source：三安半導體

國際方面，1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。

3月28日，湖南三安與維諦技術(shù)宣布達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展。

而在今年5月27日，德國分銷商兼工程公司Finepower GmbH宣布，公司已與湖南三安簽署了分銷協(xié)議，后續(xù)將在歐洲銷售湖南三安的產(chǎn)品。資料顯示，F(xiàn)inepower GmbH成立于2001年，其中國總部位于深圳，專注于電力電子的各種應用，業(yè)務包含功率MOSFET、碳化硅和氮化鎵器件等。

國內(nèi)方面，在9月5日，湖南三安又與虹安微電子在長沙簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在加強雙方在碳化硅領(lǐng)域的合作，推動產(chǎn)能保障和技術(shù)支持，共同應對新能源汽車、光儲充等市場需求。

據(jù)介紹，通過戰(zhàn)略合作，湖南三安將為虹安微電子提供穩(wěn)定的碳化硅產(chǎn)能保障，確保后者能夠滿足客戶需求；同時，雙方將在碳化硅技術(shù)方面進行合作，加速技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。

作為湖南三安合作方，虹安微電子成立于2023年，產(chǎn)品包括低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET、MCU微控制器等，其產(chǎn)品廣泛應用于PC/服務器、消費電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源等領(lǐng)域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)集邦化合物半導體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實業(yè)、飛锃半導體、天域半導體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導體、極海半導體、矽力杰半導體、杰平方半導體、芯達茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚杰科技、東科半導體、國基南方、能華半導體、愛仕特、威兆半導體、中微半導體、晶彩科技、蓉矽半導體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導體、極海半導體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應用案例，彰顯了第三代半導體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導體

本屆展會，三安半導體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。

三安半導體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應用領(lǐng)域包括光伏儲能、車載充電機、充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導體自主設(shè)計了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點。

英飛凌

在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動汽車展區(qū)，英飛凌進行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達驅(qū)動解決方案。

德州儀器

本屆展會，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機器人和伺服驅(qū)動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機系統(tǒng)設(shè)計的先進650V三相GaN IPM。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應用過程中安全可靠的運行。此外，其導通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運行時依舊具有較低的導通損耗。

目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應用在大功率充電模塊上，累計經(jīng)受了88萬小時的電動汽車充電實戰(zhàn)應用，包括夏季戶外高溫場景，累計為新能源汽車進行了800多萬度電的超快充電。

泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設(shè)計、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計等特點。

英諾賽科

本屆展會，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費與家電的240W LED驅(qū)動方案，500W電機驅(qū)動方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚杰科技

本屆展會，揚杰科技帶來了最新系列產(chǎn)品和全面應用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應用解決方案。

東科半導體

本屆展會，東科半導體重點展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動+半橋GAN器件，實現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關(guān)頻率，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路。

國基南方

本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達百微米，屬于國內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達到6N。

其中，半絕緣型半導體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實現(xiàn)百微米到毫米級精準控制，產(chǎn)品純度可達到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導電型半導體級SiC多晶粉主要針對導電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導體級SiC多晶粉相當，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導體

本屆展會，蓉矽半導體重點展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應用解決方案。

在光伏逆變器主拓撲應用中，蓉矽半導體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導體EJBS+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)；MOCVD反應室專用石英與石墨制品設(shè)計生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務。

鎵未來

本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實現(xiàn)高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅(qū)動SiC功率器件的隔離驅(qū)動產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動下指標表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了應用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、消費電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應用于新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應用于消費電子場景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

能華半導體

本屆展會，能華半導體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導體是國內(nèi)唯一同時量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。

公開資料顯示，能華半導體于2010年成立，是全球為數(shù)不多同時掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛仕特

本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導通電阻等特性，低開關(guān)損耗支持更高開關(guān)頻率運行，高耐用性的封裝實現(xiàn)更高可靠性及更長的壽命周期，半導體芯片面積更小實現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負壓驅(qū)動或短路保護功能的SiC專用驅(qū)動芯片IVCO141x。

瑞能半導體

本屆展會，瑞能半導體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復性能基本不變的情況下，降低VF，減少導通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導體

