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2023年12月28日，“中國半導體教父”、現(xiàn)任積塔半導體執(zhí)行董事張汝京博士、積塔半導體總經理周華博士一行到訪寧波安建半導體有限公司（以下簡稱安建半導體）。張汝京等一行參觀了安建半導體模塊產線，了解了安建的模塊產品類型、下游客戶和出貨產能情況。雙方就安建半導體在積塔的產品需求和后續(xù)產品開發(fā)項目進行了探討和總結，并對以下合作達成一致：加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅（SiC）MOS器件開發(fā)，并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOS器件開發(fā)；馬上啟動基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產品開發(fā)。

在SiC器件方面，積塔半導體早在2020年就布局了業(yè)內領先的6英寸SiC產線，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識產權的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。

2022年，積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目，新增固定資產投資預計超過260億元。二期項目建成后，積塔半導體的產能將得到較大提升，實現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產品等汽車芯片量產，預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產能。

此次與積塔半導體就SiC器件開發(fā)達成合作的安建半導體，在業(yè)內也有一定的實力。成立于2021年7月的安建半導體，是一家半導體功率器件廠商。成立不到三年時間，安建半導體已完成3輪融資，其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。

具體來看，安建半導體B輪融資的投資方包括超越摩爾投資、弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資、金建誠投資、萬有引力資本等眾多機構，募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產品開發(fā)、SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設。

從本次合作情況來看，雙方開發(fā)項目將由平面型SiC MOS器件轉向溝槽型SiC MOS器件，或與溝槽型SiC MOS器件優(yōu)勢有關。

據(jù)悉，量產溝槽型SiC MOS器件的廠商普遍認為，相比平面型結構，溝槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有較強優(yōu)勢。羅姆是率先轉向溝槽型SiC MOS的公司，而英飛凌并沒有選擇進入平面結構市場，而是直接選擇了溝槽結構，此外，電裝的溝槽型SiC MOS也已正式商用。（集邦化合物半導體Zac整理）

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作為一家IGBT和碳化硅（SiC）器件廠商，成立于2017年11月的積塔半導體已相繼完成5輪融資，此次國調二期基金等入股的最新一輪融資為積塔半導體D輪融資，也讓該公司成為率先在2024年完成融資的SiC相關廠商之一。

2023年，積塔半導體不僅完成了兩輪融資，還貢獻了去年全年SiC產業(yè)單筆最高融資額135億元，這是發(fā)生在9月的積塔半導體C+輪融資，本輪融資匯聚了多家國家基金、產業(yè)投資人、地方基金、知名財務投資人等。

積塔半導體受到資本市場青睞，或與其功率半導體IGBT和SiC制造技術水平處于國內前列有關。2017年，積塔半導體特色工藝生產線項目簽約落戶上海臨港，項目總投資359億元，于2018年8月開工建設，按照計劃，項目一期投資89億元，規(guī)劃建設月產能6萬片8英寸晶圓的0.11μm/0.13μm/0.18μm工藝生產線；月產能3000片12英寸特色工藝晶圓的55nm/65nm工藝先導生產線；以及月產能5000片6英寸晶圓的SiC生產線，已在2020年實現(xiàn)全面量產。

2022年，積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目，新增固定資產投資預計超過260億元。根據(jù)相關消息顯示，積塔半導體二期項目的總建筑面積22萬平方米，建設周期約600天。二期項目建成后，積塔半導體的產能將得到很大提升，實現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產品等汽車芯片量產，預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產能。

值得一提的是，積塔半導體在2022年還引進一位新執(zhí)行董事——張汝京博士。張汝京博士被譽為“中國半導體產業(yè)發(fā)展之父”。他曾先后創(chuàng)辦過中芯國際、新昇半導體、芯恩半導體三家公司。

截至目前，積塔半導體已建和在建產能共計28萬片/月（折合8英寸計算），其中6英寸7萬片/月、8英寸11萬片/月、12英寸5萬片/月、SiC 3萬片/月。

在SiC領域，積塔半導體早在2020年就布局了業(yè)內領先的6英寸SiC產線，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識產權的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。

目前，積塔半導體已深度綁定英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達半導體、上海韋矽微、比亞迪半導體、上海貝嶺等國內外知名企業(yè)，與MPS的合作已接近20年，同時是國際巨頭英飛凌在國內的唯一代工合作企業(yè)。（集邦化合物半導體Zac整理）

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2017年，積塔半導體特色工藝生產線項目簽約落戶上海臨港，項目總投資359億元，于2018年8月開工建設，按照計劃，項目一期投資 89 億元，規(guī)劃建設月產能6萬片8英寸晶圓的0.11μm/0.13μm/0.18μm（微米）工藝生產線；月產能3000片12英寸特色工藝晶圓的55nm/65nm（納米）工藝先導生產線；以及月產能5000片6英寸晶圓的SiC生產線，已在2020年實現(xiàn)全面量產。

2022年，積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目，新增固定資產投資預計超過260億元。并且獲得農業(yè)銀行、國家開發(fā)銀行、進出口銀行、中國工商銀行、中國銀行等8家銀行為積塔半導體汽車芯片生產線項目提供總額超過百億元的貸款。

