三安光電表示，湖南三安已擁有碳化硅配套產(chǎn)能1.6萬片/月，后續(xù)擴產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到36萬片/年，目前8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)小批量出貨，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中。8月底重慶三安已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線，產(chǎn)能處于起步階段，目前產(chǎn)能1000片/月。

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湖南三安項目方面，7月24日，湖南三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場儀式，這標(biāo)志著湖南三安碳化硅項目二期通線在即。

據(jù)悉，湖南三安碳化硅項目總投資160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達(dá)產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓、48萬片8英寸碳化硅晶圓的制造能力。預(yù)計到今年12月，M6B將實現(xiàn)點亮通線，8英寸碳化硅芯片將正式投產(chǎn)，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸碳化硅垂直整合制造商。

三安光電還在互動平臺表示，湖南三安針對車規(guī)級市場，車載充電機、空調(diào)壓縮機用SiC MOSFET已實現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶處導(dǎo)入可靠性驗證。

重慶三安項目方面，2023年6月，三安光電和意法半導(dǎo)體同時官宣在重慶合資建廠，進(jìn)行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計劃。項目預(yù)計投資總額達(dá)32億美元，將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。同時，三安光電獨立投資70億元人民幣配套建設(shè)一座8英寸碳化硅襯底廠。

其中，“襯底廠”重慶三安由三安光電全資子公司湖南三安于2023年7月全資設(shè)立，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅襯底48萬片，“芯片廠”安意法由湖南三安（51%）與意法半導(dǎo)體（中國）投資有限公司（49%）于2023年8月共同出資設(shè)立，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片。

目前，主要生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底的重慶三安項目已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線，“芯片廠”安意法預(yù)計11月底將整體通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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三安光電Q3實現(xiàn)營收41.75億元，凈利同比增2278.24%

10月29日晚間，三安光電公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，三安光電實現(xiàn)營收41.75億元，同比增長13.27%；歸母凈利潤0.63億元，同比增長2278.24%；歸母扣非凈利潤-0.63億元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，三安光電全資子公司湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備將在今年三季度陸續(xù)進(jìn)場安裝和調(diào)試，預(yù)計11月份將實現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能。該合資項目規(guī)劃產(chǎn)能將于2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為48萬片/年。

而為該合資項目配套建設(shè)的8英寸碳化硅襯底廠目前已實現(xiàn)點亮通線。未來，該襯底廠將匹配生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底供應(yīng)給湖南三安與意法半導(dǎo)體合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠。

北方華創(chuàng)Q3實現(xiàn)營收80.18億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅/氮化鎵外延設(shè)備

10月29日晚間，北方華創(chuàng)公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，北方華創(chuàng)實現(xiàn)營收80.18億元，同比增長30.12%；歸母凈利潤16.82億元，同比增長55.02%；歸母扣非凈利潤16.26億元，同比增長57.72%。

北方華創(chuàng)形成了半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務(wù)板塊。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等關(guān)鍵工藝裝備，服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個制造領(lǐng)域。

目前，北方華創(chuàng)擁有單晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化鎵等多種材料的外延生長技術(shù)能力，可滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，并已累計出貨超過1000腔。

通富微電Q3實現(xiàn)營收60.01億元，業(yè)務(wù)覆蓋車用碳化硅產(chǎn)品

10月29日晚間，通富微電公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，通富微電實現(xiàn)營收60.01億元，同比增長0.04%；歸母凈利潤2.30億元，同比增長85.32%；歸母扣非凈利潤2.25億元，同比下滑121.20%。

通富微電是集成電路封裝測試服務(wù)提供商，為全球客戶提供從設(shè)計仿真到封裝測試的一站式服務(wù)，其產(chǎn)品、技術(shù)、服務(wù)覆蓋了汽車電子、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，通富微電2022年已為國際知名汽車電子客戶開發(fā)碳化硅產(chǎn)品，應(yīng)用于客戶新能源車載逆變器等領(lǐng)域，在國內(nèi)首家通過客戶考核并進(jìn)入量產(chǎn)。

東微半導(dǎo)體Q3實現(xiàn)營收2.61億元，已推出1200V碳化硅MOSFET

10月29日晚間，東微半導(dǎo)體公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，東微半導(dǎo)體實現(xiàn)營收2.61億元，同比增長10.17%；歸母凈利潤0.14億元，同比下滑56.53%；歸母扣非凈利潤0.03億元，同比下滑89.88%。

東微半導(dǎo)體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，東微半導(dǎo)體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過可靠性測試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個產(chǎn)品。與此同時，東微半導(dǎo)體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

合盛硅業(yè)Q3實現(xiàn)營收70.99億元，8英寸碳化硅襯底小批量生產(chǎn)

10月29日晚間，合盛硅業(yè)公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，合盛硅業(yè)實現(xiàn)營收70.99億元，同比下滑10.68%；歸母凈利潤4.76億元，同比增長18.42%；歸母扣非凈利潤4.16億元，同比增長20.86%。

合盛硅業(yè)主要產(chǎn)品包括工業(yè)硅、有機硅和多晶硅三大類。其中，工業(yè)硅是由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主要成分為硅元素，是下游光伏材料、有機硅材料、合金材料的主要原料。

