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2023年12月28日，“中國(guó)半導(dǎo)體教父”、現(xiàn)任積塔半導(dǎo)體執(zhí)行董事張汝京博士、積塔半導(dǎo)體總經(jīng)理周華博士一行到訪寧波安建半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱安建半導(dǎo)體）。張汝京等一行參觀了安建半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線，了解了安建的模塊產(chǎn)品類型、下游客戶和出貨產(chǎn)能情況。雙方就安建半導(dǎo)體在積塔的產(chǎn)品需求和后續(xù)產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目進(jìn)行了探討和總結(jié)，并對(duì)以下合作達(dá)成一致：加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅（SiC）MOS器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOS器件開發(fā)；馬上啟動(dòng)基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產(chǎn)品開發(fā)。

在SiC器件方面，積塔半導(dǎo)體早在2020年就布局了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC產(chǎn)線，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級(jí)650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺(tái)和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)。

2022年，積塔半導(dǎo)體明確在上海臨港投資二期項(xiàng)目，新增固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)超過260億元。二期項(xiàng)目建成后，積塔半導(dǎo)體的產(chǎn)能將得到較大提升，實(shí)現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產(chǎn)品等汽車芯片量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2025年將達(dá)到30萬片8英寸等效晶圓的產(chǎn)能。

此次與積塔半導(dǎo)體就SiC器件開發(fā)達(dá)成合作的安建半導(dǎo)體，在業(yè)內(nèi)也有一定的實(shí)力。成立于2021年7月的安建半導(dǎo)體，是一家半導(dǎo)體功率器件廠商。成立不到三年時(shí)間，安建半導(dǎo)體已完成3輪融資，其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。

具體來看，安建半導(dǎo)體B輪融資的投資方包括超越摩爾投資、弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資、金建誠(chéng)投資、萬有引力資本等眾多機(jī)構(gòu)，募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測(cè)廠建設(shè)。

從本次合作情況來看，雙方開發(fā)項(xiàng)目將由平面型SiC MOS器件轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS器件，或與溝槽型SiC MOS器件優(yōu)勢(shì)有關(guān)。

據(jù)悉，量產(chǎn)溝槽型SiC MOS器件的廠商普遍認(rèn)為，相比平面型結(jié)構(gòu)，溝槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)。羅姆是率先轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS的公司，而英飛凌并沒有選擇進(jìn)入平面結(jié)構(gòu)市場(chǎng)，而是直接選擇了溝槽結(jié)構(gòu)，此外，電裝的溝槽型SiC MOS也已正式商用。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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作為一家IGBT和碳化硅（SiC）器件廠商，成立于2017年11月的積塔半導(dǎo)體已相繼完成5輪融資，此次國(guó)調(diào)二期基金等入股的最新一輪融資為積塔半導(dǎo)體D輪融資，也讓該公司成為率先在2024年完成融資的SiC相關(guān)廠商之一。

2023年，積塔半導(dǎo)體不僅完成了兩輪融資，還貢獻(xiàn)了去年全年SiC產(chǎn)業(yè)單筆最高融資額135億元，這是發(fā)生在9月的積塔半導(dǎo)體C+輪融資，本輪融資匯聚了多家國(guó)家基金、產(chǎn)業(yè)投資人、地方基金、知名財(cái)務(wù)投資人等。

積塔半導(dǎo)體受到資本市場(chǎng)青睞，或與其功率半導(dǎo)體IGBT和SiC制造技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)前列有關(guān)。2017年，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約落戶上海臨港，項(xiàng)目總投資359億元，于2018年8月開工建設(shè)，按照計(jì)劃，項(xiàng)目一期投資89億元，規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)能6萬片8英寸晶圓的0.11μm/0.13μm/0.18μm工藝生產(chǎn)線；月產(chǎn)能3000片12英寸特色工藝晶圓的55nm/65nm工藝先導(dǎo)生產(chǎn)線；以及月產(chǎn)能5000片6英寸晶圓的SiC生產(chǎn)線，已在2020年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。

