10億元！浙江桐鄉(xiāng)新增一氮化硅項目

據(jù)桐鄉(xiāng)發(fā)布官微消息，5月31日，總投資10億元的氮化硅材料項目成功簽約落地桐鄉(xiāng)。

此次簽約項目選址崇福鎮(zhèn)融杭經濟區(qū)，總投資10億元，供地150畝，主要生產氮化硅高純粉體及其制品，其中一期項目計劃投資5億元。項目全部達產后預計可實現(xiàn)年產值6億元。

資料顯示，氮化硅廣泛應用于新能源汽車、半導體、光伏、醫(yī)療器材、太陽能電池、手機底板、航空航天等領域，是新能源汽車、風電、光電、半導體等領域的關鍵零部件，也是第三代半導體碳化硅芯片最匹配的封裝材料。

馬來西亞富樂華功率半導體陶瓷基板項目封頂

5月31日，馬來西亞富樂華功率半導體陶瓷基板項目封頂儀式正式啟動。

據(jù)了解，2023年7月，富樂華宣布在馬來西亞投資5億馬幣（折合人民幣約7.7億元）用來建設6萬平米的現(xiàn)代化辦公樓、生產廠房和支持系統(tǒng)，規(guī)劃建成2條年產600萬片DCB和AMB功率半導體陶瓷載板生產線。該項目自2023年11月2日在馬來西亞新山正式開工，經過200余天的建設，如期實現(xiàn)了項目主體結構封頂。

富樂華是FerroTec集團的子公司，專注于功率半導體覆銅陶瓷載板（AMB、DCB、DPC、DBA、TMF）以及載板制作供應鏈材料的集研發(fā)、制造、銷售。

陶瓷覆銅載板是高壓大功率IGBT模塊的重要組成部件，既具有陶瓷的高導熱、高電氣絕緣、較高機械強度等特性，又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)良焊接性能，還能制作出各種圖形，是適用于SiC芯片、大功率IGBT模塊、半導體制冷制熱器件的封裝材料。

富樂華表示，這一項目的建設，是為了滿足廣大客戶日益增長的需求并謀求集團公司在功率半導體業(yè)務板塊的全球化戰(zhàn)略發(fā)展與布局。（集邦化合物半導體Morty整理）

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據(jù)悉，盤古半導體先進封測項目的運營公司為江蘇盤古半導體科技股份有限公司。該公司由華天科技于2023年12月發(fā)起設立，主要從事FOPLP集成電路封測業(yè)務。華天科技全資子公司華天江蘇持有其60%的股權。

項目投資總額為30億元，預計將于今年啟動建設。項目分兩個階段建設，其中一階段建設期為2024至2028年，擬用地115畝，新建總建筑面積約12萬平方米的廠房及相關附屬配套設施，推動板級封裝技術的開發(fā)及應用。項目達產后預計年產值不低于9億元，年經濟貢獻不低于4000萬元。

據(jù)了解，南京已成為華天科技重要的產業(yè)基地之一。項目方面，華天科技于2018年投資80億元，啟動建設華天南京一期項目；2021年投資99.5億元，建設晶圓級先進封測生產線項目；2024年3月，華天科技追投100億元，布局華天南京二期項目。

這也就意味著，加上本次簽約的盤古半導體先進封測項目，華天科技在南京已累計投資了309.5億元。

圖片來源：拍信網正版圖庫

華天科技是國內封測領域龍頭企業(yè)，主要從事半導體集成電路研發(fā)、生產、封裝、測試、銷售；LED和MEMS研發(fā)、生產、銷售。

其中，集成電路封裝產品主要有DIP/SDIP、SOT、SOP、SSOP、TSSOP/ETSSOP、QFP/LQFP/TQFP、QFN/DFN、BGA/LGA、FC、MCM（MCP）、SiP、WLP、TSV、Bumping、MEMS、Fan-Out等多個系列，應用范圍涵蓋計算機、網絡通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領域。

業(yè)績方面，2023年，華天科技共完成集成電路封裝量469.29億只，同比增長11.95%，晶圓級集成電路封裝量127.30萬片，同比下降8.38%；完成營業(yè)收入112.98億元，實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2.26億元。

其中，來自集成電路業(yè)務的營收為112.30億元，來自LED業(yè)務的營收為0.68億元。（來源：LEDinside）

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同日Resonac宣布作為日本首家戰(zhàn)略材料制造合作伙伴加入位于美國得克薩斯州的半導體相關制造商聯(lián)盟“得克薩斯電子研究所”（TIE），后者的成員還包括AMD、美光科技、英特爾、應用材料等公司。
資料顯示，Resonac前身為昭和電工（Showa Denko），是一家先進的薄膜等封裝材料制造商。

作為一家先進半導體材料廠商，發(fā)力以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料是其必由之路?，F(xiàn)實也確實如此，Resonac正聚焦SiC材料。

事實上，Resonac早在2010年就開始研發(fā)SiC外延技術，并在2015年推出第一代SiC外延技術，隨后在2019年推出每平方厘米SiC外延膜缺陷低于0.1個的第二代SiC外延技術。在這近十年時間內，Resonac深耕技術研發(fā)，積蓄力量，等待爆發(fā)。

圖片來源：拍信網正版圖庫

近年來，Resonac加快了研發(fā)腳步，也迎來了收獲時刻。從2022年3月以6英寸線進行第二代SiC外延片量產出貨，到Resonac從2022年9月起提供8英寸SiC外延片樣品，再到2023年3月開始提供第三代SiC外延片樣品，Resonac都是在短短半年時間實現(xiàn)了技術迭代升級，進展迅速。

值得一提的是，Resonac的SiC材料業(yè)務，只提供襯底與外延產品，最終零件由客戶制造，因此Resonac和英飛凌、羅姆等半導體巨頭更多的是協(xié)同而非競爭關系，攜手合作順理成章。

今年初，英飛凌擴大與Resonac公司的合作。根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供用于生產SiC半導體的SiC材料，預計占其未來十年需求量的兩位數(shù)份額。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術相關的知識產權，這在一定程度上有助于Resonac提升SiC外延片技術和產品質量。

或許是受供貨需求的刺激，Resonac推出了規(guī)模龐大的擴產計劃。Resonac將使SiC外延片的產量在2026年之前增至月產5萬片（按直徑6英寸換算），增至今年初產能的約5倍，到2025年還將開始量產8英寸SiC襯底。

如果說Resonac之前的客戶大多集中在歐亞，那么此次在硅谷設立研發(fā)中心，則吹響了大規(guī)模進軍美國市場的號角。（集邦化合物半導體Zac整理）

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