本屆展會，萃錦半導體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。

目前，萃錦半導體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風電、工業(yè)驅(qū)動等場景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應用。

翠展微電子

本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計的，該方案具有高功率密度、可擴展性好、可靠性高、抗震動性能強等優(yōu)點，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過采用銅Clip工藝實現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會，Vishay在現(xiàn)場展示了各類無源和分立半導體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應用標準封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導通電阻，同時提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計劃發(fā)布的AEC-Q101標準車規(guī)級產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達四個分立式SiC FET，從而簡化熱機械設(shè)計和裝配。并且這些模塊搭載獨特的共源共柵配置，最大限度地降低導通電阻和開關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應用于電動汽車設(shè)計中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計帶來更高的設(shè)計效率。

小結(jié)

從本屆展會三代半相關(guān)廠商重點展品來看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產(chǎn)品邁進，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應用向高壓大功率發(fā)展趨勢。

以SiC和GaN為代表的第三代半導體對于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機遇。（文：集邦化合物半導體Zac）

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加速8英寸轉(zhuǎn)型

目前在SiC產(chǎn)業(yè)內(nèi)，各大廠商都在積極轉(zhuǎn)型8英寸，三安光電也在其中。湖南三安SiC項目一期在全線投產(chǎn)后，為順應6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型大趨勢，二期項目全部導入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝。近日，湖南三安8英寸SiC產(chǎn)線取得了積極進展。

7月2日，三安光電在投資者互動平臺表示，湖南三安項目后續(xù)擴產(chǎn)將生產(chǎn)8英寸SiC產(chǎn)品，目前，8英寸SiC襯底已開始試產(chǎn)，8英寸SiC芯片預計于12月投產(chǎn)。

隨著8英寸SiC襯底開始試產(chǎn)，湖南三安將會越來越接近正式量產(chǎn)，進而推動三安光電加快實現(xiàn)向8英寸襯底廠商成功轉(zhuǎn)型。

作為國內(nèi)唯一一家布局第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的廠商，三安光電8英寸襯底開始試產(chǎn)以及最終實現(xiàn)量產(chǎn)，將會為后續(xù)器件、模塊以及終端應用提供更具競爭力的產(chǎn)品，推動SiC產(chǎn)業(yè)鏈向8英寸轉(zhuǎn)型升級。依托自身的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，三安光電有望加速8英寸SiC從襯底到終端應用全流程的落地實施。

多場景滲透

在湖南三安SiC項目一期全線投產(chǎn)后，其SiC年產(chǎn)能已達到25萬片（6英寸），二期項目投產(chǎn)后，整個項目將實現(xiàn)總計年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。而且隨著8英寸產(chǎn)品的引入，整體項目的產(chǎn)品質(zhì)量有望進一步提升。

在湖南三安不斷加碼SiC產(chǎn)能的同時，業(yè)務及市場拓展也在同步推進。圍繞車載應用，湖南三安已先后與理想汽車以及意法半導體等知名廠商達成合作；在光伏領(lǐng)域，湖南三安的合作伙伴包括陽光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威、上能等；在今年3月與維諦技術(shù)達成戰(zhàn)略合作后，湖南三安有望加快數(shù)據(jù)中心市場SiC應用進程。

在8英寸SiC產(chǎn)品量產(chǎn)后，湖南三安有望在SiC多個應用場景進一步滲透。在積極推進8英寸量產(chǎn)的同時，湖南三安近日還成立了一家控股子公司，加強市場拓展。

公開資料顯示，湖南三安半導體科技有限公司成立于2024年6月，經(jīng)營范圍含電力電子元器件銷售、半導體分立器件銷售、半導體器件專用設(shè)備銷售等。股東信息顯示，該公司由湖南三安半導體有限責任公司（持股比例90%）和廈門市三安半導體科技有限公司（持股比例10%）共同持股，由三安光電間接全資持股。

向營收凈利雙增目標邁進

通過成立新的市場主體，湖南三安為8英寸新產(chǎn)品順利進入市場打下了基礎(chǔ)，8英寸產(chǎn)品有望成為三安光電業(yè)績增長新的動力。而在近日，事關(guān)業(yè)績，三安光電還有一個利好消息傳出。

