文章分類： 功率

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 |
| 分類: 功率
11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，自主設(shè)計(jì)的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國(guó)一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]

總投資100億，比亞迪半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目一期竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 01 日 17:40 | | 分類: 功率
11月28日，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。 據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均...  [詳內(nèi)文]

東部高科加快GaN和SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 30 日 17:40 |
| 分類: 功率
據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國(guó)晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請(qǐng)了一位來(lái)自安森美的功率半導(dǎo)體專家。 業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請(qǐng)了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開(kāi)發(fā)。 Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)人員，擁有約20...  [詳內(nèi)文]

致瞻科技第20000臺(tái)SiC電動(dòng)壓縮機(jī)控制器下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 27 日 17:35 |
| 分類: 功率
11月24日，致瞻科技第20000臺(tái)碳化硅（SiC）電動(dòng)壓縮機(jī)控制器下線儀式在致瞻科技生產(chǎn)總部嘉善縣姚莊鎮(zhèn)數(shù)字化黑燈工廠舉行，這標(biāo)志著致瞻科技在車用空調(diào)熱管理這一垂直細(xì)分行業(yè)產(chǎn)業(yè)化方面，取得了從0到1的突破。 資料顯示，致瞻科技聚焦于SiC半導(dǎo)體器件和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)，擁有5000㎡...  [詳內(nèi)文]

鍇威特：SiC功率器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 27 日 17:35 |
| 分類: 功率
11月24日，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司接受投資者調(diào)研，公司就研發(fā)方向、技術(shù)儲(chǔ)備、產(chǎn)品布局等投資者關(guān)心的問(wèn)題進(jìn)行了解答。 研發(fā)方面，鍇威特表示，公司截止三季度的研發(fā)費(fèi)用投入總計(jì)達(dá)2,768萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)了70.26%，研發(fā)投入占前三季度內(nèi)營(yíng)收的16.95%，同比增加7.68個(gè)百...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出Pcore?2 DCM碳化硅MOSFET模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 24 日 17:35 |
| 分類: 功率
近日，基本半導(dǎo)體推出汽車級(jí)DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模塊Pcore?2，是專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款高功率密度碳化硅功率模塊，產(chǎn)品型號(hào)包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。 據(jù)介紹，該產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

GaN代工廠BelGaN將采購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 22 日 17:35 |
| 分類: 功率
德國(guó)半導(dǎo)體沉積設(shè)備廠商愛(ài)思強(qiáng)（AIXTRON）昨日（11/21）宣布，半導(dǎo)體代工廠BelGaN將采用公司的新型G10-GaN外延系統(tǒng)用以擴(kuò)展自身業(yè)務(wù)。 據(jù)介紹，新型G10-GaN系統(tǒng)擁有一流的性能、全新緊湊設(shè)計(jì)以及可以大大降低每片晶圓的整體成本。該系統(tǒng)初始配置為8x150mm規(guī)格...  [詳內(nèi)文]

理想正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，研發(fā)SiC功率芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 22 日 17:35 |
| 分類: 功率
近日有消息稱，理想汽車目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，從事SiC功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用LinkedIn上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括總經(jīng)理、SiC功率模塊故障分析/物理分析專家、SiC功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC功率模塊工藝專家和SiC功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)企業(yè)粵海金8英寸SiC襯底取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 21 日 17:45 |
| 分類: 功率
山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱“粵海金”）于昨日（11/20）宣布自主研制的SiC單晶生長(zhǎng)爐上成功制備出直徑超過(guò)205毫米的8英寸導(dǎo)電型SiC晶體，晶體表面光滑無(wú)缺陷，厚度超過(guò)20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸SiC襯底片。 粵海金是高金富恒集團(tuán)旗下專門從事第三代半導(dǎo)體材...  [詳內(nèi)文]

工信部發(fā)布重點(diǎn)新材料征求意見(jiàn)稿，涉及化合物半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 21 日 15:49 |
| 分類: 功率
近日，工業(yè)和信息化部網(wǎng)站發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2024年版）》（征求意見(jiàn)稿），意見(jiàn)征集截止時(shí)間為2023年11月24日。 根據(jù)征求意見(jiàn)稿，先進(jìn)化工材料包括特種橡膠及其他高分子材料、工程塑料、膜材料以及其他先進(jìn)化工材料，共計(jì)52種。此外目錄還涵蓋高性能纖維及復(fù)合材...  [詳內(nèi)文]