圖片來源：新微半導體

據介紹，該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質結外延技術，結合深臺面刻蝕、側壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內穩(wěn)定運行，確保設備在嚴寒、高溫等嚴苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設備可靠運行。

在可靠性驗證上，其代工產品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產品（抽樣標準77顆樣品）經過2000小時老化后，均實現(xiàn)零失效，產品可靠性滿足通信級標準。

作為先進的化合物半導體晶圓代工企業(yè)，新微半導體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺等，產品廣泛應用于通信、新能源、消費電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應用領域。

新微半導體總經理王慶宇博士表示：“新微半導體始終致力于為客戶提供最先進的化合物半導體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出，是我們在光電領域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺的卓越性能，將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢，推動行業(yè)的技術進步和應用拓展。”

（集邦化合物半導體整理）

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01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調試收官+試生產并行

6月9日，據“最內江”公眾號消息，奧通碳素（內江）科技有限公司的半導體級等靜壓石墨項目目前已進入設備調試收官與試生產并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經濟圈的東興經開區(qū)，是東興區(qū)布局產業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關鍵項目。其瞄準半導體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領域，所生產的高端等靜壓石墨主要應用于碳化硅半導體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產業(yè)。

項目分三期建設，一期工程總投資1.5億元，新建了年產2000噸石墨粉、配料、混捏生產線，目前大型設備已全部安裝完畢，調試工作進入最后階段，預計9月可全面投產。二期工程計劃總投資4億元，將建設8.7萬平方米廠房，新建年產5000噸半導體級等靜壓石墨全工藝流程生產線，目前前期工作已啟動，計劃于2026年建成投產。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設11.3萬平方米廠房及配套生產線，將在二期投產當年同步啟動。項目整體建成后，可形成年產1萬噸半導體級等靜壓石墨產能，預計實現(xiàn)年營收15億元，帶動當?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產業(yè)化項目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產業(yè)化項目也披露最新進展，該項目順利封頂。項目位于火炬（翔安）產業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學氣相沉積設備等主要生產工藝設備、測試設備和配套設備設施，用于生產化合物半導體外延片/芯片產品。

圖片來源：天映投資集團有限公司

建成投產后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導體產品，并應用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領域。

項目建設期為兩年，其中一期建設內容為生產車間、綜合樓以及動力車間等，計劃于2026年1月份投產；二期主要建設3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產，投產后產能是年產40萬片化合物半導體的外延片和芯片。該項目的推進將進一步完善廈門市化合物半導體產業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補國內光通信領域高端產品的空白。

03晶旭半導體超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線：沖刺試產

據“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線進入沖刺試產階段。該項目由福建#晶旭半導體?科技有限公司投資建設，總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項目土建部分以及主體的封頂工程已經完成，正在進行雨污管網和路面的建設，內部裝修也全面進入精裝修工程，動力站機房的建設以及廠房的裝修工程預計在9月份可完成初步試產動作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產權的高新技術企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上處于國際領先地位。該生產線建成后，不僅將填補國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，同時也對上杭縣新材料產業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項目的逐步推進和落地，第三代半導體產業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領域實現(xiàn)廣泛應用，為相關產業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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圖片來源：合肥芯谷微電子

芯谷微砷化鎵晶圓制造線項目于2023年啟動建設，規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓生產線，旨在完善公司從芯片設計、晶圓制造、封裝測試到微波組件生產的全產業(yè)鏈能力，推動其向IDM（垂直整合制造）模式轉型。項目投產后，將進一步提升芯谷微在半導體領域的競爭力，助力國產半導體制造技術的突破與應用落地。

芯谷微成立于2014年，總部位于合肥高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，核心技術團隊源自美國Excelics公司及國內外知名企業(yè)，具備近30年微波集成電路設計經驗。芯谷微專注于微波、毫米波單片集成電路的研發(fā)與生產，基于砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）工藝技術，其產品覆蓋DC-110GHz頻段的低噪聲放大器、功率放大器、多功能芯片等，廣泛應用于電子對抗、雷達探測、軍用通信等國防軍工領域，并逐步拓展至5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網及醫(yī)療設備等民用市場。

2022年，芯谷微完成C輪4億元融資，由廣發(fā)乾和領投，基石資本等跟投，主要用于推動公司向IDM（垂直整合制造）模式轉型，支持技術研發(fā)和產能擴張。

值得注意的是，芯谷微曾在2023年5月5日正式向科創(chuàng)板提交上市申請，2023年5月至2024年4月期間經歷多輪問詢，因財報更新兩次中止審核，此后在2024年4月17日，芯谷微及保薦人國元證券主動撤回上市申請，上交所終止審核。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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值得注意的是，這并不是該公司首次開啟IPO。早在2022年10月，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請文件曾獲上海證券交易所受理，該公司當時擬募資15.22億元。2024 年 9 月，公司及保薦機構向上海證券交易所撤回發(fā)行上市申請，上海證券交易所于2024年10月終止公司的發(fā)行上市審核。

