碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
近日，浙大杭州科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院首爐碳化硅單晶成功“出爐”，這是研究院的半導(dǎo)體材料研究室在科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士指導(dǎo)下取得的階段性成果，這標志著經(jīng)過前期緊鑼密鼓的準備，科創(chuàng)中心在寬禁帶半導(dǎo)體材料研究方面已經(jīng)正式進入快車道。
碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、飽和漂移速度高、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高等諸多特點，是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)公認的“未來材料”，無論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場，都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
不僅半導(dǎo)體材料研究室已有了喜人成果，功率芯片研究室也在積極開展新型碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件的研發(fā)工作；同時，針對碳化硅器件封裝與應(yīng)用的研究工作也正在逐步開展。
目前，先進半導(dǎo)體研究院正著力于布局寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，力爭取得重大突破。（來源：浙大杭州科創(chuàng)中心）
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