近日，納微半導(dǎo)體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領(lǐng)先碳化硅功率產(chǎn)品已擴(kuò)展到更高功率市場，包括鐵路、電動(dòng)汽車、工業(yè)、太陽能、風(fēng)能和能量儲(chǔ)存等領(lǐng)域。
Source：納微半導(dǎo)體
目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋集中式和組串式太陽能逆變器、能量儲(chǔ)存系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制，電動(dòng)汽車（EV）車載充電器、電動(dòng)汽車快速充電樁、風(fēng)能、UPS、雙向微電網(wǎng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及固態(tài)斷路器。
部分GeneSiC功率器件使用場景
（Source：納微半導(dǎo)體）
從650V到6500V，納微半導(dǎo)體覆蓋了最全面的碳化硅電壓范圍。從最初的分立封裝系列-從8 x 8毫米的表貼QFN封裝到插件TO-247，GeneSiC SiCPAK模塊打通了直接進(jìn)入高功率應(yīng)用領(lǐng)域的初始入口。納微至此形成了包括功率模塊，高電壓SiC MOSFETs和MPS二極管、GaN功率集成電路、高速數(shù)字隔離器和低壓硅控制集成電路的全方位的功率技術(shù)路線圖。
SiCPAK?模塊采用“壓接”技術(shù)，為功率電路提供緊湊的外形尺寸，并向最終用戶提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、高功率密度的解決方案。這些模塊基于納微半導(dǎo)體GeneSiC芯片建造，GeneSiC憑借著卓越的性能、可靠性和堅(jiān)固性而廣為人知。
其中一個(gè)顯著的例子是SiCPAK半橋模塊，額定為6毫歐、1,200伏，并采用了行業(yè)領(lǐng)先的溝槽輔助平面柵的SiC MOSFET技術(shù)。納微將提供多種SiC MOSFETs和MPS二極管的配置可用于制定針對(duì)特定應(yīng)用的模塊，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的系統(tǒng)性能。初期發(fā)布的產(chǎn)品為額定1,200伏的半橋模塊，6、12、20和30毫歐的多款產(chǎn)品。
在無鉛SiCPAK中，每顆SiC芯片都用銀漿（Ag）焊接到模塊基板上，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的冷卻性能和可靠性。基板本身是“直接鍵合銅”（DBC），使用活性金屬釬焊（AMB）技術(shù)在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常適合于功率循環(huán)。這種結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的強(qiáng)度和柔韌性、抗斷裂性和良好的熱導(dǎo)性，以實(shí)現(xiàn)冷卻、可靠和長壽命的運(yùn)行。
對(duì)于希望自行制造大功率模塊的客戶，所有GeneSiC MOSFET和MPS二極管都提供裸片，并帶有金（Au）和鋁（Al）頂部金屬層。（文：納微半導(dǎo)體）
更多SiC和GaN的市場資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。