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2023年，羅姆采用臺積電650V耐壓氮化鎵HEMT工藝，推出了屬于羅姆EcoGaN系列的新產(chǎn)品，目前新產(chǎn)品已被用于包括Delta Electronics,Inc.旗下品牌Innergie的45W AC適配器“C4 Duo”在內(nèi)的消費電子和工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。

據(jù)介紹，臺積電看好未來氮化鎵功率器件在電動汽車（EV）的車載充電器和逆變器等車載應(yīng)用中的環(huán)境效益，正在加強自身的氮化鎵技術(shù)實力。

值得一提的是，圍繞氮化鎵車用場景，氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術(shù)公司AVL（在汽車行業(yè)以及鐵路、海洋和能源等領(lǐng)域提供開發(fā)、仿真和測試服務(wù)）近日達成合作，共同研發(fā)電動汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術(shù)。

在目前十分火熱的新能源汽車市場，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車的各個部分，特別是在車載充電機（OBC）和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應(yīng)用于新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等部件時，可在節(jié)能70%的同時使充電效率達到98%，增加5%續(xù)航。

TrendForce集邦咨詢預(yù)計，至2025年左右，氮化鎵將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中。再遠到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)移入到牽引逆變器。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)報道，羅姆將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強和臺積電合作，擬通過水平分工、對抗海外競爭對手。在近日舉行的“第85屆應(yīng)用物理學(xué)會秋季學(xué)術(shù)講座”上，羅姆宣布將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

報道指出，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運用于廣泛用途的650V耐壓產(chǎn)品，通過活用外部資源，因應(yīng)急增的需求，擴大事業(yè)規(guī)模。報道稱，羅姆此前應(yīng)該就已委托臺積電代工，只不過羅姆本身未曾對外公開過。

近期，羅姆頻頻通過合作強化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

今年8月22日，據(jù)賽米控丹佛斯官微消息，賽米控丹佛斯和羅姆將強化合作伙伴關(guān)系，雙方將基于低功率芯片，擴展低功率模塊產(chǎn)品。據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。

隨后在9月27日，芯動半導(dǎo)體宣布，正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以碳化硅為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度。

而在9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系。電裝和羅姆一直在汽車應(yīng)用半導(dǎo)體的貿(mào)易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關(guān)系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導(dǎo)體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術(shù)和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽車電子領(lǐng)域擁有廣泛的產(chǎn)品線。

電裝和羅姆一直在汽車應(yīng)用半導(dǎo)體的貿(mào)易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關(guān)系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導(dǎo)體。

近年來，在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展帶動下，碳化硅功率器件市場需求持續(xù)增長，在此背景下，電裝和羅姆均加大了碳化硅產(chǎn)業(yè)布局力度。

電裝方面，2023年9月底消息傳出，日本電裝、日立、三菱電機和住友電氣四家企業(yè)對投資Coherent的碳化硅業(yè)務(wù)感興趣，且已就收購Coherent公司碳化硅業(yè)務(wù)的少數(shù)股權(quán)進行了討論，投資金額或高達50億美元。

同年10月10日，Coherent宣布將成立一家子公司獨立運營碳化硅業(yè)務(wù)，更好地滿足電動汽車等下游市場對碳化硅的需求。彼時，電裝和三菱電機已確定投資共計10億美元，三方還簽訂了長期供貨協(xié)議，Coherent將為電裝和三菱電機兩家公司供應(yīng)6/8英寸碳化硅襯底和外延片。

羅姆方面，今年7月5日，據(jù)外媒報道，羅姆子公司SiCrystal GmbH將在德國紐倫堡東北部現(xiàn)有廠址的正對面新建一座生產(chǎn)廠房。新廠房將增加6000平方米的生產(chǎn)面積，并將配備最先進的技術(shù)，進一步提升碳化硅襯底的產(chǎn)能。毗鄰現(xiàn)有工廠將確保生產(chǎn)流程的緊密結(jié)合。到2027年，包括現(xiàn)有廠房在內(nèi)，SiCrystal公司碳化硅襯底的總產(chǎn)能將比2024年增加約三倍。

而在9月27日，芯動半導(dǎo)體正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：芯動半導(dǎo)體

芯動半導(dǎo)體表示，隨著新能源汽車（xEV）市場的不斷擴大，市場對于延長續(xù)航里程和提高充電速度的需求也日益高漲。SiC作為解決這些問題的關(guān)鍵器件被寄予厚望，并在核心驅(qū)動部件——牽引逆變器和車載充電器中逐漸得到廣泛應(yīng)用。

通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆SiC芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以SiC為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度，為汽車技術(shù)創(chuàng)新貢獻力量。

芯動半導(dǎo)體董事長鄭春來表示：“隨著xEV市場的擴大，對SiC芯片的需求也在持續(xù)增長。芯動半導(dǎo)體正在通過與優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商建立長期合作關(guān)系來加強SiC功率模塊開發(fā)體系。與羅姆之間的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系將會進一步鞏固長城汽車的垂直整合體系，并加快更高性能xEV的開發(fā)速度。”