6月28日晚間，三安光電發(fā)布公告稱，其收到政府補助資金約3.64億元，占公司最近一期經(jīng)審計歸屬于上市公司股東凈利潤的99.41%。這將對三安光電2024年第二季度損益產(chǎn)生積極影響，進而對其全年業(yè)績產(chǎn)生積極影響。

2023年全年，三安光電實現(xiàn)營收140.53億元，同比增長6.28%；歸母凈利潤3.67億元，同比下滑46.50%。在8英寸產(chǎn)品以及補助資金的助力下，三安光電有望加快實現(xiàn)營收凈利雙雙增長目標。

根據(jù)公告，在三安光電3.64億元補助資金當中，有2億元是2024年度科技研發(fā)專項扶持資金。一方面，扶持資金有助于三安光電穩(wěn)健推進8英寸量產(chǎn)；另一方面，在8英寸領(lǐng)域的成果，有望為三安光電爭取到更多補助，形成良性循環(huán)，最終推動業(yè)績增長。

小結(jié)

整體來看，三安光電正在全面布局8英寸SiC市場并且進展較快，有望在業(yè)內(nèi)較早完成8英寸轉(zhuǎn)型升級，疊加在市場拓展、科研補助等方面的利好消息加持，三安光電將進一步鞏固其在SiC產(chǎn)業(yè)的地位。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：湖南三安

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達到25萬片（6英寸）。二期正在建設(shè)中，將全部導入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝，計劃今年三季度投產(chǎn)。整個項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)總計年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

據(jù)悉，該項目作為國內(nèi)首個、世界第三個SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。該項目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項目二期工程開工。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

合作方面，湖南三安與維諦技術(shù)于3月28日宣布達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖?，湖南三安SiC業(yè)務有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域加速滲透。（集邦化合物半導體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，2023年6月，意法半導體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預計約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片，主要應用在新能源汽車主驅(qū)逆變器、充電樁和車載充電器上。

意法半導體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。

為主導該合資項目實施，湖南三安半導體有限責任公司和意法半導體（中國）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應協(xié)議。

為推進SiC襯底制造廠項目實施，湖南三安半導體有限責任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導體有限責任公司，注冊資本18億人民幣。

整體來看，重慶三安意法半導體項目總投資約300億元，全面整合了8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)制造，致力于建設(shè)技術(shù)先進的8英寸SiC襯底和芯片工廠。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：湖南三安

湖南三安持續(xù)深化車用、光伏領(lǐng)域布局

此前，湖南三安已先后與國內(nèi)新能源汽車頭部廠商理想汽車以及全球半導體巨頭意法半導體達成合作。早在2022年8月，理想汽車功率半導體研發(fā)及生產(chǎn)基地正式啟動建設(shè)，該生產(chǎn)基地由理想汽車與湖南三安共同出資組建的蘇州斯科半導體公司打造。

據(jù)悉，該基地在2024年正式投產(chǎn)后預計產(chǎn)能將逐步提升并最終達到240萬只SiC半橋功率模塊的年生產(chǎn)能力。這些SiC功率模塊產(chǎn)品，將有助于理想汽車提升技術(shù)和產(chǎn)品競爭力，同時通過較高產(chǎn)能確保理想新能源汽車量產(chǎn)供應。

而在2023年6月，湖南三安又與意法半導體合作，擬在重慶共同建立一個新的8英寸SiC器件合資制造工廠。成立這座工廠的目的，湖南三安與意法半導體都給出了明確解釋。

湖南三安表示，本次合資工廠的建立，將推動SiC器件在市場上廣泛應用，助推新能源汽車行業(yè)快速發(fā)展。意法半導體則表示，中國汽車和工業(yè)領(lǐng)域正朝著電氣化方向快速發(fā)展，對意法半導體而言，與中國本土廠商合建這座工廠，將幫助其更好地滿足中國客戶不斷增長的需求。簡而言之，此次與湖南三安合作，有利于意法半導體在中國市場拓展車用業(yè)務。通過這兩次重磅合作不難發(fā)現(xiàn)，湖南三安正在持續(xù)加大SiC車用導入力度。