在碳化硅領(lǐng)域，合盛硅業(yè)6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)，晶體良率達(dá)90%以上，外延良率穩(wěn)定在95%以上；在8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展方面，合盛硅業(yè)已開始小批量生產(chǎn)。

連城數(shù)控Q3實現(xiàn)營收14.38億元，正在建設(shè)碳化硅長晶和加工設(shè)備項目

10月28日晚間，連城數(shù)控公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，連城數(shù)控實現(xiàn)營收14.38億元，同比下滑20.41%；歸母凈利潤0.55億元，同比下滑75.41%；歸母扣非凈利潤0.36億元，同比下滑83.59%。

連城數(shù)控立足于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)商。在碳化硅方面，連城數(shù)控于2020年底開始對碳化硅晶體生長爐進(jìn)行研發(fā)立項、2021年9月開始對碳化硅等超硬材料多線切割機研發(fā)立項。

今年1月，連城數(shù)控下屬子公司連科半導(dǎo)體與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)就“連科第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項目”舉行簽約儀式。該項目計劃投資不超過10.5億元建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長晶和加工設(shè)備、碳化硅長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

萬業(yè)企業(yè)Q3實現(xiàn)營收1.07億元，已研發(fā)碳化硅高溫離子注入機

10月29日晚間，萬業(yè)企業(yè)公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，萬業(yè)企業(yè)實現(xiàn)營收1.07億元，同比下滑71.39%；歸母凈利潤0.39億元，同比下滑13.05%；歸母扣非凈利潤0.13億元，同比下滑66.95%。

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通和嘉芯半導(dǎo)體主要從事集成電路核心裝備業(yè)務(wù)。凱世通所涉核心裝備業(yè)務(wù)是以離子注入技術(shù)為核心的集研發(fā)、制造、銷售于一體的高端離子注入機項目。

在碳化硅功率器件摻雜工藝中，需要極高溫度才能得到理想的擴散系數(shù)，并可以最大限度地減少離子轟擊對晶格的破壞，因此高溫離子注入機成為了碳化硅功率器件制造中關(guān)鍵核心的設(shè)備。凱世通基于已有的技術(shù)積累，研發(fā)了面向碳化硅的高溫離子注入機。

卓勝微Q3實現(xiàn)營收10.83億元，業(yè)務(wù)涵蓋射頻器件

10月29日晚間，卓勝微公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，卓勝微實現(xiàn)營收10.83億元，同比下滑23.13%；歸母凈利潤0.71億元，同比下滑84.29%；歸母扣非凈利潤0.60億元，同比下滑86.51%。

卓勝微立足于射頻集成電路領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產(chǎn)品解決方案。

安森美Q3實現(xiàn)營收17.619億美元，環(huán)比增長1.54%

10月29日，安森美公布了2024年第三季度業(yè)績。2024年Q3，安森美實現(xiàn)營收17.619億美元（約125.72億人民幣），同比下滑19.21%，環(huán)比增長1.54%，按照美國通用會計準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計算的毛利率分別為45.4%和45.5%，GAAP營業(yè)利潤率和非GAAP營業(yè)利潤率分別為25.3%和31.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為4.02億美元（約28.68億人民幣）和4.24億美元（約30.25億人民幣），分別同比下滑31.06%和30.34%，GAAP每股攤薄收益為0.93美元，非GAAP每股攤薄收益為0.99美元。

分業(yè)務(wù)來看，2024年Q3，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號部（AMG）、智能感知部（ISG）營收分別為8.29億美元、6.54億美元和2.79億美元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，安森美在今年7月宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項多年協(xié)議，成為其可擴展系統(tǒng)平臺（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴展至所有功率級別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

與此同時，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺EliteSiC M3e MOSFET，并計劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過實際驗證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

X-Fab Q3實現(xiàn)營收2.064億美元，環(huán)比增長1%

10月24日，X-Fab公布了2024年第三季度報告。今年第三季度，X-Fab實現(xiàn)營收2.064億美元（約14.73億人民幣），在2.05億至2.15億美元的預(yù)期范圍內(nèi)，同比下降12%，環(huán)比增長1%。息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）為5030萬美元（約3.59億人民幣），同比下降23%，環(huán)比增長5%，息稅折舊攤銷前利潤率為24.4%；不計《國際財務(wù)報告準(zhǔn)則》第15號的影響，息稅折舊攤銷前利潤率為23.5%，而預(yù)期目標(biāo)為24-27%。息稅前盈利（EBIT）為2500萬美元，同比下降43%，環(huán)比增長9%。

展望2024年第四季度，X-Fab預(yù)計營收在1.95億至2.05億美元之間，息稅折舊攤銷前利潤率在22%至25%之間。X-FAB將全年營收預(yù)期從8.60-8.80億美元調(diào)整為8.22-8.32億美元，全年EBITDA利潤率預(yù)期調(diào)整為23.4-24.0%。

目前，X-Fab正在大力擴產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來西亞砂拉越的產(chǎn)能擴張項目、法國的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計將在夏季之后完成，并計劃在今年第四季度開始搬入設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)本次公告，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補助款約1040萬元。