根據(jù)相關消息顯示，積塔半導體二期項目的總建筑面積22萬平方米，建設周期約600天。二期項目建成后，積塔半導體的產能將得到很大提升，將進一步提升自貿區(qū)廠區(qū)工廠規(guī)模化水平，實現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產品等汽車芯片量產，預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產能。

根據(jù)最新消息，今年6月，積塔半導體12英寸汽車芯片先導線順利建成通線，該條產線著力90nm到40nm車規(guī)級微處理器(MCU)、模擬IC、CIS等高端芯片制造。它的通線標志著積塔12英寸汽車芯片項目取得重大進展，是積塔半導體實現(xiàn)12吋汽車芯片戰(zhàn)略的重要里程碑。

在SiC工藝平臺，早在2020年積塔半導體就布局了業(yè)內領先的6吋SiC產線建設，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識產權的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。并且積塔目前已經獲得了一大批忠實的客戶。

目前，積塔半導體已深度綁定英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達半導體、上海韋矽微、比亞迪半導體、上海貝嶺等國內外知名企業(yè)，與MPS的合作已接近20年，同時是英飛凌在國內的唯一代工合作企業(yè)。

此外，積塔半導體在產能建設的時候，對國產設備的采購持續(xù)加大。根據(jù)此前中國國際招標網(wǎng)的信息顯示，上海積塔半導體的一期產線當中，64%的清洗設備都是由北方華創(chuàng)供應的，此外還部分采用了北方華創(chuàng)與成都萊普科技的熱處理設備，上海微電子裝備和中科飛測的測量設備。

在二期的建設中，積塔半導體招標工藝設備的廠商包括北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐、芯源微電子、上海精測、盛美上海等，干法去膠設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入機、拋光設備、涂膠顯影設備是國產化集中領域。（文：集邦化合物半導體 Jump整理）

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據(jù)此前報道，上海積塔項目總投資359億元，項目于2017年于簽約落戶，2018年8月開工建設，2019年12月設備搬入，并于2020年初正式投片。

根據(jù)規(guī)劃，該項目目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片的12英寸特色工藝生產線，制程為55/65nm。項目建成投產后將進一步幫助完善上海打造集成電路產業(yè)高地布局，發(fā)揮產業(yè)集聚效應，加快建設具有國際競爭力的綜合性產業(yè)集群。

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今年1月，2023年上海市重大工程清單正式公布，科技產業(yè)類在建項目包括積塔半導體特色工藝生產線項目等。

今年，積塔半導體先后宣布了跟吉利科技和華大九天的戰(zhàn)略合作。

1月，吉利科技集團與積塔半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

雙方將圍繞車規(guī)級芯片研發(fā)、制造、市場應用、人才培養(yǎng)等領域開展全面合作，共同致力于車規(guī)級芯片產業(yè)的協(xié)同發(fā)展，推動國產半導體關鍵技術的突破，建立成熟穩(wěn)定的汽車半導體產業(yè)生態(tài)。

此次合作，雙方將共建國內首家汽車電子共享垂直整合制造（CIDM）芯片聯(lián)盟，設立聯(lián)合實驗室，聚焦汽車電子MCU、功率器件、SoC、PMIC等芯片的研究開發(fā)、工藝聯(lián)調、生產制程，致力于車規(guī)可靠性測試及整車量產應用。同時，雙方著力先進制成能力及人才隊伍培養(yǎng)打造，保障車規(guī)級芯片供應鏈的安全性和長期可持續(xù)性。

4月，積塔半導體與華大九天簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將通過“CIDM”垂直整合模式深化合作，圍繞Foundry EDA工具開發(fā)驗證、車規(guī)級芯片工藝平臺研發(fā)適配等領域開展全面合作。

資料顯示，積塔半導體是一家特色工藝集成電路芯片制造企業(yè)，專注于模擬電路、功率器件所需的特色生產工藝研發(fā)與制造。公司已建成具有自主知識產權的PMIC，MCU功率器件和SiC器件等特色工藝平臺。

積塔半導體在中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產能共計28萬片/月（折合8吋計算），其中６吋7萬片/月、８吋11萬片/月、12吋5萬片/月、碳化硅3萬片/月。

積塔半導體已建成具有自主知識產權的電源管理芯片（PMIC）、控制器（Controller）、功率器件（IGBT、SGT、FRD、TVS等）、碳化硅器件（JBS、MOSFET）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝平臺。

在汽車芯片領域，積塔半導體產品主要覆蓋有IGBT/FRD，應用于儲能、新能源汽車主驅逆變、充電樁、汽車點火器等；BCD/TVS，應用于動力主驅、電池管理、充電樁、電子剎車等；Bipolar，應用于電源管理、電動天窗、智能門控及車身照明等；MEMS，應用于胎壓偵測、安全氣囊、車身穩(wěn)定控制、ABS系統(tǒng)、汽車雷達、硅光通訊等。

據(jù)悉，積塔半導體已經通過車規(guī)質量體系IATF16949認證。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）

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