Tag Archives: 射頻氮化鎵

總投資6億、年產(chǎn)3000片，博康嘉興氮化鎵項(xiàng)目開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開工。 該項(xiàng)目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套，用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。 項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

射頻氮化鎵企業(yè)Gallium Semiconductor在菲律賓設(shè)廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 16 日 17:23 | 分類 產(chǎn)業(yè)
日前，新加坡GaN氮化鎵射頻半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Gallium Semiconductor宣布已在菲律賓建設(shè)了制造工廠，并于2月3日舉行了開業(yè)儀式。 Gallium Semiconductor專注于為5G移動(dòng)通訊網(wǎng)絡(luò)、航空航天、國防、工業(yè)、科學(xué)及醫(yī)療等領(lǐng)域設(shè)計(jì)、開發(fā)與量產(chǎn)高性能...  [詳內(nèi)文]