三安光電2024年第三季度遞延收益分期攤銷轉(zhuǎn)入其他收益的金額預(yù)計為13398萬元，上述兩項合計金額約14429萬元，占其最近一期經(jīng)審計歸屬于上市公司股東凈利潤的39.36%。

三安光電表示，其根據(jù)《企業(yè)會計準(zhǔn)則第16號—政府補助》的有關(guān)規(guī)定劃分上述各類政府補助，并按會計準(zhǔn)則分別確認(rèn)和計量，將對其2024年第三季度損益產(chǎn)生積極影響。

根據(jù)三安光電6月底發(fā)布的公告，根據(jù)其與原長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會就第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目簽訂的相關(guān)合同，湖南湘江新區(qū)管理委員會商務(wù)和市場監(jiān)管局同意撥付其全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱：湖南三安）2024年度科技研發(fā)專項扶持資金2億元。截至2024年6月28日，湖南三安已收到全部款項。

2024年4月1日至2024年6月28日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補助款約1438.62萬元。

三安光電2024年第二季度遞延收益分期攤銷轉(zhuǎn)入其他收益的金額預(yù)計為1.5億元。上述三項合計金額約36438.62萬元，占其最近一期經(jīng)審計歸屬于上市公司股東凈利潤的99.41%。

在碳化硅領(lǐng)域，三安光電目前正在通過旗下子公司湖南三安等全面布局8英寸碳化硅賽道，并且進(jìn)展較快，有望在業(yè)內(nèi)較早完成8英寸轉(zhuǎn)型升級，疊加政府補助資金支持，三安光電有望進(jìn)一步鞏固其在碳化硅產(chǎn)業(yè)的地位。（來源：三安光電公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，2023年6月，三安光電和意法半導(dǎo)體同時官宣在重慶合資建廠，進(jìn)行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計劃，成為去年在碳化硅領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注的跨國合資項目之一。

該碳化硅芯片項目預(yù)計投資總額達(dá)32億美元（約226億人民幣），規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。

同時，三安光電獨立投資70億元人民幣配套建設(shè)一座8英寸碳化硅襯底廠，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。為推進(jìn)襯底廠落地實施，三安光電全資子公司湖南三安于2023年7月全資設(shè)立重慶三安。

隨著重慶三安項目建成投產(chǎn)，有助于滿足新能源汽車市場日益增長的碳化硅功率器件產(chǎn)品需求，三安光電也將進(jìn)一步深化車用碳化硅細(xì)分領(lǐng)域布局。

三安光電持續(xù)加碼車用碳化硅

近年來，隨著新能源汽車市場持續(xù)火熱發(fā)展，車用碳化硅產(chǎn)品需求水漲船高。在此背景下，三安光電通過旗下全資子公司大力布局碳化硅車用場景。

早在2022年3月，三安光電全資子公司湖南三安與理想汽車的關(guān)聯(lián)公司北京車和家汽車科技有限公司共同設(shè)立合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體有限公司，該合資公司主要專注于碳化硅車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)。

隨后在2022年11月，三安光電披露，湖南三安與新能源汽車客戶簽署了價值38億元的碳化硅芯片《戰(zhàn)略采購意向協(xié)議》，采購產(chǎn)品將應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)。

2023年，湖南三安推出了650V-1700V寬電壓范圍的碳化硅MOSFET。其中,1200V/75mΩ MOSFET主要應(yīng)用于新能源汽車的OBC，已處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨；同時，1200V/16mΩ車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗證。

而在近日，三安光電進(jìn)一步披露，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線實現(xiàn)通線，全橋功率模塊C樣已交付，預(yù)計將在今年下半年完成產(chǎn)品驗證，2025年有望迎來模塊批量生產(chǎn)。

綜合來看，三安光電車用碳化硅業(yè)務(wù)布局覆蓋芯片、模塊產(chǎn)品，適用于新能源汽車主驅(qū)、OBC等各類場景，能夠滿足當(dāng)前主流的1200V高壓應(yīng)用。

國內(nèi)外碳化硅廠商積極搶攻車用市場

在三安光電車用碳化硅項目取得進(jìn)展的同時，部分國內(nèi)外主流碳化硅功率器件廠商均在積極搶攻碳化硅車用市場，各有收獲。

其中，英飛凌在2024年動作頻頻，不僅與本田、小米、零跑汽車等整車廠商達(dá)成新的合作，為這些車企供應(yīng)碳化硅功率模塊，還與新能源汽車OBC頭部企業(yè)威邁斯有聯(lián)動，威邁斯采用了英飛凌CoolSiC混合分立器件，集成了TRENCHSTOP 5快速開關(guān)IGBT和CoolSiC肖特基二極管，用在威邁斯下一代6.6kW OBC/DCDC車載充電機上。

安森美則與大眾汽車和理想汽攜手合作，安森美成為大眾汽車可擴展系統(tǒng)平臺（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴展至所有功率級別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別；理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。

意法半導(dǎo)體在去年12月也與理想汽車簽署了一項碳化硅長期供貨協(xié)議。而在今年3月，其又與長城汽車生態(tài)體系成員之一的芯動半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議，與新能源車企圍繞碳化硅進(jìn)一步拓展合作。

