根據(jù)京銘資本2月11日發(fā)布的消息，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱：天科合達）近期完成了Pre-IPO輪融資，京銘資本體系京銘鴻瑞產業(yè)基金、歷金銘科產業(yè)基金以及青島匯鑄英才產業(yè)基金等三支基金參與本輪融資，其他投資人包括國內多家知名投資機構。
據(jù)悉，2020年7月，天科合達在科創(chuàng)板申報IPO，2020年10月終止IPO；來到2022年4月，天科合達重啟IPO上市輔導工作，2021年11月，北京證監(jiān)局正式受理了天科合達的IPO輔導備案申請。此次完成Pre-IPO輪融資，意味著天科合達IPO之路更進一步。
圖片來源：拍信網正版圖庫
天科合達成立于2006年9月，是我國碳化硅襯底龍頭企業(yè)，產業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備和碳化硅單晶襯底制備。
技術方面，作為國內最早實現(xiàn)SiC襯底產業(yè)化的企業(yè)之一，天科合達在國內率先成功研制出6英寸SiC襯底并掌握了制造技術，相繼實現(xiàn)2-6英寸SiC襯底產品的規(guī)?；?/p>
2020年，天科合達開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，目前已突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，并在2022年11月發(fā)布8英寸導電型SiC單晶襯底。天科合達還計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產品的小規(guī)模量產。
產能方面，天科合達的第三代半導體SiC襯底產業(yè)化基地建設項目已于2020年8月開工，總投資約9.5億元。該項目將建設一條400臺/套SiC單晶生長爐及配套切、磨、拋加工設備的SiC襯底生產線，建設完成后將形成12萬片6英寸SiC襯底的年產能。
同時，天科合達的參股公司深圳市重投天科半導體有限公司于2021年9月競得第三代半導體產業(yè)鏈重點產業(yè)建設項目用地。2022年8月，項目正式開始施工，并于同年11月封頂。據(jù)悉，該項目是廣東省2022年重點建設項目、深圳市2022年重大項目，項目建成后將有效彌補國內6英寸SiC單晶襯底和外延產能缺口，并逐步擺脫下游產業(yè)對進口SiC材料的依賴。（化合物半導體市場 Winter整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。