2022年，積塔半導(dǎo)體明確在上海臨港投資二期項(xiàng)目，新增固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)超過260億元。根據(jù)相關(guān)消息顯示，積塔半導(dǎo)體二期項(xiàng)目的總建筑面積22萬平方米，建設(shè)周期約600天。二期項(xiàng)目建成后，積塔半導(dǎo)體的產(chǎn)能將得到很大提升，實(shí)現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產(chǎn)品等汽車芯片量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2025年將達(dá)到30萬片8英寸等效晶圓的產(chǎn)能。

值得一提的是，積塔半導(dǎo)體在2022年還引進(jìn)一位新執(zhí)行董事——張汝京博士。張汝京博士被譽(yù)為“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展之父”。他曾先后創(chuàng)辦過中芯國(guó)際、新昇半導(dǎo)體、芯恩半導(dǎo)體三家公司。

截至目前，積塔半導(dǎo)體已建和在建產(chǎn)能共計(jì)28萬片/月（折合8英寸計(jì)算），其中6英寸7萬片/月、8英寸11萬片/月、12英寸5萬片/月、SiC 3萬片/月。

在SiC領(lǐng)域，積塔半導(dǎo)體早在2020年就布局了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC產(chǎn)線，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級(jí)650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺(tái)和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)。

目前，積塔半導(dǎo)體已深度綁定英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達(dá)半導(dǎo)體、上海韋矽微、比亞迪半導(dǎo)體、上海貝嶺等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)，與MPS的合作已接近20年，同時(shí)是國(guó)際巨頭英飛凌在國(guó)內(nèi)的唯一代工合作企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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2017年，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約落戶上海臨港，項(xiàng)目總投資359億元，于2018年8月開工建設(shè)，按照計(jì)劃，項(xiàng)目一期投資 89 億元，規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)能6萬片8英寸晶圓的0.11μm/0.13μm/0.18μm（微米）工藝生產(chǎn)線；月產(chǎn)能3000片12英寸特色工藝晶圓的55nm/65nm（納米）工藝先導(dǎo)生產(chǎn)線；以及月產(chǎn)能5000片6英寸晶圓的SiC生產(chǎn)線，已在2020年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。

2022年，積塔半導(dǎo)體明確在上海臨港投資二期項(xiàng)目，新增固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)超過260億元。并且獲得農(nóng)業(yè)銀行、國(guó)家開發(fā)銀行、進(jìn)出口銀行、中國(guó)工商銀行、中國(guó)銀行等8家銀行為積塔半導(dǎo)體汽車芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目提供總額超過百億元的貸款。

根據(jù)相關(guān)消息顯示，積塔半導(dǎo)體二期項(xiàng)目的總建筑面積22萬平方米，建設(shè)周期約600天。二期項(xiàng)目建成后，積塔半導(dǎo)體的產(chǎn)能將得到很大提升，將進(jìn)一步提升自貿(mào)區(qū)廠區(qū)工廠規(guī)?；?，實(shí)現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產(chǎn)品等汽車芯片量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2025年將達(dá)到30萬片8英寸等效晶圓的產(chǎn)能。

根據(jù)最新消息，今年6月，積塔半導(dǎo)體12英寸汽車芯片先導(dǎo)線順利建成通線，該條產(chǎn)線著力90nm到40nm車規(guī)級(jí)微處理器(MCU)、模擬IC、CIS等高端芯片制造。它的通線標(biāo)志著積塔12英寸汽車芯片項(xiàng)目取得重大進(jìn)展，是積塔半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)12吋汽車芯片戰(zhàn)略的重要里程碑。

在SiC工藝平臺(tái)，早在2020年積塔半導(dǎo)體就布局了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6吋SiC產(chǎn)線建設(shè)，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級(jí)650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺(tái)和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)。并且積塔目前已經(jīng)獲得了一大批忠實(shí)的客戶。

目前，積塔半導(dǎo)體已深度綁定英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達(dá)半導(dǎo)體、上海韋矽微、比亞迪半導(dǎo)體、上海貝嶺等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)，與MPS的合作已接近20年，同時(shí)是英飛凌在國(guó)內(nèi)的唯一代工合作企業(yè)。