國內(nèi)廠商方面，斯達(dá)半導(dǎo)體在2022年成為國內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片在北汽批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

中車半導(dǎo)體碳化硅芯片和模塊在新能源汽車場景的應(yīng)用目前正處于測試和驗證階段，并正在建設(shè)8英寸線，能夠滿足每年500臺車的碳化硅需求。

整體來看，國際大廠基于技術(shù)研發(fā)和市場拓展方面的先發(fā)優(yōu)勢，在碳化硅車用場景進(jìn)展較快，相關(guān)產(chǎn)品已導(dǎo)入主流新能源車企旗下車型，國內(nèi)廠商正在奮起直追，也取得了一定成果，一場車用碳化硅市場爭奪戰(zhàn)已打響。

小結(jié)

目前，隨著良率、產(chǎn)能等持續(xù)提升，碳化硅價格下行的趨勢已漸趨明朗，有望推動相關(guān)產(chǎn)品加速向各個領(lǐng)域滲透，而新能源汽車產(chǎn)業(yè)作為目前碳化硅最熱門的應(yīng)用市場，有望誕生更多搭載碳化硅的新車型。

隨著越來越多碳化硅廠商入局車用賽道，競爭也將會日益激烈，進(jìn)而促使相關(guān)企業(yè)在產(chǎn)品性價比、可靠性等方面持續(xù)優(yōu)化升級以提升競爭力，最終帶動碳化硅和新能源汽車兩大產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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開發(fā)車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺

關(guān)于第三代半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況，三安光電表示，其硅基GaN已擁有并升級了應(yīng)用于手機快充等消費電子市場的650V芯片技術(shù)平臺，此外，三安光電開發(fā)了大電流、高可靠度應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人工智能等工業(yè)電源領(lǐng)域的650V-900V高壓芯片技術(shù)平臺及配套低壓器件技術(shù)，還開發(fā)了應(yīng)用于輕量化車載充電器等關(guān)鍵組件的車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺。

SiC方面，目前，三安光電電動汽車主驅(qū)用的車規(guī)級1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性問題并通過AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，已在重點新能源汽車客戶模塊驗證中；工規(guī)級1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充電樁領(lǐng)域小規(guī)模出貨。公司將加快推出8英寸SiC襯底外延、高效高可靠性SiC二極管及2000V/1700V/1200V/650V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。

值得一提的是，上個月在2024北京車展上，三安光電展示了最新研發(fā)成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET。據(jù)介紹，這款產(chǎn)品是三安光電目前MOS 1200V電壓平臺最小導(dǎo)通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的元件，車規(guī)應(yīng)用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

MIP已具備量產(chǎn)條件

在LED業(yè)務(wù)方面，三安光電表示，其Mini LED已應(yīng)用于電視、顯示器、筆記本電腦、車載顯示、VR等領(lǐng)域，與國內(nèi)外知名客戶深度合作，產(chǎn)品持續(xù)交付，銷售量持續(xù)增長；并與國內(nèi)外大廠圍繞Micro LED技術(shù)展開合作，MIP已具備量產(chǎn)條件，產(chǎn)品良率正在不斷提升。

近期，蘋果發(fā)布了2023會計年度供應(yīng)鏈名單。值得注意的是，今年的名單中新增了8家中國大陸企業(yè)，其中就包括LED芯片龍頭廠商三安光電。

同時，三安光電表示，其車用LED在新能源汽車?yán)瓌酉掳l(fā)展勢頭良好，車用各部位應(yīng)用芯片已進(jìn)入量產(chǎn)批量交貨階段；目前，三安光電全資子公司安瑞光電已與多家知名民族品牌車企建立長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系，并量產(chǎn)多款市場熱門車型的前組合燈、后組合燈、氛圍燈。

LED照明方面，三安光電照明產(chǎn)品能夠為各種路燈提供LED光源。

光芯片小批量出貨

光技術(shù)產(chǎn)品中，三安光電工業(yè)和車載雷達(dá)領(lǐng)域用905 EEL、大功率多結(jié)VCSEL和窄線寬DFB激光器已通過客戶驗證并開始小批量發(fā)貨。

此前，三安光電曾對光芯片業(yè)務(wù)進(jìn)行調(diào)整。去年9月，三安光電發(fā)布公告稱，將對其光芯片類業(yè)務(wù)進(jìn)行整合，將廈門市三安集成電路有限公司從事的光芯片類業(yè)務(wù)整合至公司的全資孫公司泉州市三安光通訊科技有限公司（以下簡稱泉州光通訊）。

三安光電稱，本次內(nèi)部整合完成后，公司光芯片業(yè)務(wù)將由泉州光通訊開展。內(nèi)部整合有助于公司進(jìn)一步促進(jìn)和提升業(yè)務(wù)發(fā)展、協(xié)同和融合，增強市場競爭力。

濾波器產(chǎn)能150KK/月

關(guān)于濾波器業(yè)務(wù)，三安光電表示，其濾波器產(chǎn)能為150KK/月，產(chǎn)品覆蓋國內(nèi)外所需頻段，包含單工器、雙工器、多工器，主要用于移動終端、衛(wèi)星通信等通信設(shè)備，服務(wù)于國內(nèi)某知名客戶、龍旗、聞泰、移遠(yuǎn)、廣和通等客戶。

