宇騰科技推出1200V GaN功率器件

據(jù)陜西宇騰電子科技有限公司（以下簡稱“宇騰科技”）官微消息，公司日前自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件（GaN-on-Sapphire HEMT），工作電壓（Vds）可達(dá)1200V，已進(jìn)入量產(chǎn)階段并通過可靠性測試。

source：宇騰科技

宇騰科技介紹，公司旗下藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件工作電壓可達(dá)到1200V，目前已量產(chǎn)四種型號，規(guī)格分別為：150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。此外，公司的1200V藍(lán)寶石基氮化鎵系列產(chǎn)品中，25mΩ/60A規(guī)格產(chǎn)品正在開發(fā)測試中，預(yù)計2024年Q4實現(xiàn)量產(chǎn)。

資料顯示，宇騰電子致力于第三代半導(dǎo)體GaN外延片、光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)。公司擁有完整的GaN外延片生產(chǎn)線，是我國目前西部地區(qū)唯一一家GaN外延片生產(chǎn)企業(yè)。

云鎵半導(dǎo)體推出世界首款12英寸650V/12 mR晶圓

近日，云鎵半導(dǎo)體推出了一款產(chǎn)品——650V/12mR 超大電流芯片，并表示這是全球首款12英寸的GaN晶圓。

12-inch 與 6-inch 氮化鎵晶圓對比圖（source：云鎵半導(dǎo)體）

云鎵半導(dǎo)體指出，該芯片實現(xiàn)了12mR超低導(dǎo)通電阻，測試良率>90%。該產(chǎn)品具備2P1M結(jié)構(gòu)，焊盤表面成分為CuNiAu，最小尺寸為1000um，支持Al線焊接。非焊盤區(qū)域增加了一層PI防護(hù)，保障了高壓異名端間的耐壓間距。

據(jù)悉，云鎵半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事GaN功率器件及解決方案的設(shè)計公司，現(xiàn)有上海、杭州、深圳三個研發(fā)及辦事機(jī)構(gòu)。目前，公司已推出多款GaN功率器件及IC類產(chǎn)品，應(yīng)用場景可覆蓋中小功率與大功率電源領(lǐng)域。

云鎵半導(dǎo)體表示，未來公司將就GaN在電動汽車的主驅(qū)應(yīng)用加大研究，基于12inch+12mR的基礎(chǔ)技術(shù)，逐步解決短路耐量問題（目標(biāo): 12us），并拓寬GaN的額定電壓以適配 800V 高端車型（目標(biāo): 1200V）。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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