source：住友重工離子技術(shù)公司

報介紹，離子注入設(shè)備將磷、硼等雜質(zhì)離子注入晶圓中，以改變其電特性。對于硅晶片，在離子注入后進(jìn)行熱處理以恢復(fù)結(jié)晶度。但對于SiC來說，僅用離子注入后的熱處理也難以恢復(fù)結(jié)晶性。慣用的方法是將SiC晶片加熱至約500攝氏度之后，再進(jìn)行離子注入并進(jìn)行熱處理。由于其操作工藝復(fù)雜，因此，SiC半導(dǎo)體存在產(chǎn)量比硅半導(dǎo)體低的問題。

此次，住友重工離子技術(shù)公司計劃改進(jìn)其推出的產(chǎn)品的離子注入方法，在保持SiC半導(dǎo)體質(zhì)量的同時提高產(chǎn)量。

值得一提的是，同為離子注入設(shè)備廠商的Axcelis，其SiC離子注入機(jī)設(shè)備訂單表現(xiàn)突出—2023年，SiC設(shè)備業(yè)務(wù)營收占Axcelis總營收的34%，成為其業(yè)績重要組成部分和增長動力。今年，在不到一個月的時間內(nèi)，Axcelis已完成三起SiC設(shè)備訂單的出貨，客戶包括中國、日本等地的功率器件制造商。

source：Axcelis

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty）

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