據(jù)悉，作為射頻前端芯片整合制造服務(wù)提供商，三安光電子公司三安集成具備全面自主的濾波器研發(fā)和制造能力，面向衛(wèi)星通信應(yīng)用推出了LAS1995A3K/RAS2185A3Q產(chǎn)品組。

該產(chǎn)品組針對天通一號、ECHOSTAR衛(wèi)星通信服務(wù)所在的n256頻段進(jìn)行設(shè)計，以1.1*0.9mm的尺寸，支持客戶在消費類射頻模塊內(nèi)的小型化布局。經(jīng)客戶端測試，LAS1995A3K/RAS2185A3Q提供了較好的群延時性能，提升了系統(tǒng)的通信效率，結(jié)合良好的插損性能和出色的抑制度表現(xiàn)，幫助客戶的設(shè)計達(dá)成優(yōu)異的信噪比。目前，該產(chǎn)品組已在客戶端累計出貨超過5KK套。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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三安光電2023年營收140.53億，湖南三安SiC產(chǎn)能16000片/月

4月26日晚間，三安光電發(fā)布了2023年年度報告。2023年，三安光電實現(xiàn)營收140.53億元，同比增長6.28%；歸母凈利潤3.67億元，同比下滑46.50%，歸母扣非凈利潤-10.88億元。

報告顯示，湖南三安產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏、儲能、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域，已擁有SiC配套產(chǎn)能16000片/月，硅基氮化鎵產(chǎn)能2000片/月，合作意向及客戶超800家。

產(chǎn)品方面，2023年，湖南三安6英寸SiC襯底已實現(xiàn)國際客戶的批量出貨，8英寸襯底外延工藝調(diào)試完成并向重點海外客戶送樣驗證。截至2023年末，二極管已推出適用于光伏領(lǐng)域的G5代系產(chǎn)品，累計出貨超2億顆。電動汽車主驅(qū)用的車規(guī)級1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性問題并通過AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，已在重點新能源汽車客戶模塊驗證中；工規(guī)級1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充電樁領(lǐng)域小規(guī)模出貨。

項目方面，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體進(jìn)入試生產(chǎn)階段，已實現(xiàn)全尺寸的手工全橋功率模塊樣件交付客戶，工藝平臺正在持續(xù)優(yōu)化，預(yù)計2024年8月正式量產(chǎn)。

湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法，生產(chǎn)SiC外延、芯片獨家銷售給意法半導(dǎo)體。目前，該合資公司主廠房已封頂，正進(jìn)行內(nèi)部裝修、設(shè)備采購、員工培訓(xùn)等開工籌備工作，預(yù)計2024年配備產(chǎn)能8英寸8000-10000片/月，將于2024年底通線，2025年逐步釋放產(chǎn)能。該合資公司規(guī)劃2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后的產(chǎn)能為10000片/周。

為保證合資公司材料的需求，重慶三安（湖南三安全資子公司）將匹配生產(chǎn)SiC襯底產(chǎn)能供應(yīng)給合資公司安意法，預(yù)計該項目的投產(chǎn)進(jìn)度早于合資公司一個季度。

華潤微2023年營收99億，SiC和GaN功率器件收入同比增長135%

4月25日晚間，華潤微發(fā)布了2023年年度報告。2023年，華潤微實現(xiàn)營收99.01億元，同比下滑1.59%；歸母凈利潤14.79億元，同比下滑43.48%，歸母扣非凈利潤11.27億元，同比下滑49.97%。

報告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域，其中泛新能源領(lǐng)域（車類及新能源）占比39%，消費電子領(lǐng)域占比34%，工業(yè)設(shè)備占比16%，通信設(shè)備占比11%。

2023年，華潤微SiC和GaN功率器件銷售收入同比增長135%。其中，SiC JBS G2平臺已完成650V和1200V系列共計40余顆產(chǎn)品開發(fā)，覆蓋目前主流應(yīng)用需求，在多家光伏/充電樁等領(lǐng)域頭部客戶實現(xiàn)規(guī)模交付，同時功率密度水平達(dá)到國際領(lǐng)先的SiC JBS G3 650V平臺完成開發(fā)，產(chǎn)品得到客戶認(rèn)可并進(jìn)入系列化。

2023年，華潤微SiC MOS在新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多個客戶批量出貨，在SiC產(chǎn)品銷售中的比例逐步提升至60%以上。其中G1平臺全系列量產(chǎn)，G2平臺全系列出樣試產(chǎn)并通過多家客戶測試，進(jìn)入批量試產(chǎn)階段，車規(guī)級SiC MOS和SiC模塊的研發(fā)工作進(jìn)展順利，多款產(chǎn)品進(jìn)入市場驗證。目前公司SiC產(chǎn)線產(chǎn)能升級已完成，將滿足中長期客戶需求。

東尼電子2023年營收18.36億，同比微降

4月26日晚間，東尼電子發(fā)布了2023年年度報告。2023年，東尼電子實現(xiàn)營收18.36億元，同比下降2.76%；歸母凈利潤-6.07億元，同比下降868.95%；歸母扣非凈利潤-6.30億元，同比下降1,821.85%。

