source：天眼查

優(yōu)睿譜表示，本輪融資將用于晶圓邊緣檢測設(shè)備SICE200、晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200、晶圓位錯(cuò)及微管檢測設(shè)備SICD200、多種半導(dǎo)體材料膜厚測量設(shè)備Eos200DSR等多款設(shè)備的量產(chǎn)，新布局產(chǎn)品的研發(fā)以及團(tuán)隊(duì)的擴(kuò)充。

優(yōu)睿譜持續(xù)擴(kuò)展碳化硅相關(guān)設(shè)備產(chǎn)品線

早在2022年6月初，優(yōu)睿譜首臺(tái)半導(dǎo)體專用FTIR（傅立葉變換紅外光譜）測量設(shè)備Eos200就已正式交付客戶，目前該設(shè)備已通過客戶測試，正式在客戶端上線使用。

2023年，優(yōu)睿譜推出了碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢測設(shè)備SICD200和晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200。其中，SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測的整片晶圓全檢測，并已獲境外顧客訂單；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測量，已得到多家客戶的訂單。

今年6月，優(yōu)睿譜又成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測設(shè)備SICE200，該設(shè)備可兼容6/8英寸碳化硅/硅襯底和外延晶圓邊緣檢測，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓360°檢測，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光機(jī)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測速率。

據(jù)悉，優(yōu)睿譜研發(fā)的一系列半導(dǎo)體前道量測設(shè)備是半導(dǎo)體芯片制造過程中的核心設(shè)備之一，技術(shù)門檻高，對(duì)提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進(jìn)工藝迭代起著重要作用。隨著國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)前道量測設(shè)備的需求量持續(xù)走高，優(yōu)睿譜順勢進(jìn)行了一系列產(chǎn)品布局。

在第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)日益火熱的趨勢下，為滿足市場需求，優(yōu)睿譜近兩年推出的設(shè)備產(chǎn)品基本都適用于碳化硅領(lǐng)域，因此也得到了一部分訂單。

融資、出貨、擴(kuò)產(chǎn)，碳化硅設(shè)備廠商有點(diǎn)忙

受益于碳化硅產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，作為一家碳化硅設(shè)備廠商，優(yōu)睿譜近期在融資、研發(fā)、出貨等方面動(dòng)作頻頻，忙得不亦樂乎，同行們也都不遑多讓。

融資方面，一塔半導(dǎo)體（ETA-Semitech）在6月初完成數(shù)千萬Pre-A輪融資，投資方為合肥海恒科創(chuàng)產(chǎn)投基金及相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資人。一塔半導(dǎo)體致力于半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)，目前已成功研發(fā)外延系統(tǒng)（MOCVD）和退火系統(tǒng)（激光退火/RTP），擁有碳化硅/氮化鎵外延生長方案，快速熱處理（RTA）、熱氧化（RTO）、熱氮化（RTN）、離子注入退火、金屬合金、功率芯片背面激光退火等解決方案。

而在今年5月，思銳智能完成了最新一輪融資，投資方包括青松資本、中金資本、中車四方所、中車資本、石溪資本、千帆資本等知名機(jī)構(gòu)。思銳智能主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜（ALD）設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器（LDI）設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

市場拓展方面，7月16日，愛思強(qiáng)宣布安世半導(dǎo)體訂購了愛思強(qiáng)用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備，安世半導(dǎo)體還訂購了愛思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備；同在7月16日，Aehr宣布，一家碳化硅測試和預(yù)燒客戶向其訂購了多套WaferPak全晶圓接觸器，用于滿足電動(dòng)汽車市場碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)預(yù)燒和篩選的生產(chǎn)需求，預(yù)計(jì)將在未來三個(gè)月內(nèi)交付；今年上半年在不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)，Axcelis已完成三起碳化硅設(shè)備訂單的出貨。

技術(shù)研發(fā)和擴(kuò)產(chǎn)方面，7月11日，河北正定縣與晶馳機(jī)電舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。目前，晶馳機(jī)電產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進(jìn)氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法）、碳化硅源粉合成爐等；7月17日，晶升股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其現(xiàn)已完成了兩類碳化硅產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的前期開發(fā)工作，目前處于內(nèi)部測試及客戶端工藝測試階段。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)近期的融資、簽單、出貨、新品研發(fā)、IPO等各類進(jìn)展動(dòng)態(tài)當(dāng)中，都可以看到各大設(shè)備廠商的身影，在一定程度上顯示了碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域蓬勃發(fā)展現(xiàn)狀和光明發(fā)展前景。

小結(jié)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，使得產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商雨露均沾，都得到了拓展業(yè)務(wù)的機(jī)會(huì)，設(shè)備企業(yè)也在其中。無論是上游的材料合成，還是中游的器件制造，都離不開設(shè)備的支撐。