此外，近年來，湖南三安還與陽光電源在光伏等多個領(lǐng)域展開深入合作，并進行定制化產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)。目前，在光伏領(lǐng)域，湖南三安的合作伙伴包括陽光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威、上能等，未來，大概率將會有更多廠商成為湖南三安SiC產(chǎn)品用戶。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

當前，新能源汽車已成為SiC主要應用市場之一，也是SiC產(chǎn)業(yè)近年來的核心增長引擎。同時，憑借器件優(yōu)勢給光伏逆變器帶來的整機性能和成本優(yōu)勢，SiC功率器件在光伏領(lǐng)域?qū)⒌玫礁鼜V泛認可和應用?；诖?，湖南三安有望繼續(xù)加大車用、光伏領(lǐng)域投入力度，穩(wěn)固業(yè)務基本盤。

湖南三安拓展數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域

作為一家數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施解決方案提供商，維諦技術(shù)業(yè)務版圖包括數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡、商業(yè)和工業(yè)三大塊。此次與維諦技術(shù)合作，湖南三安的觸角將進一步延伸。

據(jù)悉，數(shù)據(jù)中心是全球協(xié)作的特定設(shè)備網(wǎng)絡，用來在網(wǎng)絡基礎(chǔ)設(shè)施上傳遞、加速、展示、計算、存儲數(shù)據(jù)信息。當前，以數(shù)據(jù)中心為代表的數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施應用場景不斷擴大，全球數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機遇。

與傳統(tǒng)的硅功率器件和其他方案相比，SiC技術(shù)可極大提升數(shù)據(jù)中心的能源效率，在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施市場應用潛力較大，有望吸引各大SiC廠商切入數(shù)據(jù)中心賽道，湖南三安已成為其中之一。

維諦技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡等領(lǐng)域擁有超過70年的發(fā)展歷史，將利用其在數(shù)據(jù)中心和通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的廣泛布局，為湖南三安SiC產(chǎn)品提供更多市場渠道和應用場景。

雙方合作并不僅限于產(chǎn)品供應，還包括共同研發(fā)、市場推廣和技術(shù)交流等多個層面，這有助于湖南三安對數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)有更加全面和深入的了解，并攜手維諦技術(shù)研發(fā)更具針對性的技術(shù)和產(chǎn)品。

在SiC產(chǎn)能規(guī)模、技術(shù)水平方面的沉淀，疊加車用、光伏領(lǐng)域應用經(jīng)驗，在與維諦技術(shù)達成戰(zhàn)略合作后，湖南三安有望加快數(shù)據(jù)中心市場應用進程。

小結(jié)

整體來看，在當前SiC最大應用市場新能源汽車領(lǐng)域，湖南三安已經(jīng)成為實力玩家之一，在此基礎(chǔ)上，逐步向其他場景滲透順理成章。通過一系列合作，湖南三安持續(xù)完善SiC多場景應用布局，未來，在新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心、軌道交通等SiC熱門應用賽道，都將有湖南三安的足跡。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：湖南三安

據(jù)悉，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

SiC SBD累計出貨量突破2億顆，意味著湖南三安SiC SBD系列產(chǎn)品受到較多客戶青睞，對其拓展國內(nèi)、國際市場是一大利好消息，有望為該公司SiC器件業(yè)務帶來更多簽單機會。

據(jù)了解，湖南三安半導體基地項目致力于建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，項目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月，湖南三安半導體基地項目二期開建，總投資為80億元，全面達產(chǎn)后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC晶圓的年產(chǎn)能。湖南三安半導體基地二期工程目前已進入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。

在緊盯SiC產(chǎn)能的同時，湖南三安也瞄準了海外市場。1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。

Luminus在美洲地區(qū)擁有銷售團隊，包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等，并且在SiC、GaN功率半導體市場已有布局。與Luminus合作，湖南三安SiC、GaN產(chǎn)品能夠更加順利地打入美洲市場。

值得一提的是，2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式躋身國內(nèi)8英寸SiC襯底廠商行列。（集邦化合物半導體Zac整理）