關(guān)于業(yè)績變動原因，東尼電子表示，2023年，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)雖開始批量供貨，營收大幅增長，但受檢測設(shè)備更換等因素影響，東尼半導(dǎo)體未能完成SiC重大合同中2023年度產(chǎn)品交付計劃，量產(chǎn)爬坡階段產(chǎn)品良率偏低，生產(chǎn)成本高企，毛利情況不佳。審慎起見，2023年度東尼半導(dǎo)體對其存貨、固定資產(chǎn)計提資產(chǎn)減值準(zhǔn)備合計5.86億元。

中瓷電子2023年營收凈利雙雙增長

4月25日晚間，中瓷電子發(fā)布了2023年年度報告。2023年，中瓷電子實現(xiàn)營收26.76億元，同比增長6.52%；歸母凈利潤4.90億元，同比增長7.11%；歸母扣非凈利潤2.98億元，同比增長149.94%。

2023年10月，中瓷電子完成重大資產(chǎn)重組并募集配套資金行為，成為擁有GaN通信基站射頻芯片與器件、SiC功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的企業(yè)。重組后其業(yè)務(wù)分為兩大方面：第三代半導(dǎo)體器件及模塊，電子陶瓷材料及元件。

中瓷電子中低壓SiC功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓SiC功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動力機車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域，實現(xiàn)對硅基IGBT功率產(chǎn)品的覆蓋與替代。

聞泰科技2023年營收612.13億，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入152.26億

4月22日晚間，聞泰科技發(fā)布了2023年年度報告。2023年，聞泰科技實現(xiàn)營收612.13億元，同比增長5.40%；歸母凈利潤11.81億元，同比下降19.00%；歸母扣非凈利潤11.27億元，同比下降28.58%。

2023年，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實現(xiàn)收入52.26億元，同比下降4.85%；凈利潤24.26億元，同比下降35.29%。

關(guān)于業(yè)績變動原因，聞泰科技表示，受宏觀經(jīng)濟(jì)等因素影響，全球半導(dǎo)體市場經(jīng)過兩年的強勁周期后，于2022年底增速放緩，2023年到2024年初仍然疲軟。其中，從行業(yè)來看，汽車領(lǐng)域包括電動汽車仍然是其半導(dǎo)體收入來源的主要方向，來自該領(lǐng)域的收入占比為62.8%，同比增長22.95%。第四季度，受全球經(jīng)濟(jì)影響，汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增速階段性放緩。從區(qū)域來看，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入主要來自于海外，第四季度，歐洲、美洲地區(qū)半導(dǎo)體需求疲弱。

同時，2023年聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為16.34億元，同比增長37.20%。

江豐電子2023年營收26.02億，同比增長11.89%

4月24日晚間，江豐電子發(fā)布了2023年年度報告。2023年，江豐電子實現(xiàn)營收26.02億元，同比增長11.89%；歸母凈利潤2.55億元，同比下降3.35%；歸母扣非凈利潤1.56億元，同比下降28.65%。

2023年，江豐電子已經(jīng)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得進(jìn)展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計的第三代半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝，主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳全面布局SiC外延領(lǐng)域，SiC外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

東微半導(dǎo)2023年SiC器件營收約為2022年同期533倍

4月26日晚間，東微半導(dǎo)發(fā)布2023年年度報告。2023年，東微半導(dǎo)實現(xiàn)營收9.73億元，同比減少12.86%；歸母凈利潤1.40億元，同比減少50.76%；歸母扣非凈利潤1.19億元，同比減少55.41%。

2023年，東微半導(dǎo)在第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)行了提前布局，在SiC二極管、SiC MOSFET及SiC MOSFET器件上取得了較大的研發(fā)進(jìn)展，其中，SiC MOSFET持續(xù)出貨，進(jìn)入批量交付階段。報告期內(nèi)，其原創(chuàng)器件結(jié)構(gòu)的基于18V-20V驅(qū)動平臺的1200V SiC MOSFET完成設(shè)計流片、可靠性評估工作，基于15V驅(qū)動平臺的SiC MOSFET器件產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入內(nèi)部驗證階段。

2023年，東微半導(dǎo)SiC器件產(chǎn)品（含SiC MOSFET）實現(xiàn)營收70.45萬元，約為2022年同期收入水平的533倍。2024年，東微半導(dǎo)主營產(chǎn)品將持續(xù)批量出貨并新增多個產(chǎn)品送測認(rèn)證。

燕東微2023年營收21.27億，6英寸SiC產(chǎn)能2000片/月

4月26日晚間，燕東微發(fā)布2023年年度報告。2023年，燕東微實現(xiàn)營收21.27億元，同比減少2.22%；歸母凈利潤4.52億元，同比減少2.13%；歸母扣非凈利潤2.92億元，同比減少20.03%。

燕東微是一家集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試于一體的企業(yè)，其主營業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品與方案和制造與服務(wù)兩大類，主要市場領(lǐng)域包括消費電子、電力電子、新能源和特種應(yīng)用等，產(chǎn)品與方案板塊的產(chǎn)品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件，其制造與服務(wù)板塊聚焦于提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造和封裝測試服務(wù)。