公開資料顯示，飛驤科技成立于2015年，前身為深圳國民飛驤科技有限公司。該公司法定代表人是公司創(chuàng)始人龍華，其控股股東上海上驤企業(yè)管理中心（有限合伙），直接持股14.30%，通過特別表決權股份安排實際享有37.34%的表決權。

飛驤科技是一家專注于射頻前端芯片研發(fā)、設計和銷售的公司，核心業(yè)務覆蓋2G – 5G全品類射頻前端芯片，產品包括射頻功率放大器、射頻開關、濾波器等。

2020年6月，飛驤科技發(fā)布了第一套完整支持所有5G頻段的國產射頻前端解決方案和第一套采用國產工藝實現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊，提供5G/4G/3G/2G射頻方案、IoT射頻方案、Wi-Fi射頻方案?，F(xiàn)在該公司已量產出貨L-PAMiF、PAMiF、L-FEM等高集成度5G模組，技術難度更大的高集成度5G模組L-PAMiD和L-DiFEM已完成設計并開始樣品驗證。

其核心終端客戶涵蓋傳音、聯(lián)想（摩托羅拉）、聞泰科技、天瓏移動、華勤技術、中諾通訊、龍旗科技、榮耀等知名品牌，并且成功進入這些知名ODM廠商的供應鏈體系。

據飛驤科技公布財報，其在2019-2024年上半年分別實現(xiàn)營業(yè)收入為1.16億元、3.65億元、9.16億元、10.22億元、17.17億元和11.31億元。2019-2023年五年復合增長率為96.19%，其中2023年營收同比增長68.08%，2024年上半年同比增長107.25%。

具體來看，2019-2023年飛驤科技處于虧損狀態(tài)，其中2019年到2022年分別虧損1.2億元、1.75億元、3.41億元、3.62億元，2023年則大幅縮窄到虧損1.93億元。五年累計虧損額約為11.91億元。在2024年上半年。飛驤科技持續(xù)大幅扭虧，至凈利潤在1327.99萬元至1827.99萬元的區(qū)間，實現(xiàn)扭虧為盈。

官方表示，業(yè)績轉好主要得益于5G模組及泛連接等產品的良好表現(xiàn)。自從銷售5G產品以來，飛驤科技5G產品營收從2020年的不足億元增長至2023年的4億元，毛利率達22.19%。該公司泛連接產品營收也從2021年的418萬元增長至2023年的1.17億元。此外，飛驤科技還披露其高技術門檻的L-PAMiD產品已實現(xiàn)突破并放量出貨。

飛驤科技表示，2024年至2025年，預計公司將綜合受益于Wi-Fi、L-PAMiD、車載、衛(wèi)星通信等高附加值產品的導入帶來的產品結構優(yōu)化以及客戶結構優(yōu)化（A 公司、榮耀、vivo）等品牌客戶占比提升，以及期間費用將趨于穩(wěn)定或緩增，預計會迎來盈利拐點。

另外，公開資料顯示，從2015年至今，飛驤科技共計完成14輪融資，引入招商證券、聞泰科技等戰(zhàn)略投資者，研發(fā)投入累計超10億元，公司專利206項。

值得注意的是，飛驤科技自2015年起便錨定國產砷化鎵（GaAs）工藝替代，其5G模組采用自主設計的國產GaAs工藝平臺量產，較進口方案成本降低30%，并率先進入三星Galaxy系列供應鏈。（集邦化合物半導體竹子整理）

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source：先導科技集團

消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產調度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底實現(xiàn)投產運營。未來，半導體襯底、外延材料就將自這4座生產廠房下線，有力補強光谷光通信及激光產業(yè)供應鏈。

此次封頂?shù)?棟生產廠房將承擔核心材料制造，具體來看：

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產線（應用于5G射頻芯片）
M2廠房?? 磷化銦襯底生產線（光通信激光器核心材料）
M3廠房?? 可調諧激光器量產線
M4廠房?? 鍺片生產基地（紅外探測器關鍵材料）

資料顯示，先導科技集團有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項目落戶光谷，投資120億元建設高端化合物半導體材料及芯片產業(yè)化基地項目。項目投產后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調諧激光器及其他產品等生產能力。

“這相當于在光谷建造了一個‘化合物半導體超市’。”項目總工程師李明透露，項目達產后可年產8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。

化合物半導體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導體被視為“后摩爾時代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據顯示，我國砷化鎵襯底進口依存度仍高達83%，磷化銦更是超過90%。

化合物半導體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關鍵變革的重要節(jié)點。從市場規(guī)模來看，隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費電子等眾多領域對高性能半導體材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預測，未來幾年全球化合物半導體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率，市場前景極為廣闊。

在技術創(chuàng)新層面，各國科研團隊與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術難題。在材料生長工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等先進技術持續(xù)優(yōu)化，能夠生長出更高質量、更大尺寸的化合物半導體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅實基礎。在芯片設計與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結構的研發(fā)，有效提升了化合物半導體芯片的性能與集成度。