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湖南三安借力Luminus快速打入美洲市場

目前，湖南三安半導體的業(yè)務分為兩部分，一是提供SiC二極管和MOSFET等交鑰匙解決方案，二是為半導體客戶提供代工服務，產(chǎn)品覆蓋SiC襯底、外延和裸die等。

Luminus總部位于美國，在LED封裝等光電領(lǐng)域擁有較高的市場地位，到目前為止仍處于全球LED封裝市場的前列。隨著功率半導體市場的快速發(fā)展，Lumninus的業(yè)務范圍也逐漸延伸至SiC和GaN功率半導體材料、晶圓代工和元件等高成長性市場。

值得注意的是，三安光電在2013年收購了Luminus 100%的股權(quán)，后者現(xiàn)與湖南三安一樣同屬三安光電的全資子公司。因此，本次雙方的合作既順理成章，也是水到渠成。

目前，SiC產(chǎn)業(yè)仍處于供不應求的階段，在產(chǎn)能緊缺的背景下，結(jié)合前幾年全球供應鏈中斷等帶來的一系列供貨、交貨、物流等問題，各地客戶在選擇供應商方面都更傾向與本地廠商合作，如此便可享受便捷的服務和技術(shù)支持，還能夠縮短交貨周期。

而Luminus在美洲地區(qū)擁有經(jīng)驗豐富的銷售團隊，包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等，多年來積累了豐厚的銷售經(jīng)驗，并且在SiC、GaN功率半導體市場已有布局。對于湖南三安SiC & GaN產(chǎn)品打入美洲市場而言，與Luminus合作是一個快速且高效的途徑。

除了利用Luminus的銷售渠道拉近與美洲地區(qū)客戶的距離之外，湖南三安自身也有一些優(yōu)勢。據(jù)Luminus介紹，湖南三安大部分產(chǎn)品的交期可縮短至8周。因此，雙方認為，此次合作有望為功率半導體相關(guān)領(lǐng)域的客戶解決交貨期長的問題。

圖源：湖南三安半導體

產(chǎn)能方面，到2025年初，湖南三安半導體工廠規(guī)劃產(chǎn)能將翻倍。另據(jù)2023年12月消息，2023年上半年末，湖南三安的6英寸SiC產(chǎn)能為1.5萬片/月，預計2023年末至2024年初，產(chǎn)能規(guī)劃擴產(chǎn)至1.8萬-2萬片/月。未來，湖南三安將繼續(xù)推進擴產(chǎn)進程。

國產(chǎn)第三代半導體加速滲透全球市場

在第三代半導體領(lǐng)域，國內(nèi)廠商在技術(shù)、產(chǎn)能和市場開發(fā)方面正在全力追趕國際廠商。以SiC為例，經(jīng)過幾年的努力，業(yè)界認為國內(nèi)SiC襯底等材料技術(shù)與國際廠商之間的差距已經(jīng)大幅縮小，而且國產(chǎn)材料在全球市場的滲透率正在提升，這些從近年來的合作可見一斑。

譬如，英飛凌與天岳先進、天科合達都簽訂了SiC襯底長期供貨協(xié)議，涉及6英寸和8英寸；中電化合物也與韓國Power Master公司簽署了長期供應SiC材料（含8英寸）的協(xié)議···這些側(cè)面反映了國產(chǎn)企業(yè)材料技術(shù)水平、產(chǎn)品質(zhì)量、供貨能力等方面都已獲得認可。

與材料環(huán)節(jié)有所不同，國產(chǎn)SiC芯片環(huán)節(jié)目前還有較大的提升空間。據(jù)業(yè)內(nèi)專家介紹，當前，國內(nèi)SiC二極管已經(jīng)實現(xiàn)了一定規(guī)模的生產(chǎn)，但SiC MOSFET則剛剛進入產(chǎn)業(yè)，處于量產(chǎn)的初期階段，工業(yè)級產(chǎn)品占主體，車規(guī)級產(chǎn)品通過驗證的仍占少數(shù)，總體而言與國際廠商仍有較大差距，這也是目前及未來國產(chǎn)企業(yè)努力的方向。