目前，燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。

2023年，燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品，各項參數(shù)合格，已提交客戶驗證。截至2023年年底，燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)條件的平臺包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺，產(chǎn)能為2000片/月。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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其中，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為2.08萬㎡，包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導(dǎo)體8英寸SiC外延、芯片項目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為3.7萬㎡，包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。

在B1棟順利封頂后，該項目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂，項目整體將在2024年7月前實現(xiàn)全部交付，合同工期僅為8個月。

據(jù)悉，該項目業(yè)主方為重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和安意法半導(dǎo)體有限公司，這兩家公司均為湖南三安為推進(jìn)與意法半導(dǎo)體的SiC合資項目而在2023年設(shè)立的子公司。

2023年6月，意法半導(dǎo)體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片。項目在取得各項手續(xù)批復(fù)后開始建設(shè)，預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028年達(dá)產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實體。

為主導(dǎo)該合資項目實施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體（中國）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。

為推進(jìn)SiC襯底制造廠項目實施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，注冊資本18億人民幣。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，湖南三安半導(dǎo)體基地項目致力于建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，項目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月，湖南三安半導(dǎo)體基地項目二期開建，總投資為80億元，全面達(dá)產(chǎn)后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能。近日，二期工程也迎來了新進(jìn)展。

source：湖南三安半導(dǎo)體

1月23日，三安光電在互動平臺表示，公司全資子公司湖南三安SiC產(chǎn)能正逐步釋放，湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程目前已進(jìn)入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。湖南三安正就已簽署的長期采購協(xié)議著力推進(jìn)產(chǎn)品交付，并持續(xù)跟進(jìn)數(shù)家新能源汽車客戶的合作意向。公司SiC襯底質(zhì)量方面能夠滿足客戶要求，并按期交付給客戶使用。

在新能源汽車領(lǐng)域，SiC器件需求日益增長，三安光電SiC器件也正在加速上車。據(jù)了解，三安光電SiC MOSFET代工業(yè)務(wù)已與新能源汽車龍頭廠商及配套企業(yè)展開合作，與某知名車企簽署芯片戰(zhàn)略采購意向協(xié)議總金額達(dá)38億元，另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報顯示，已簽署的SiC MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元。

產(chǎn)品方面，三安光電車規(guī)級1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗證，預(yù)計于2024年正式上車量產(chǎn)。

合作方面，全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體和三安光電于2023年6月共同宣布，雙方將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠。按照計劃，合資廠將于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計在2028年全面建成。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約32億美元（約合229.6億人民幣）。

與此同時，三安光電首席執(zhí)行官Simon Lin表示，將利用自研SiC襯底工藝，單獨新建造和運營一個8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求。

有消息顯示，湖南三安半導(dǎo)體基地項目二期會在8英寸工藝方面進(jìn)行研發(fā)投入，并在上述三安光電新建的8英寸SiC襯底廠規(guī)模使用。

隨著湖南三安半導(dǎo)體基地項目二期建成達(dá)產(chǎn)，三安光電在SiC技術(shù)和產(chǎn)能方面有望再上一個臺階。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，湖南三安主導(dǎo)三安光電旗下SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)，具體以SiC為主，GaN目前占比較小。

早在2020年7月，總投資達(dá)160億元、占地面積達(dá)1000畝的湖南三安半導(dǎo)體項目正式開工。湖南三安半導(dǎo)體主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（SiC）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈。項目建成達(dá)產(chǎn)后，將形成約36萬片/年的產(chǎn)能。
上半年，得益于SiC市場需求強勁，湖南三安整體業(yè)績保持增長趨勢，實現(xiàn)營收5.82億元，同比增長178.86%；凈利潤為3.32億元，同比增長266.99%。

為推進(jìn)湖南三安的業(yè)務(wù)發(fā)展，今年8月，三安光電決定以自有資金10億元對湖南三安增資，后者注冊資本由20億元增加到30億元。

8英寸方面，湖南三安進(jìn)展較快。今年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式切入8英寸襯底領(lǐng)域；今年10月，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段；近期，湖南三安將重點放在良率提升上，通過設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，推進(jìn)量產(chǎn)進(jìn)程。

與此同時，湖南三安與意法半導(dǎo)體合資成立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目已獲批通過，預(yù)計將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進(jìn)入達(dá)產(chǎn)階段。為保障該項目順利實施，三安光電擬在重慶獨資設(shè)立子公司生產(chǎn)SiC襯底作為配套，預(yù)計投資總額70億元。

近年來，國內(nèi)SiC廠商在擴產(chǎn)方面動作頻頻。襯底方面，例如：天岳先進(jìn)擬投資20億元用于募投項目SiC半導(dǎo)體材料項目，達(dá)產(chǎn)后將新增產(chǎn)能約30萬片/年；露笑科技2022年7月完成25.67億元增發(fā)用于推進(jìn)SiC項目，項目完成后將形成年產(chǎn)24萬片6英寸導(dǎo)電型SiC襯底片的產(chǎn)能。

器件方面，例如：士蘭微正在推進(jìn)定增事項，其中7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬片SiC MOSFET/SBD芯片的產(chǎn)能；振華科技也正在推進(jìn)定增事項，其中包括建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸Si/SiC基功率器件制造線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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整合射頻、光芯片業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)讓三安日本科技、香港集成