此外，積塔半導(dǎo)體在產(chǎn)能建設(shè)的時(shí)候，對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備的采購(gòu)持續(xù)加大。根據(jù)此前中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)的信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體的一期產(chǎn)線當(dāng)中，64%的清洗設(shè)備都是由北方華創(chuàng)供應(yīng)的，此外還部分采用了北方華創(chuàng)與成都萊普科技的熱處理設(shè)備，上海微電子裝備和中科飛測(cè)的測(cè)量設(shè)備。

在二期的建設(shè)中，積塔半導(dǎo)體招標(biāo)工藝設(shè)備的廠商包括北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐、芯源微電子、上海精測(cè)、盛美上海等，干法去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入機(jī)、拋光設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備是國(guó)產(chǎn)化集中領(lǐng)域。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）

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據(jù)此前報(bào)道，上海積塔項(xiàng)目總投資359億元，項(xiàng)目于2017年于簽約落戶，2018年8月開工建設(shè)，2019年12月設(shè)備搬入，并于2020年初正式投片。

根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，制程為55/65nm。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后將進(jìn)一步幫助完善上海打造集成電路產(chǎn)業(yè)高地布局，發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)，加快建設(shè)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性產(chǎn)業(yè)集群。

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今年1月，2023年上海市重大工程清單正式公布，科技產(chǎn)業(yè)類在建項(xiàng)目包括積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目等。

今年，積塔半導(dǎo)體先后宣布了跟吉利科技和華大九天的戰(zhàn)略合作。

1月，吉利科技集團(tuán)與積塔半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

雙方將圍繞車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)、制造、市場(chǎng)應(yīng)用、人才培養(yǎng)等領(lǐng)域開展全面合作，共同致力于車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)的突破，建立成熟穩(wěn)定的汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

此次合作，雙方將共建國(guó)內(nèi)首家汽車電子共享垂直整合制造（CIDM）芯片聯(lián)盟，設(shè)立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，聚焦汽車電子MCU、功率器件、SoC、PMIC等芯片的研究開發(fā)、工藝聯(lián)調(diào)、生產(chǎn)制程，致力于車規(guī)可靠性測(cè)試及整車量產(chǎn)應(yīng)用。同時(shí)，雙方著力先進(jìn)制成能力及人才隊(duì)伍培養(yǎng)打造，保障車規(guī)級(jí)芯片供應(yīng)鏈的安全性和長(zhǎng)期可持續(xù)性。

4月，積塔半導(dǎo)體與華大九天簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將通過“CIDM”垂直整合模式深化合作，圍繞Foundry EDA工具開發(fā)驗(yàn)證、車規(guī)級(jí)芯片工藝平臺(tái)研發(fā)適配等領(lǐng)域開展全面合作。

資料顯示，積塔半導(dǎo)體是一家特色工藝集成電路芯片制造企業(yè)，專注于模擬電路、功率器件所需的特色生產(chǎn)工藝研發(fā)與制造。公司已建成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的PMIC，MCU功率器件和SiC器件等特色工藝平臺(tái)。

積塔半導(dǎo)體在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個(gè)廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計(jì)28萬片/月（折合8吋計(jì)算），其中６吋7萬片/月、８吋11萬片/月、12吋5萬片/月、碳化硅3萬片/月。

積塔半導(dǎo)體已建成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電源管理芯片（PMIC）、控制器（Controller）、功率器件（IGBT、SGT、FRD、TVS等）、碳化硅器件（JBS、MOSFET）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝平臺(tái)。

在汽車芯片領(lǐng)域，積塔半導(dǎo)體產(chǎn)品主要覆蓋有IGBT/FRD，應(yīng)用于儲(chǔ)能、新能源汽車主驅(qū)逆變、充電樁、汽車點(diǎn)火器等；BCD/TVS，應(yīng)用于動(dòng)力主驅(qū)、電池管理、充電樁、電子剎車等；Bipolar，應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)天窗、智能門控及車身照明等；MEMS，應(yīng)用于胎壓偵測(cè)、安全氣囊、車身穩(wěn)定控制、ABS系統(tǒng)、汽車?yán)走_(dá)、硅光通訊等。

據(jù)悉，積塔半導(dǎo)體已經(jīng)通過車規(guī)質(zhì)量體系IATF16949認(rèn)證。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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