傳三星將為英飛凌代工功率半導體產品

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

據韓媒昨日(3/10)日報道,三星晶圓代工部(Samsung Foundry)已經從去年開始為英飛凌生產MOSFET,未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。

韓媒表示,知情人士透露,雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產通用型電源管理芯片,但英飛凌正在下更多的單。未來,三星晶圓代工部有可能將為英飛凌代工IGBT或基于SiC/GaN的電源管理芯片。

據悉,三星與英飛凌之間合作已久,合作成效于去年開始顯現。目前,英飛凌已躍升全球電源管理IC領頭羊。但韓媒指出,三星晶圓代工部在電源管理芯片等模擬半導體領域的發(fā)展不溫不火。

若此消息為真,三星晶圓代工部未來不僅收入渠道增加,收入來源也將顯著增長。按照英飛凌當前的發(fā)展規(guī)劃,SiC/GaN第三代半導體是重點發(fā)展方向,英飛凌近兩年來持續(xù)擴充第三代半導體產能,還于最近收購了氮化鎵芯片龍頭GaN Systems,決心由此可見一斑。

因此,結合第三代半導體廣闊的市場需求,如果拿下英飛凌SiC/GaN電源管理芯片的代工訂單,三星晶圓代工部未來有望打破韓媒所說的不溫不火局面,取得更進一步的發(fā)展。(化合物半導體市場Jenny編譯)

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