按照擬定的業(yè)務(wù)整合方案，三安光電將泉州半導(dǎo)體從事的射頻類業(yè)務(wù)整合至泉州半導(dǎo)體的全資子公司泉州集成，將廈門集成從事的光芯片業(yè)務(wù)整合至三安光電的全資孫公司泉州光通訊。簡單來說，整合之后，三安光電的射頻業(yè)務(wù)將由泉州集成和廈門集成開展，光芯片業(yè)務(wù)則由泉州光通訊開展。

股權(quán)轉(zhuǎn)讓部分，三安光電將香港集成持有的三安日本科技100%股權(quán)以9,000 萬日元（約合人民幣440萬元）轉(zhuǎn)讓給泉州集成，將廈門集成持有的香港集成100%股權(quán)以1,140 萬美元（8333萬元）轉(zhuǎn)讓給香港三安光電。

業(yè)務(wù)集中度提升，射頻、光芯片業(yè)務(wù)有望加速擴張

目前，泉州集成主要從事濾波器業(yè)務(wù)的研發(fā)、銷售及生產(chǎn)，三安日本科技主要從事濾波器的研發(fā)，經(jīng)過業(yè)務(wù)整合和股權(quán)轉(zhuǎn)讓之后，包含濾波器在內(nèi)的射頻業(yè)務(wù)集中度提升。而廈門集成將光芯片業(yè)務(wù)和香港集成整合和轉(zhuǎn)讓出去之后，業(yè)務(wù)集中度同樣有了明顯的提升。

射頻前端業(yè)務(wù)是三安光電集成電路板塊下的其中一大業(yè)務(wù)，包含濾波器和GaAs射頻部分。濾波器業(yè)務(wù)方面，三安光電近兩年來業(yè)務(wù)開發(fā)進(jìn)展快速，今年上半年，其濾波器出貨量同比增長超200%；產(chǎn)品研發(fā)上也不斷傳來好消息：三安集成已基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù)，在新材料及新建模的基礎(chǔ)上，推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品，性能上取得了突破。產(chǎn)能方面，濾波器產(chǎn)能目前以SAW技術(shù)路線為主，每月生產(chǎn)150KK。后續(xù)，隨著濾波器產(chǎn)能稼動率的提升、產(chǎn)品線的擴大，三安光電濾波器的產(chǎn)量和銷量可望進(jìn)一步增長。

GaAs射頻業(yè)務(wù)涉及HBT、pHEMT等先進(jìn)工藝芯片代工服務(wù)，可覆蓋頻段已延伸至Ka頻段，客戶是國內(nèi)主要設(shè)計公司。目前，GaAs射頻產(chǎn)能為15,000片/月。上半年，GaAs射頻產(chǎn)能稼動率隨著需求的增加逐步上升，產(chǎn)量呈逐月上升趨勢。

未來，泉州集成和廈門集成集中資源，有利于三安光電加快擴大射頻前端業(yè)務(wù)的規(guī)模。

光芯片業(yè)務(wù)也是集成電路板塊中的一大業(yè)務(wù)。目前，三安光電的光芯片產(chǎn)品面向光通信和非光通信兩大應(yīng)用，后者主要指光電感測或功率類應(yīng)用，包括激光雷達(dá)、接近光距離傳感、3D空間以及人臉檢測、監(jiān)控補光、工業(yè)等，涉及EEL、VCSEL、APD、SPAD等各類激光芯片和接收芯片。根據(jù)半年報顯示，三安光電目前擁有光芯片產(chǎn)能2,750 片/月。

在光通信應(yīng)用領(lǐng)域，三安光電已可提供滿足400G光模塊應(yīng)用的光收發(fā)芯片，目前正在研發(fā)800G光模塊應(yīng)用的光收發(fā)芯片。在非光通信應(yīng)用領(lǐng)域，三安集成各類激光芯片已實現(xiàn)單月kk級別的出貨量，而且，車載雷達(dá)用VCSEL產(chǎn)品已在雷達(dá)客戶以及國內(nèi)車廠處獲得定點。截至上半年，三安光電所有光技術(shù)業(yè)務(wù)合作客戶已超170家。

本次廈門集成光芯片業(yè)務(wù)的去處，泉州光通訊的業(yè)務(wù)涵蓋光電子器件、電子元件和半導(dǎo)體照明器件、光通訊設(shè)備、集成電路等的制造與銷售。從業(yè)務(wù)上看，協(xié)同優(yōu)勢凸顯，整合之后，泉州光通訊也將集中更多優(yōu)勢的資源，擴大三安光電的光芯片業(yè)務(wù)。

小結(jié)

從業(yè)務(wù)層面來看，三安光電的射頻業(yè)務(wù)、光芯片業(yè)務(wù)、SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)、LED芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展方向進(jìn)一步清晰和明確了，業(yè)務(wù)的集中有利于其提升內(nèi)部資源利用率，最大程度發(fā)揮子公司孫公司的的強項，達(dá)到擴大公司整體業(yè)務(wù)規(guī)模、增強綜合競爭力的效果。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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