在近幾年碳化硅領(lǐng)域大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程中，相關(guān)設(shè)備廠商已然吃到了一波紅利，而8英寸轉(zhuǎn)型過程中持續(xù)釋放的市場需求，有望使得設(shè)備廠商持續(xù)獲得業(yè)績增量。未來相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi)，碳化硅設(shè)備玩家的好戲仍將輪番上演。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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廣州粵升液相法SiC單晶爐批量出貨

11月13日，廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱廣州粵升）多臺(tái)SiC設(shè)備產(chǎn)品批量出貨。據(jù)悉，其出貨產(chǎn)品-液相法SiC單晶爐，是SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可為客戶提供高質(zhì)量、低成本的SiC襯底新方案。

資料顯示，廣州粵升成立于2021年9月，專注于SiC外延設(shè)備、SiC晶體生長設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，助力客戶生產(chǎn)高質(zhì)量的SiC外延片和晶片。

成立兩年以來，廣州粵升產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展較快。2022年6月，廣州粵升與廣州海創(chuàng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院合作，成立SiC外延設(shè)備研發(fā)中心；11月，首臺(tái)SiC外延設(shè)備研發(fā)成功；2023年2月，廣州粵升開始液相法SiC單晶設(shè)備的研發(fā)；9月，該公司SiC外延設(shè)備產(chǎn)品裝車交付；11月，液相法SiC單晶設(shè)備批量交付。

值得一提的是，廣州粵升自主研發(fā)的4/6英寸SiC外延設(shè)備，生長的4/6英寸SiC外延片質(zhì)量均達(dá)到國際先進(jìn)水平，滿足MOSFET和SBD器件的制備要求，在一定程度上加速了SiC外延設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

優(yōu)睿譜晶圓電阻率測量設(shè)備發(fā)貨兩家客戶

近日，優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備（無錫）有限公司（以下簡稱優(yōu)睿譜）宣布推出晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200，目前已經(jīng)同時(shí)發(fā)貨兩家客戶。

據(jù)介紹，SICV200是一款用于測量硅片電阻率、SiC或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的半導(dǎo)體量測設(shè)備，可支持對(duì)包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓，進(jìn)行多頻率下CV特性分析。機(jī)臺(tái)配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動(dòng)方案以及符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)方案，可直接對(duì)接客戶工廠MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。

資料顯示，優(yōu)睿譜成立于2021年，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。

今年7月，優(yōu)睿譜SiC自動(dòng)光學(xué)位錯(cuò)微管檢測設(shè)備SICD系列交付客戶，可用于SiC襯底的位錯(cuò)及微管缺陷檢測。據(jù)介紹，較國內(nèi)同類功能的設(shè)備，SICD設(shè)備在檢測速度上提升了數(shù)倍。

此外，優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite可用于SiC外延片外延層厚度及均勻性測量，目前已獲得多家頭部SiC基外延廠訂單。未來，優(yōu)睿譜有望加快出貨速度。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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蓋澤科技完成新一輪數(shù)千萬級(jí)融資

近日，蓋澤精密科技（蘇州）有限公司（下文簡稱：“蓋澤科技”）完成了新一輪融資，該輪融資金額為數(shù)千萬元。本輪融資由蘇創(chuàng)投·國發(fā)創(chuàng)投、蘇高新融晟、元禾原點(diǎn)、澤禾創(chuàng)投、卓源資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。這也是繼今年5月獲數(shù)千萬元Pre-A輪戰(zhàn)略融資后（Pre-A輪融資由小苗基金，蘇高新科創(chuàng)天使基金投資）,蓋澤科技再次獲得產(chǎn)業(yè)資本和蘇州政府資本的戰(zhàn)略投資 。

本輪融資將主要用于公司團(tuán)隊(duì)擴(kuò)充，新產(chǎn)品研發(fā)及市場拓，進(jìn)一步加速半導(dǎo)體檢測設(shè)備及高端傳感產(chǎn)品的深度開發(fā)、擴(kuò)大產(chǎn)品種類、加大人才和研發(fā)投入。

據(jù)悉，蓋澤科技專注于半導(dǎo)體光學(xué)量檢設(shè)備和工業(yè)智能光學(xué)傳感產(chǎn)品的研發(fā)和創(chuàng)新。半導(dǎo)體量測設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的缺陷檢測和參數(shù)測量，被廣泛應(yīng)用在晶圓制造、芯片制造、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