競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上，歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術、品牌和市場優(yōu)勢，在高端產品領域占據主導地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領域技術領先，其產品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)電源等對功率器件要求嚴苛的高端領域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導體產品方面技術成熟，產品在5G通信、航空航天等領域有著廣泛應用，例如其生產的射頻芯片為眾多通信設備提供了穩(wěn)定高效的信號處理能力。

同時，韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導體領域的深厚積淀與大規(guī)模生產能力，積極布局化合物半導體業(yè)務，在中低端市場通過成本控制與產能優(yōu)勢具備較強競爭力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來取得了顯著進展。

source：穩(wěn)懋半導體

穩(wěn)懋半導體等企業(yè)專注于化合物半導體代工領域，憑借豐富的代工經驗與較高的生產效率，在全球化合物半導體代工市場占據重要份額，為全球眾多設計公司提供生產制造服務。

而上述提到的先導科技集團在光谷投資建設的120億元化合物半導體基地，更是國內行業(yè)發(fā)展的一個重要縮影。

越來越多的國內企業(yè)開始涉足化合物半導體領域，在部分領域實現(xiàn)了從無到有的突破，逐步縮小與國際先進水平的差距。但整體而言，國內企業(yè)在技術研發(fā)實力、高端人才儲備以及產業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國際領先水平仍存在一定差距。

從應用領域拓展來看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領域，化合物半導體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領域的應用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預見的是，隨著技術的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導體將在更多領域大放異彩，成為推動全球科技產業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導體南清整理）

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source：珠海建安

據悉，由華芯微電子主導的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目是廣東省重點項目、珠海市產業(yè)立柱項目，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)總投資33.87億元。

該項目于2023年7月正式開工建設。2024年8月，華芯微電子將首批設備移入園區(qū)。同年11月，華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產。

據介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導體有限公司全資子公司，專注于化合物半導體晶圓代工業(yè)務，面向手機、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達等高中低頻射頻應用終端市場。

格力集團此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領投華芯半導體，助力華芯珠海核心團隊完成數(shù)億元融資，推動華芯（珠海）半導體砷化鎵總部研產基地項目落戶珠海，并在珠海投資建設產能達1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。（集邦化合物半導體Zac整理）

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根據公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設“年產1億顆光通信半導體激光芯片項目（一期）”，并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線，主要應用為光芯片技術領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產及銷售，產品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應用于半導體照明、背光、超高清顯示等多個領域。自2023年起，兆馳半導體進一步布局光通信領域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產業(yè)鏈。

近期，國內還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關項目披露了最新進展，分別由縱慧芯光、芯辰半導體等廠商主導建設。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產，達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。

另據“勢能資本”消息，芯辰半導體外延設備已于近日投產，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導體專注于生產VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產品廣泛應用于光通信、激光雷達等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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圖片來源：拍信網正版圖庫

據介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導體有限公司全資子公司，專注于化合物半導體晶圓代工業(yè)務，面向手機、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達等高中低頻射頻應用終端市場。

華芯（珠海）半導體有限公司主營數(shù)通VCSEL芯片，是以IDM模式實現(xiàn)25G&56G PAM4 VCSEL芯片大規(guī)模出貨的廠商，產品廣泛應用于光通信、物聯(lián)網、車聯(lián)網、移動穿戴裝置、光傳感裝置等新興產業(yè)場景。

據悉，華芯微電子主導的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目是廣東省重點項目、珠海市產業(yè)立柱項目，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)總投資33.87億元。

格力集團此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領投華芯半導體，助力華芯珠海核心團隊完成數(shù)億元融資，推動華芯(珠海)半導體砷化鎵總部研產基地項目落戶珠海，并在珠海投資建設總投資約34億元、產能達1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。

隨后在2023年8月17日，珠海高新區(qū)25個重點項目集中開工建設，其中包括由格力集團投資打造的華芯（珠海）半導體砷化鎵總部研產基地項目。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據此前中電三公司與武進日報披露，該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產，達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。

source：縱慧芯光

資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設計、生產和制造。企業(yè)自有6寸外延產線，可實現(xiàn)每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產產能，并建有封裝產線。公司產品主要應用于消費電子，汽車電子，光通訊等領域。

企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對其進行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。

值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導體光電子平臺項目也于9月封頂。

該項目將打造先進化合物半導體光電子研發(fā)生產平臺，進行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產線建設及器件封裝等。建成后，將具備年產1億顆芯片、500萬器件的能力。項目于2023年12月開工，預計2025年建成并全面投產。（集邦化合物半導體Morty整理）

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圖片來源：拍信網正版圖庫

格力集團消息顯示，今年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領投華芯半導體，助力華芯珠海核心團隊完成數(shù)億元融資，”以投促引”推動華芯(珠海)半導體砷化鎵總部研產基地項目落戶珠海，并在珠海投資建設總投資約34億元、產能達1.5萬片/月的6寸砷化鎵晶圓代工廠。

同時，格力集團通過旗下建設投資板塊出資約6.21億元，為華芯半導體分兩期建設總計容建面約8.26萬平方米的定制化5.0產業(yè)新空間。該項目預計2024年7月具備入駐條件、9月試投產，滿產后年產值可達32億元。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）

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