上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發(fā)完成。
該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低... [詳內(nèi)文]
新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 10 月 30 日 17:40 | 分類 功率 |