優(yōu)睿譜薄膜厚度測量設(shè)備成功交付

同為國產(chǎn)半導(dǎo)體檢測設(shè)備廠商的優(yōu)睿譜，繼成功推出晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200后，近日又成功交付客戶一款薄膜厚度測量設(shè)備Eos200DSR。

據(jù)介紹，優(yōu)睿譜Eos200DSR是一款兼容8/6英寸晶圓尺寸，用于測量SOI（Silicon-On-Insulator）晶圓表面多層不同材料薄膜厚度的全自動(dòng)化設(shè)備。其中一個(gè)應(yīng)用是同時(shí)測量SOI晶圓的二氧化硅（BOX）和寬范圍頂層硅厚度。Eos200DSR可以在測量幾十納米至幾微米的BOX的同時(shí)，完成小于1微米至幾百微米的頂層硅厚度的測量。

該設(shè)備也可以應(yīng)用于其它材料的薄膜量測要求，比如新崛起的硅基鈮酸鋰等。

據(jù)悉，優(yōu)睿譜近期推出的碳化硅（SiC）襯底片位錯(cuò)及微管檢測設(shè)備SICD200s / SICD200，將IC行業(yè)缺陷檢測中的線掃描技術(shù)（Line Scan）引入SiC襯底片中位錯(cuò)和微管檢測，較于傳統(tǒng)的面掃技術(shù)，優(yōu)睿譜的SICD系列設(shè)備可快速實(shí)現(xiàn)整片晶圓的全掃描（全片掃描時(shí)間≤7分鐘），大幅提升客戶端檢測效率，同時(shí)保證檢測結(jié)果的真實(shí)性和可靠性，為SiC襯底晶圓的質(zhì)量保駕護(hù)航。

小結(jié)

近來，國內(nèi)半導(dǎo)體檢測設(shè)備廠商新聞不斷。其中出現(xiàn)不少新興企業(yè)，為何大家將目光投向了半導(dǎo)體檢測設(shè)備？

據(jù)了解，半導(dǎo)體檢測設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造過程中檢測芯片性能與缺陷，幾乎每一步主要工藝完成后都需要進(jìn)行，貫穿于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，廣義上根據(jù)測試環(huán)節(jié)分為前道檢測和后道檢測設(shè)備。

目前，前道檢測市場由科磊（KLA）、應(yīng)用材料（Applied Materials）、日立等企業(yè)占據(jù)大頭，后道檢測市場中，泰瑞達(dá)（Teradyne）及愛德萬（Advantest）處于領(lǐng)先地位。由于我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備領(lǐng)域起步晚，技術(shù)相對(duì)落后，占有的市場份額很少。雖然國內(nèi)廠商技術(shù)在逐漸升級(jí)，但是與國外龍頭還是有一定差距。

國內(nèi)半導(dǎo)體檢測設(shè)備之所以越來越被重視，系因?yàn)槲覈鴵碛腥蜃畲蟛?qiáng)有力的半導(dǎo)體市場，即便是全球半導(dǎo)體行業(yè)處于低谷周期，國內(nèi)的半導(dǎo)體市場依然熱度不減——荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商ASM的2023第三季度報(bào)告指出，得益于中國市場的強(qiáng)力拉動(dòng)，公司營收超出預(yù)期，這也意味著我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備擁有廣闊的發(fā)展空間。

隨著國內(nèi)SiC等半導(dǎo)體市場的爆火，無論是國內(nèi)相關(guān)廠商生產(chǎn)需要還是出于本土的巨大市場考量，加快推進(jìn)半導(dǎo)體檢測設(shè)備國產(chǎn)化是必然的趨勢。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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據(jù)瑤光半導(dǎo)體官微消息，近日，瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備順利通過驗(yàn)收。

該設(shè)備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用，該產(chǎn)線計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片，同時(shí)包括“10萬片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。

據(jù)官微介紹，瑤光半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備，廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。其微秒級(jí)的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測量功能以及出色的光學(xué)整形裝置，為晶圓的退火工藝提供了高效的解決方案。

此前報(bào)道，瑤光是浙江工業(yè)大學(xué)莫干山研究院今年引進(jìn)的重點(diǎn)項(xiàng)目，主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司已完成瑤光閉環(huán)溫度控制系統(tǒng)，并擁有瑤光功率芯片背面激光退火方法，自主創(chuàng)新瑤光SiC外延生長方案，惰性氣體屏障技術(shù)等多項(xiàng)專有技術(shù)。

除了SiC激光退火設(shè)備，瑤光半導(dǎo)體旗下設(shè)備“星型SiC MOCVD”（ES600)預(yù)計(jì)今年四季度完成研發(fā)。

SiC晶圓激光退火技術(shù)（LSA）相對(duì)于傳統(tǒng)高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)（RTA），具有升溫極快、控制靈敏、熱傳導(dǎo)深度淺、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)，逐漸成為了新一代主流退火技術(shù)。作為該技術(shù)載體的激光退火設(shè)備，也因SiC等功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和需求增長，市場正不斷擴(kuò)大。