可喜的是，近年來SiC芯片領(lǐng)域的好消息越來越多。一方面，更多國產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)認證，如湖南三安、飛锃半導體、芯塔電子、瞻芯電子等；另一方面，國產(chǎn)SiC芯片也在加速滲透全球市場。

湖南三安本次通過Luminus進軍美洲市場，從產(chǎn)品推廣的角度上看，這在一定程度上有望推動國產(chǎn)SiC產(chǎn)品打開在國際市場的知名度。不止湖南三安，國內(nèi)許多產(chǎn)業(yè)鏈廠商均在積極布局全球市場，由此可以期待，國產(chǎn)SiC芯片未來可望加快走向全球市場。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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2023年開年以來，湖南三安的業(yè)務延續(xù)高速發(fā)展的趨勢。據(jù)長沙高新區(qū)消息，湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園1月銷售額近1億元，2月銷售額預計超過1億元，預計后續(xù)的銷售額也將逐月穩(wěn)步提升。訂單方面，產(chǎn)業(yè)園目前已獲得客戶訂單金額 5.59億元，訂單量處于飽和狀態(tài)，呈現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺的態(tài)勢。

圖片來源：拍戲網(wǎng)正版圖庫

作為國內(nèi)首條、全球第三條SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，湖南三安半導體基地一期項目于2021年6月正式點亮投產(chǎn)，產(chǎn)線覆蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造、封裝測試等主要環(huán)節(jié)，建成后可實現(xiàn)6英寸SiC晶圓月產(chǎn)能30,000片，面向新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等應用領(lǐng)域。

據(jù)園區(qū)負責人介紹，截至1月31日，園區(qū)內(nèi)各條產(chǎn)線均已復工滿產(chǎn)。目前，湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園一期的主生產(chǎn)設(shè)備大部分已進入運行狀態(tài)，還有一部分設(shè)備正陸續(xù)到廠安裝，調(diào)試工作也在緊密推進中。二期項目也已于2022年7月正式開工建設(shè)，去年1-9月期間，項目二期完成年度投資96.9%。

從宏觀環(huán)境來看，國內(nèi)外市場正在進一步復蘇，新能源汽車、光伏儲能等市場也將保持快速發(fā)展的趨勢，有望進一步帶動相關(guān)應用領(lǐng)域?qū)iC、GaN產(chǎn)品的需求。從第三代半導體行業(yè)本身的發(fā)展來看，需求持續(xù)呈現(xiàn)旺盛之勢，這一點從開年來產(chǎn)業(yè)鏈廠商的訂單情況可見一斑，湖南三安1-2月的銷售情況也成為了佐證。

未來，隨著產(chǎn)能的逐步釋放，湖南三安的第三代半導體產(chǎn)品銷售占比有望穩(wěn)步提升，為三安光電貢獻顯著的營收。（化合物半導體市場Jenny整理）

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昨（9）日，三安光電發(fā)布公告宣布，全資子公司湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得2億元補貼款。

公告顯示，根據(jù)公司與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資建設(shè)合同》，長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意按合同約定，撥付湖南三安設(shè)備購置產(chǎn)業(yè)扶持資金2億元。湖南三安已于2021年6月8日收到該筆款項。

三安光電表示，根據(jù)相關(guān)規(guī)定，湖南三安收到的該筆設(shè)備購置產(chǎn)業(yè)扶持資金在收到時確認為遞延收益，并在相關(guān)資產(chǎn)使用壽命內(nèi)平均分攤計入損益。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

福日電子今年累計獲政府補助1988.66萬元

8日，福日電子發(fā)布公告宣布，近日，公司收到福州高新園區(qū)企業(yè)扶持金970萬元。截至本公告披露日，2021年公司及所屬公司累計收到政府補助共計1988.66萬元。

福日電子表示，公司根據(jù)《企業(yè)會計準則第16號-政府補助》的有關(guān)規(guī)定，上述補助與公司日常經(jīng)營活動相關(guān),將對公司2021年度利潤產(chǎn)生積極影響。（LEDinside整理）

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