同時，長城汽車還投資了河北同光半導(dǎo)體股份有限公司，此舉將進一步發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同作用。

值的一提的是，今年上半年，芯動半導(dǎo)體芯動半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測項目”制造基地也完成了建設(shè)。source：芯動半導(dǎo)體資料顯示，芯動半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測項目”制造基地，總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套。項目于2023年2月開工，2024年2月完工。（來源：芯動半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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賽米控丹佛斯表示，雙方合作一方面加強了芯片供應(yīng)安全性，另一方面，在合作伙伴關(guān)系下，賽米控丹佛斯能夠參與到芯片開發(fā)的早期階段，這樣在整個芯片的開發(fā)周期，賽米控丹佛斯都能夠發(fā)揮重要作用。

羅姆則表示，賽米控丹佛斯參與芯片開發(fā)早期階段，使得羅姆可以及時得到關(guān)于產(chǎn)品的反饋，便于改進產(chǎn)品。同時，與賽米控丹佛斯合作，羅姆得到了拓展工業(yè)市場應(yīng)用的機會。

據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。這兩種芯片基本適用于任何工業(yè)應(yīng)用，但賽米控丹佛斯和羅姆主要聚焦的是電機驅(qū)動應(yīng)用，這與兩種芯片的技術(shù)特性相匹配，碳化硅MOSFET短路魯棒性較好，RGA IGBT具備電機驅(qū)動應(yīng)用所需的dvdt范圍。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2022年3月，在賽米控宣布與丹佛斯硅動力合并成立賽米控丹佛斯公司之前，賽米控就與德國某汽車制造商簽訂了一份超百億人民幣的車規(guī)級碳化硅功率模塊合同，約定在2025年在該汽車客戶的下一代電動車控制器平臺上，全面采用eMPack系列車規(guī)級碳化硅功率模塊。

據(jù)了解，eMPack是賽米控丹佛斯推出的一款平臺級模塊產(chǎn)品，適用于400V/800V電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用，最大輸出可達750KW。eMPack允許賽米控丹佛斯根據(jù)客戶需求進行定制，包括選擇IGBT或碳化硅MOSFET作為模塊芯片。eMPack的技術(shù)優(yōu)勢包括將雜散電感將至2.5nH、大幅延長使用壽命等，預(yù)計在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

近年來，羅姆一直是賽米控丹佛斯在碳化硅器件供應(yīng)方面的合作伙伴。2022年7月，賽米控丹佛斯和羅姆就碳化硅功率器件展開新的合作，羅姆的第四代碳化硅MOSFET正式被用于賽米控丹佛斯的車規(guī)級碳化硅功率模塊eMPack。

IGBT業(yè)務(wù)方面，2023年4月，賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊。同年7月，英飛凌與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組，這些芯片主要用于電動汽車主驅(qū)逆變器的功率模塊。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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羅姆9日發(fā)表聲明稱，其藍碧石半導(dǎo)體宮崎縣工廠已暫停運營，以檢查生產(chǎn)設(shè)備的狀態(tài)并確保安全。羅姆表示，包括藍碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠在內(nèi)的人員和建筑物都并未受到傷害。

據(jù)公開資料顯示，藍碧石半導(dǎo)體宮崎縣工廠目前主要生產(chǎn)IC、傳感器、二極管、碳化硅功率器件、IGBT。

藍碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠（曾為“原國富工廠”）原屬于Solar Frontier，2023年11月，羅姆成功將其收購納入了自己的生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)。經(jīng)過修整之后，羅姆計劃將藍碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠作為碳化硅功率半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)基地，并于2024年年內(nèi)投產(chǎn)。

source：羅姆

此次地震對羅姆旗下碳化硅功率半導(dǎo)體工廠造成的影響還在評估之中，集邦化合物半導(dǎo)體將持續(xù)關(guān)注。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理）

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據(jù)悉，SiCrystal成立于1996年，1997年其第一批晶圓投入市場。2000年，SiCrystal與西門子旗下的SiC供應(yīng)商Freitronics Wafer GmbH&Co.KG合并。2009年，SiCrystal被羅姆正式收購。

SiC襯底產(chǎn)能方面，羅姆半導(dǎo)體株式會社社長松本功在2023年11月的財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預(yù)計將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。

據(jù)了解，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務(wù)投入1700億-2200億日元（折合人民幣約77億元-100億元）。

合作方面， SiCrystal當前的產(chǎn)能除了滿足羅姆的需求之外，今年4月還宣布與意法半導(dǎo)體在現(xiàn)有的6英寸SiC襯底多年期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議，SiCrystal公司將對意法半導(dǎo)體加大德國紐倫堡產(chǎn)的SiC襯底供應(yīng)力度，預(yù)計協(xié)議總價不低于2.3億美元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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松本功表示：“東芝和我們的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在包括產(chǎn)品組合在內(nèi)的各個方面都非常平衡且高度兼容，我們希望就如何創(chuàng)造這種協(xié)同效應(yīng)提出建議?！彪p方設(shè)想通過批量采購?fù)ㄓ迷O(shè)備和零部件、相互銷售內(nèi)部設(shè)備以及相互外包產(chǎn)品銷售來降低成本。

