諾賽科基于8英寸硅基GaN平臺(tái)的單片晶圓器件可以增加80%，這就意味著公司在單顆產(chǎn)品上，成本具備30%的優(yōu)勢(shì)，降本增效同樣有助于英諾賽科提升產(chǎn)品競爭力。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

不斷夯實(shí)研發(fā)與產(chǎn)能根基

盡管英諾賽科已經(jīng)確立了自身在GaN行業(yè)的地位，但在各大頭部廠商競爭日趨激烈的情況下，唯有不斷提升本公司技術(shù)壁壘，才有更大可能立于不敗之地，這也是英諾賽科全球研發(fā)中心啟用的價(jià)值。

該研究中心無論是開展大尺寸硅襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力控制規(guī)律與雜質(zhì)缺陷研究，還是開展8英寸硅襯底上GaN基功率電子器件的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備工藝及封裝技術(shù)的研究，都是在夯實(shí)英諾賽科賴以發(fā)展壯大的技術(shù)基礎(chǔ)。

今年以來，英諾賽科GaN業(yè)務(wù)持續(xù)向新能源汽車、光伏等高功率市場(chǎng)延伸，也是順應(yīng)行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)。在低碳、綠色潮流推動(dòng)下，GaN市場(chǎng)需求將呈現(xiàn)逐年增長的態(tài)勢(shì)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。

GaN市場(chǎng)需求增勢(shì)固然能夠讓廠商受益，卻也對(duì)產(chǎn)能提出了更高要求。企業(yè)可以從兩方面積極應(yīng)對(duì)，一是加速GaN器件技術(shù)迭代，二是擴(kuò)充產(chǎn)能。

目前看來，英諾賽科全球研發(fā)中心將開展的硅襯底上GaN基功率電子器件的可靠性提升技術(shù)及功率集成技術(shù)研究，或許正是從性能方面助力GaN往高壓高功率方向布局。

研發(fā)先進(jìn)技術(shù)的同時(shí)，產(chǎn)能建設(shè)亦不容忽視，競爭對(duì)手們近年來紛紛大手筆投資擴(kuò)產(chǎn)，英諾賽科也不甘落后，這13億元貸款將在一定程度上保障英諾賽科在未來數(shù)年的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃。

小結(jié)

全球研發(fā)中心的全新啟用，是英諾賽科技術(shù)升級(jí)之路的一塊里程碑，未來預(yù)期將有更多先進(jìn)的技術(shù)誕生于此，從而助推整個(gè)GaN產(chǎn)業(yè)步入黃金時(shí)期。而以本次貸款為起點(diǎn)，英諾賽科將開啟新一輪產(chǎn)能建設(shè)周期，進(jìn)而有望促進(jìn)國內(nèi)GaN行業(yè)更加蓬勃發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）