11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，自主設(shè)計的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]