長光華芯子公司擬建先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺

作者 | 發(fā)布日期 2022 年 12 月 28 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC

昨(27)日,蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“長光華芯”) 發(fā)布公告表示,公司全資子公司蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司(以下簡稱“研究院”) 與蘇州科技城管理委員會簽訂項(xiàng)目投資合作協(xié)議,擬在太湖科學(xué)城新建先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺項(xiàng)目。

據(jù)公告,項(xiàng)目計劃投資額10億元,計劃建設(shè)總建筑面積約46,293平方米的生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動力站及配套設(shè)施,項(xiàng)目計劃2023年開工,2025年建成投產(chǎn),本項(xiàng)目預(yù)計年產(chǎn)值不低于6億元。

據(jù)悉,該項(xiàng)目將形成年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力,具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝能力,具備其他高功率半導(dǎo)體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測能力(包括6-8英寸器件封測生產(chǎn)線建設(shè))。

長光華芯成立于2012年3月,是半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直整合廠商,專注于半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等的研發(fā)、制造及銷售,公司曾獲華為哈勃投資。

目前,與蘇州高新區(qū)政府共建了蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院為平臺,現(xiàn)已形成由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的四大類、多系列產(chǎn)品矩陣,主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

產(chǎn)能方面,目前長光華芯擁有砷化鎵、磷化銦和氮化鎵三大材料體系,2英寸GaN激光器研發(fā)能力以及3英寸磷化銦和6英寸砷化鎵激光器的生產(chǎn)線。

今年8月,蘇州長光華芯半導(dǎo)體研究院項(xiàng)目完工啟用。預(yù)計項(xiàng)目投用后,長光華芯的高功率半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大,生產(chǎn)產(chǎn)能將提升5-10倍。

業(yè)績方面,2022年前三季度,公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入3.17億元,同比下降0.35%;歸母凈利潤9487.81萬元,同比增長22.66。

值得注意的是,今年11月,蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。

12月,長光華芯順利通過IATF16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證,為公司擴(kuò)展汽車激光雷達(dá)市場奠定了基礎(chǔ)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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