據(jù)了解，2023年12月，東芝從東京證券交易所退市，日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴公司（JIP）等企業(yè)財團將其收購。這一過程中，羅姆出資3000億日元（折合人民幣約139億元），成為了最大的投資者，為后續(xù)雙方合作埋下了伏筆。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計劃還得到了日本政府的支持。

該計劃旨在讓羅姆和東芝分別對SiC功率半導(dǎo)體和Si功率半導(dǎo)體進行重點投資，依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供應(yīng)能力。項目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責(zé)生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

此外，羅姆計劃在2027財年之前，對SiC業(yè)務(wù)整體投資5100億日元（折合人民幣約237億元）。到2027財年，羅姆預(yù)計SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元（折合人民幣約125億元），是2022財年的9倍。由東芝負責(zé)傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將使羅姆公司能夠把投資重點放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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擴大后的合同約定未來數(shù)年向意法半導(dǎo)體供應(yīng)在德國紐倫堡生產(chǎn)的SiC晶圓，預(yù)計合同期間的交易額將超過2.3億美元（折合人民幣約16.7億元）。

source：拍信網(wǎng)

ST執(zhí)行副總裁兼首席采購官Geoff West表示：“通過擴大與SiCrystal的SiC晶圓長期供應(yīng)合同，我們得以確保6英寸SiC晶圓的新增需求量。這將有助于擴大相應(yīng)產(chǎn)品的產(chǎn)能，確保向全球汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域客戶供貨。另外，很好地保持各地區(qū)的內(nèi)部產(chǎn)能和外部產(chǎn)能的平衡，將有助于提升供應(yīng)鏈的彈性，促進未來的長效發(fā)展。”

羅姆集團SiCrystal總裁兼CEO Robert Eckstein（博士）表示：“SiCrystal是SiC的領(lǐng)軍企業(yè)羅姆集團旗下的公司，具有多年的SiC晶圓生產(chǎn)經(jīng)驗。我們很高興能夠與我們的老客戶ST擴大了這項供應(yīng)合同。未來，我們將通過繼續(xù)增加6英寸SiC晶圓的供應(yīng)量并始終提供高可靠性的產(chǎn)品，來支持我們的合作伙伴擴大SiC業(yè)務(wù)?！?/p>

SiC功率半導(dǎo)體以其出色的能效著稱，能夠以更可持續(xù)的方式促進汽車和工業(yè)設(shè)備的電子化發(fā)展。通過促進高效的能源發(fā)電、分配和存儲，在向更清潔的出行解決方案和廢物排放更少的工業(yè)工藝轉(zhuǎn)型過程中，SiC可提供強有力的支持。同樣，還有助于為AI應(yīng)用的數(shù)據(jù)中心等資源密集型基礎(chǔ)設(shè)施提供更可靠的電力供應(yīng)。（來源：羅姆）

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英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2

3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。

source：英飛凌

英飛凌表示，新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V產(chǎn)品與上一代相比，MOSFET的關(guān)鍵性能指標（例如存儲能量和電荷）提高了20%，同時又不影響質(zhì)量和可靠性水平。

CoolSiC MOSFET G2技術(shù)繼續(xù)利用SiC的性能優(yōu)勢，實現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中提高效率，這對于光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源等各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用客戶來說，將提供很大的優(yōu)勢。

與前幾代產(chǎn)品相比，配備 CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站最多可減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現(xiàn)更高的充電容量。基于CoolSiC G2設(shè)備的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域，采用CoolSiC G2設(shè)計的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現(xiàn)更小的尺寸，從而降低每瓦成本。

“大趨勢需要新的、高效的方式來產(chǎn)生、傳輸和利用能源。憑借CoolSiC MOSFET G2，英飛凌將SiC性能提升到了一個新的水平?！庇w凌綠色工業(yè)電力部門總裁Peter Wawer博士說道，“新一代SiC技術(shù)能夠加速設(shè)計成本更加優(yōu)化、緊湊、可靠且高效的系統(tǒng)，從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場安裝的每瓦特的CO2排放量?！?/p>

羅姆GaN器件被臺達電子采用

羅姆今（6）日宣布，旗下650V GaN器件（EcoGaN）被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器（快速充電器）“C4 Duo”采用。

source：羅姆

據(jù)介紹，臺達是基于IoT技術(shù)的綠色解決方案全球供應(yīng)商。

羅姆指出，Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”，提高了產(chǎn)品性能和可靠性的同時也實現(xiàn)了小型化。

羅姆表示，GaN的潛力很大，但處理起來卻很難，目前羅姆正在推進注重“易用性”的產(chǎn)品開發(fā)并提供相關(guān)解決方案。在分立產(chǎn)品方面，羅姆已于2022年開始量產(chǎn)150V耐壓的GaN HEMT，并于2023年開始量產(chǎn)實現(xiàn)業(yè)界超高性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的650V耐壓GaN HEMT。

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