在激光退火設(shè)備領(lǐng)域，市場主要由相干（Coherent）、Veeco、應(yīng)用材料（Applied Materials）、日立、日本制鋼所等國外大廠占據(jù)。我國該市場起步晚，很多國內(nèi)企業(yè)的激光退火設(shè)備都依賴進(jìn)口。近年來，政府與國內(nèi)企業(yè)不斷加大激光退火設(shè)備研發(fā)力度，加速激光退火設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程。目前，國內(nèi)我國制造激光退火設(shè)備的企業(yè)有大族激光、北京華卓精科、成都萊普特、上海微電子等。

隨著瑤光半導(dǎo)體等布局企業(yè)增加，國內(nèi)激光退火設(shè)備競爭將更加激烈，同時(shí)，更多企業(yè)共同推動(dòng)能有效促進(jìn)行業(yè)技術(shù)升級(jí)，加快縮短國內(nèi)企業(yè)與國際大廠之間的差距，為爭取更多市場份額、實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代做準(zhǔn)備。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

優(yōu)睿譜成功推出晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備(無錫)有限公司（下文簡稱“優(yōu)睿譜”）近日成功推出晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200，即將交付客戶驗(yàn)證。

據(jù)介紹，SICV200是一款用于測量硅片電阻率、SiC或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的半導(dǎo)體量測設(shè)備，可支持對(duì)包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓，進(jìn)行可持多頻率下CV特性分析。機(jī)臺(tái)配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動(dòng)方案以及符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)方案，可直接對(duì)接客戶工廠MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。

優(yōu)睿譜總經(jīng)理唐德明博士介紹，在襯底上進(jìn)行同質(zhì)外延時(shí)，載流子濃度是一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù)。目前，行業(yè)普遍使用電容電壓（CV）法來測量同質(zhì)外延層的載流子濃度。該方法可直接在半導(dǎo)體上形成肖特基勢壘測得外延層的載流子濃度，也可以形成MOS電容結(jié)構(gòu)對(duì)CVD工藝等進(jìn)行監(jiān)控，從而有效評(píng)估各類半導(dǎo)體材料制造工藝中外延層的載流子濃度以及外延層的質(zhì)量，方便且無損地對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行測量分析，為優(yōu)化外延生長工藝提供依據(jù)和支持。

優(yōu)睿譜成立于2021年，專注于半導(dǎo)體前道量測設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售與服務(wù)。

據(jù)悉，半導(dǎo)體前道量測設(shè)備是半導(dǎo)體芯片制造過程中的核心設(shè)備之一，技術(shù)門檻高，對(duì)提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進(jìn)工藝迭代起著重要作用。目前，雖然中國大陸已經(jīng)成為全球最大的前道量檢測市場，但國內(nèi)廠商市場份額占比仍然較小。

隨著國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)前道量測設(shè)備的需求量持續(xù)走高，與此同時(shí)，由于地緣政治和國外企業(yè)產(chǎn)能等因素影響，使得國產(chǎn)替代需求迫切。

面對(duì)技術(shù)落后的處境，國內(nèi)企業(yè)在加速追趕——上海精測、中科飛測等在前道量測設(shè)備領(lǐng)域取得了一定的進(jìn)展。值得一提的是，前不久，中導(dǎo)光電的納米級(jí)圖形晶圓缺陷光學(xué)檢測設(shè)備（NanoPro-150）實(shí)現(xiàn)了再次交付。

隨著技術(shù)更迭和行業(yè)認(rèn)可度的提升，在本土巨大的前道量檢測市場，國內(nèi)廠商大有可為。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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融資將用于新產(chǎn)品的研發(fā)及量產(chǎn)。同時(shí)，該公司宣布啟用無錫技術(shù)中心和上海金橋研發(fā)中心。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

優(yōu)睿譜成立于2021年，是一家半導(dǎo)體前道制程量測設(shè)備公司，核心團(tuán)隊(duì)由長期從事半導(dǎo)體行業(yè)的海歸博士和國內(nèi)資深的IC前道制程量測設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)構(gòu)成。其自主開發(fā)了半導(dǎo)體專用傅里葉變換紅外光譜測量設(shè)備，可以用來測量外延層厚度及均勻性、元素濃度、硅料雜質(zhì)含量等。

優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite可用于碳化硅外延片外延層厚度及均勻性測量，目前已獲得多家頭部碳化硅基外延廠訂單。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）

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