source：納設(shè)智能

原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種薄膜沉積技術(shù)，可歸于化學(xué)氣相沉積大類。相對于一般化學(xué)氣相沉積，其具有獨(dú)特的表面自限制化學(xué)效應(yīng)，因而可以逐個原子層生長各種化合物或單質(zhì)薄膜材料，實(shí)現(xiàn)更精確的厚度控制。該技術(shù)制備的薄膜具有良好的的厚度均勻性，優(yōu)異的一致性，突出的三維保型性，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。

納設(shè)智能利用自身在半導(dǎo)體外延設(shè)備、化學(xué)氣相沉積技術(shù)等方面積累的經(jīng)驗(yàn)及軟硬件基礎(chǔ)，推出了規(guī)格更嚴(yán)、性能更優(yōu)的ALD設(shè)備。
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納設(shè)智能的ALD設(shè)備可對玻璃、硅片等襯底材料進(jìn)行超薄氧化物、氮化物等材料的鍍膜，可以制備出均勻性好、保形性優(yōu)、致密性佳的薄膜材料，可應(yīng)用于對超薄薄膜（1nm~50nm）有需求的各個領(lǐng)域。

來源：納設(shè)智能

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