文章分類： 功率

最高5000萬元資助，深圳大力發(fā)展半導(dǎo)體等領(lǐng)域關(guān)鍵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
| 分類: 功率
9月13日，深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市發(fā)展和改革委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)，三部門聯(lián)合印發(fā)《深圳市關(guān)于推動(dòng)新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（以下簡(jiǎn)稱“《若干措施》”），推動(dòng)新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展。本措施自2023年9月13日起實(shí)施，有效期5年。 source：深圳市工...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)將交付用于5G 基站的GaN功率放大模塊樣品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
| 分類: 功率
9月13日，三菱機(jī)電股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“三菱電機(jī)”）宣布，9月21日起，用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模塊樣品將大量出貨。該GaN功率放大模塊在 400 MHz 的寬頻率范圍內(nèi)可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [詳內(nèi)文]

河北出臺(tái)新政，支持第三代半導(dǎo)體等細(xì)分行業(yè)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
| 分類: 功率
近日，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡(jiǎn)稱《若干措施》），提出加快第三代半導(dǎo)體、新型顯示等細(xì)分行業(yè)發(fā)展。以下是該政策的部分內(nèi)容： 第三代半導(dǎo)體 支持設(shè)計(jì)研發(fā)驗(yàn)證。對(duì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，其研發(fā)設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品通過用戶...  [詳內(nèi)文]

SiC乘著光伏的東風(fēng)狂飆！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
| 分類: 功率
在新能源產(chǎn)業(yè)井噴的大背景下，SiC也跟著炙手可熱，SiC上車已經(jīng)不是趨勢(shì)而是事實(shí)，而在光伏領(lǐng)域，SiC也在加快前進(jìn)步伐。 光伏發(fā)電并網(wǎng)的過程中，為了實(shí)現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定、高效運(yùn)行，對(duì)逆變器的要求會(huì)變得更嚴(yán)格，傳統(tǒng)硅基器件由于材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場(chǎng)景的應(yīng)用，而Si...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，助力沃爾沃汽車！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 |
| 分類: 功率
9月7日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。 為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，...  [詳內(nèi)文]

納微計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)SiC/GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報(bào)道，納微半導(dǎo)體正計(jì)劃在歐洲和美國(guó)擴(kuò)大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力，以減少對(duì)臺(tái)廠的依賴。 據(jù)悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺(tái)積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國(guó)德州（Lubbock, Texas）工廠生產(chǎn)，GaN在臺(tái)積電的...  [詳內(nèi)文]

三安半導(dǎo)體8英寸SiC首發(fā)，即將獲得訂單？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 9:45 |
| 分類: 功率
2023年9月6日，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會(huì)上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表...  [詳內(nèi)文]

簽約、投產(chǎn)、成果發(fā)布，南京三代半產(chǎn)業(yè)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:30 |
| 分類: 功率
9月6日，由南京市人民政府、中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司指導(dǎo)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在江寧開發(fā)區(qū)舉行。 會(huì)上，多個(gè)超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果，同時(shí)宣布一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。 此次集中簽約的項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

日本開發(fā)這項(xiàng)新技術(shù)，可將SiC晶圓制造成本降低30%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:26 |
| 分類: 功率
由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶錠切割成為制約SiC器件制造核心瓶頸。近期，日本Dry Chemicals開發(fā)了一種新的工藝，能夠?qū)iC晶圓的制造成本降低20~30%。 該技術(shù)的核心是在晶錠上進(jìn)行開槽，這樣可以使得晶圓切片的時(shí)候更加平整，從而減少晶圓表面的研磨、拋光等后處理所...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)加速布局，首條12英寸產(chǎn)線安裝調(diào)試完成

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 06 日 17:11 |
| 分類: 功率
根據(jù)外媒報(bào)道，三菱電機(jī)已經(jīng)在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產(chǎn)線的設(shè)備安裝調(diào)試，樣品生產(chǎn)和測(cè)試驗(yàn)證了生產(chǎn)線上加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了所需的性能水平。 報(bào)道稱，三菱電機(jī)計(jì)劃于2025財(cái)年開始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標(biāo)是到2026財(cái)年將其硅功率半導(dǎo)體晶圓的...  [詳內(nèi)文]